[发明专利]芯片感抗器

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片感抗器，所述感抗器具有充分的焊接耐热性能并具有改进的在高频段(特别是在千兆赫频段)内的感抗特性，从而可以发送达几千兆赫的频段内的电路信号并可以截止高于上述频段内的频率的高频躁声。

背景技术

日本未审定的专利申请10-270255涉及本发明的已有技术，其中披露了一种芯片珠件，该芯片珠件具有一信号导体，该信号导体螺旋状地嵌在由铁淦氧粉末和绝缘树脂混合物构成的绝缘基片的内侧。可以在100℃至200℃的低温的条件下，而不是高温(大约900℃)的条件下制作上述芯片珠件。因此绝缘基片制作容易，并且不受焙烧温度和焙烧环境影响。

作为铁淦氧粉末可以采用诸如Ni-Cu-Zn、Mn-Zn、Mn-Mg-Zn、Ni-Zn等铁淦氧材料。例如环氧树脂、苯酚、聚丙烯橡胶和聚四氟乙烯等树脂都具有良好的性能。

通常可以用一条曲线说明上述高频芯片珠件(芯片感抗器)。在曲线上感抗在交叉点(磁通的实部和虚部值在其上相等的频率，换句话说，在该频率上感抗和阻抗相等。即感抗和阻抗“相交”)和其相邻位置上增大。

近几年，高频(千兆赫频段)传输的信号用于移动无线电话电路等，同时大大要求改善感抗特性。

另一方面，在日本未审定的专利申请10-270255中描述的上述高频芯片珠件，其交叉点在低于1千兆赫的频段。因此具有所需频率的传输信号将被作为躁声切除掉。这将造成元器件的频率特性不能令人满意。

元器件的软熔焊的温度很高。在有些情况下，元器件将因焙烧或熔融而发生变化。软熔是将外部的电极在高频芯片珠件上成型的过程。特别是在近几年广泛应用的无铅焊料(Pb)的熔点高于含有铅的焊料的熔点20至50℃。因此上述的高频芯片珠件的耐热性能是不能另人满意的。

另外，当聚四氟乙烯用于高频芯片珠件时，由于表面自由能很小，所以外部电极的粘固非常弱，因而不能实现高的可靠性。

发明内容

为解决上述问题，根据本发明提出一种芯片感抗器，所述芯片感抗器包括一个体件，所述体件包含铁淦氧粉末和树脂，和至少一个设置在体件上的螺旋电极，根据频率-感抗特性的感抗的交叉点在1千兆赫至高于1千兆赫的范围内。

在上述的结构设计中，由于体件包含铁淦氧粉末和树脂，利用树脂可以使铁淦氧粉末成型，并且可以省去焙烧过程。据此，可以简化具有至少一个螺旋电极的体件的制作过程。

而且在上述结构设计中，由于体件具有铁淦氧粉末和树脂，所以可以减小包含有螺旋电极的整个体件的介电常数，并降低有可能在外部电极之间和在外部电极与螺旋电极之间产生的杂散电容。作为结果，在上述的设计结构中，阻抗的峰顶部分可以向高频侧移动。此点将实现类似滤波器的特性，使在低频段的信号被发送，并且与低频段相对应的高频段的信号被吸收。

另外，在上述设计结构中，由于根据频率-感抗特性的感抗交叉点在1千兆赫至高于1千兆赫的范围内，所以可以避免具有所需频率的传输信号作为躁声被切除掉，从而可以改善频率特性。

在芯片感抗器中，优选铁淦氧系由六方晶形铁淦氧(Zn2Y型铁淦氧、Co2Y型铁淦氧和Co2Z型铁淦氧)、Ni铁淦氧和NiCo铁淦氧构成的铁淦氧组中选出的一种。

在上述结构设计中，由于采用了一种特殊的铁淦氧，所以可以将根据上述频率-感抗特性的感抗交叉点固定设置在1千兆赫或高于1千兆赫的位置。

在芯片感抗器中，优选树脂系至少一种由聚醚醚酮、间同立构聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚苯并噁嗪酮和聚丁二烯-丙烯晴等构成的树脂组中的一种。

由于芯片感抗器优选采用特殊的树脂，所以根据频率感抗特性的感抗的交叉点可以固定设置在1千兆赫或高于1千兆赫位置上，并且另外还可以改善芯片感抗器的耐热性能。例如可以避免芯片感抗器受到诸如由于熔融或焙烧等因软熔时产生的热发生变化等干扰。

附图说明

图1为根据本发明实施例的芯片感抗器的切面示意图；和

图2为上述芯片感抗器和一作为比较例的芯片感抗器的感抗特性的曲线图。

具体实施方式

下面将对照图1对本发明的实施例的芯片感抗器加以说明。

在根据图1所示的本发明的芯片感抗器中至少有一个螺旋电极3嵌在形状为六方形或圆柱形的芯片感抗器体的内侧。螺旋电极3由诸如银等导电金属构成，或由基本为拱带形的导电粘合剂构成，并且其设置应使螺旋电极3的中心轴和芯片感抗器2体的轴相互平行。利用第一通孔螺旋电极3的相邻的拱带形部分相互连接，所述通孔在芯片感抗器体件2的轴向上延伸，对此在图中未示出。