[发明专利]光刻胶树脂,化学增强光刻胶组合物及图样的形成方法无效

专利信息
申请号: 01140069.2 申请日: 2001-11-23
公开(公告)号: CN1356594A 公开(公告)日: 2002-07-03
发明(设计)人: 山名慎治 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G03F7/039 分类号: G03F7/039;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李悦
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光刻 树脂 化学 增强 组合 图样 形成 方法
【权利要求书】:

1、一种光刻胶树脂,在其分子结构中,保护基团连接在基础树脂上,这种从所述的光刻胶树脂上去除所述的保护基团能够增加其碱溶性,其中:

所述的保护基团是用下式(I)表示的残基:其中表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环,R表示有1-4个碳原子的烷基。

2、根据权利要求1所述的光刻胶树脂,其中所述的式(I)中的是三环[5.2.1.02.6]癸基,六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基,八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基,胆甾烷基及其衍生物。

3、根据权利要求1所述的光刻胶树脂,其中所述的保护基团是用下式(II)表示的残基:其中,R表示有1-4个碳原子的烷基。

4、根据权利要求1所述的光刻胶树脂,其中所述的保护基团是用下式(III)表示的残基:其中,R表示有1-4个碳原子的烷基。

5、根据权利要求1-4中任何一个所述的光刻胶树脂,其中用下式定义的α不大于3.1:

α=N/(Nc-No)其中,N表示所述的光刻胶树脂中的总原子数,Nc表示所述的光刻胶树脂中的碳原子数,No表示所述的光刻胶树脂中的氧原子数。

6、根据权利要求1-4中任何一个所述的光刻胶树脂,其分子结构中不含有芳香环。

7、根据权利要求5所述的光刻胶树脂,其分子结构中不含有芳香环。

8、一种光刻胶树脂,含有下式(A)表示的单元:其中,R1、R3和R5各自独立地表示氢原子或甲基,R2表示有7-25个碳原子的脂环烃基,保护基团R4是用下式(I)表示的残基:其中表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环,R表示有1-4个碳原子的烷基,R6表示氢原子或γ-丁内酯基,l、m和n各自表示各个单元的百分含量,l+m+n=100,0<l<100,0<m<100且0<n<100。

9、根据权利要求8所述的光刻胶树脂,其中在所述的保护基团R4中的是三环[5.2.1.02.6]癸基,六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基,八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基,胆甾烷基及其衍生物。

10、根据权利要求8所述的光刻胶树脂,其中所述的保护基团R4用下式(II)表示的残基:其中,R表示有1-4个碳原子的烷基。

11、根据权利要求8所述的光刻胶树脂,其中所述的保护基团R4是用下式(III)表示的残基:其中,R表示有1-4个碳原子的烷基。

12、根据权利要求8-11中任何一个所述的光刻胶树脂,其中用下式定义的α不大于3.1:

α=N/(Nc-No)其中,N表示所述的光刻胶树脂中的总原子数,Nc表示所述的光刻胶树脂中的碳原子数,No表示所述的光刻胶树脂中的氧原子数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社,未经日本电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01140069.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top