[发明专利]显示装置、便携式设备及基板

说明书

技术领域

本发明涉及每个像素配置存储器元件及发光元件的显示装置、便携式设备及基板。

背景技术

近年来，与液晶显示器匹敌的作为平板显示器的有机EL(ElectroLuminescence，场致发光)显示器引人注目，正积极进行其显示电路及驱动方法的开发。

该有机EL显示器的驱动电路及驱动方法大致可分为无源驱动与有源驱动两种，在有源驱动有机EL时，驱动像素用的TFT必须是多晶硅。

这是由于，在对有机EL那样的自发光元件进行TFT驱动时，为了确保流过该自发光元件的电流量，需要形成TFT的硅的电荷迁移率。如果是液晶那样的非发光光闸元件，用非晶态硅即可，而对于有机EL，必须用多晶硅，这就是为什么要这样的理由。

作为该有机EL的像素构成，如美国专利4996523(公开日1991年2月26日号)公报所示，有用单晶硅FET代替多晶硅TFT的构成，特别是采用存储器元件的构成。

图26为该公报所示的1个像素(在黑白显示器中，“1个像素＝1点”，在彩色显示器中，“1个像素＝RGB3点。因而正确说应该是表示1点，但这里忽略这样的严格区别)的电路构成。

即在该美国专利4996523号公报中，如图2b所示，由多个存储器单元221即C_n～C_n-3、选择这些存储器单元用的晶体管222即D_n～D_n-3、恒流电路225及有机EL元件226构成1个像素。

由于恒流电路225是采用FET223及224的电流镜电路，因此流过有机EL226的电流由流过FET D_n～D_n-3的电流总和来决定。而流过该FET D_n～D_n-3的电流由存储器单元D_n～D_n-3保存的数据所决定的FET D_n～D_n-3的栅极电压设定。

另外，该存储器单元221的构成如图27所示。即利用行控制信号来控制CMOS反相器228、MOS传输门227及229。在该行控制信号为选择状态时，由于MOS传输门227处于导通状态，MOS传输门229处于不导通状态，因此列输入信号Bn通过传输门227，输入至CMOS反相器230的栅极。另外，在该行控制信号为非选择状态时，由于MOS传输门227处于不导通状态，MOS传输门229处于导通状态，因此CMOS反相器231的输出通过MOS传输门229反馈至CMOS反相器230。另外，该存储单元221由于使CMOS反相器230的输出通过CMOS反相器231及MOS传输门229反馈至CMOS反相器230的栅极，因此该电路可看成采用两级反相器的静态存储电路。

这样，在美国专利4996523号公报中揭示了采用单晶硅FET的存储器构成作为有机EL显示器用的像素TFT构成。

上述美国专利4996523号公报所示的图26的像素存储器构成是每个像素具有多个存储器单元D_n～D_n-3，而每个像素具有电流镜电路225，利用该电流镜电路，将数字信号变换为模拟信号(电流值)。

采用这样的电流镜电路构成时，构成电流镜电路的FET223与224的特性必须一致。但是，利用液晶显示器等所用的多晶硅工艺制成的FET，相邻的FET也不能保证特性一致。

因而，在图26所示的模拟灰度显示中，存在多晶硅TFT的持性差异的问题，难以整个画面有均匀的灰度显示。

因此，考虑进行数字灰度显示，以抑制多晶硅TFT的特性差异问题。图33是采用分时灰度显示方法作为该数字灰度显示方法的像素电路构成。即由驱动有机EL108用的TFT107、贮存控制该TFT107导通状态用的电压的电容器107、贮存控制该TFT107导通状态用的电压的电容器119、以及控制该电容器119的电压用的TFT106构成。在该构成中的方法是，如图34所示，在1帧期间TF内多次改写各像素电容器119的电压，以该电压是使TFT107为导通状态还是不导通状态的电压来进行灰度显示。

另外，在日本国特开平8-194205号公报(公开日1996年7月30日)还揭示了液晶显示装置中采用多晶硅TFT在每个像素中包含静态存储器结构的构成。