[发明专利]涂覆及显影的方法及其系统有效
| 申请号： | 01116946.X | 申请日： | 2001-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1322969A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 北野淳一;松山雄二;北野高广;八重∴英民 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 黄力行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显影 方法 及其 系统 | ||
1．对基片进行涂覆和显影处理的一种方法，包括如下步骤：
在基片上涂覆感光胶并在其上形成涂覆层；
对形成涂覆层的基片进行加热处理；
在加热处理之后冷却基片；
对基片上的涂覆层进行曝光处理；
在曝光处理之后对基片进行显影处理；
所述方法还包括如下步骤：
在所述形成涂覆层步骤之后所述基片曝光处理步骤之前，对基片释放工艺气体，在涂覆层表面形成工艺膜。
2．根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对基片释放工艺气体并在涂覆层表面形成工艺膜的步骤是在所述加热处理之后冷却基片这一步骤之后进行。
3．根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对基片释放工艺气体并在涂覆层表面形成工艺膜的步骤是在所述加热处理之后冷却基片这一步骤当中进行。
4．根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对基片释放工艺气体并在涂覆层表面形成工艺膜的步骤是在所述加热处理步骤之后进行。
5．根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对基片释放工艺气体并在涂覆层表面形成工艺膜的步骤是在所述加热处理步骤当中进行。
6．根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述气体能降低涂覆层的表面能。
7．根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述气体使得涂覆层表面具有疏水性。
8．根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述气体是氟系列气体。
9．一种对基片进行涂覆和显影处理的涂覆及显影系统，这种系统包括：
在基片上形成涂覆层的涂覆处理单元；
对基片进行显影处理的显影处理单元；
对基片进行热处理的热处理单元；
供气单元，该单元用来对基片涂覆层释放工艺气体，在涂覆层表面形成工艺膜。
10．根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述热处理单元包括所述工艺气体供应单元。
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