[发明专利]光刻胶树脂,化学增强光刻胶组合物及图样的形成方法无效
| 申请号: | 01140069.2 | 申请日: | 2001-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN1356594A | 公开(公告)日: | 2002-07-03 |
| 发明(设计)人: | 山名慎治 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/039 | 分类号: | G03F7/039;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李悦 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 树脂 化学 增强 组合 图样 形成 方法 | ||
1、一种光刻胶树脂,在其分子结构中,保护基团连接在基础树脂上,这种从所述的光刻胶树脂上去除所述的保护基团能够增加其碱溶性,其中:
所述的保护基团是用下式(I)表示的残基:其中表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环,R表示有1-4个碳原子的烷基。
2、根据权利要求1所述的光刻胶树脂,其中所述的式(I)中的是三环[5.2.1.02.6]癸基,六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基,八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基,胆甾烷基及其衍生物。
3、根据权利要求1所述的光刻胶树脂,其中所述的保护基团是用下式(II)表示的残基:其中,R表示有1-4个碳原子的烷基。
4、根据权利要求1所述的光刻胶树脂,其中所述的保护基团是用下式(III)表示的残基:其中,R表示有1-4个碳原子的烷基。
5、根据权利要求1-4中任何一个所述的光刻胶树脂,其中用下式定义的α不大于3.1:
α=N/(Nc-No)其中,N表示所述的光刻胶树脂中的总原子数,Nc表示所述的光刻胶树脂中的碳原子数,No表示所述的光刻胶树脂中的氧原子数。
6、根据权利要求1-4中任何一个所述的光刻胶树脂,其分子结构中不含有芳香环。
7、根据权利要求5所述的光刻胶树脂,其分子结构中不含有芳香环。
8、一种光刻胶树脂,含有下式(A)表示的单元:其中,R1、R3和R5各自独立地表示氢原子或甲基,R2表示有7-25个碳原子的脂环烃基,保护基团R4是用下式(I)表示的残基:其中表示具有12-25个碳原子的取代或未取代的稠环,R表示有1-4个碳原子的烷基,R6表示氢原子或γ-丁内酯基,l、m和n各自表示各个单元的百分含量,l+m+n=100,0<l<100,0<m<100且0<n<100。
9、根据权利要求8所述的光刻胶树脂,其中在所述的保护基团R4中的是三环[5.2.1.02.6]癸基,六环[6.6.1.13.6.110.13.02.7.09.14]十七烷基,八环[8.8.12.9.14.7.111.18.113.16.0.03.8.012.17]二十二烷基,胆甾烷基及其衍生物。
10、根据权利要求8所述的光刻胶树脂,其中所述的保护基团R4是用下式(II)表示的残基:其中,R表示有1-4个碳原子的烷基。
11、根据权利要求8所述的光刻胶树脂,其中所述的保护基团R4是用下式(III)表示的残基:其中,R表示有1-4个碳原子的烷基。
12、根据权利要求8-11中任何一个所述的光刻胶树脂,其中用下式定义的α不大于3.1:
α=N/(Nc-No)其中,N表示所述的光刻胶树脂中的总原子数,Nc表示所述的光刻胶树脂中的碳原子数,No表示所述的光刻胶树脂中的氧原子数。
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