[发明专利]电光装置、电光装置的制造方法和电子装置

权利要求书

1．一种电光装置，其中，在支撑基板上设有：多条扫描线；与上述多条扫描线交叉的多条数据线；与上述各扫描线和上述各数据线连接的晶体管；与上述晶体管连接的像素电极；以及在成为上述晶体管的沟道的半导体层之下形成的绝缘层，在该绝缘层与上述支撑基板之间设有导电性的遮光层，其特征在于：

上述半导体层的延伸部与上述遮光层导电性地连接。

2．如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于：

利用连接布线经在上述延伸部上形成的第1接触孔和在上述遮光层上形成的第2接触孔连接上述延伸部与上述遮光层。

3．如权利要求1或2中所述的电光装置，其特征在于：

利用连接布线经在上述延伸部上形成的第1接触孔和在包含该第1接触孔的内侧的区域内贯通上述延伸部且在上述遮光层上形成的第2接触孔连接上述延伸部与上述遮光层。

4．如权利要求2或3中所述的电光装置，其特征在于：

用与上述数据线为同一的层形成了上述连接布线。

5．如权利要求2或3中所述的电光装置，其特征在于：

用与上述扫描线为同一的层形成了上述连接布线。

6．如权利要求2至5的任一项中所述的电光装置，其特征在于：

具备与上述像素电极连接的蓄积电容，该蓄积电容由上述半导体层和由与上述扫描线为同一的层形成且与上述扫描线并排设置的电容线夹住绝缘膜而构成，另一方面，上述扫描线或上述电容线具有以避开上述连接布线的方式形成的迂回部。

7．如权利要求1至6的任一项中所述的电光装置，其特征在于：

上述遮光层在相邻的晶体管的扫描线方向或数据线方向、或扫描线和数据线的两方向上导电性地连接，同时，被供给规定的电位。

8．如权利要求7中所述的电光装置，其特征在于：

在该遮光层上的晶体管是N沟道型的情况下，对上述遮光层供给的规定的电位为对该晶体管的源或漏施加的最低电位以下。

9．如权利要求7中所述的电光装置，其特征在于：

在该遮光层上的晶体管是P沟道型的情况下，对上述遮光层供给的规定的电位为对该晶体管的源或漏施加的最高电位以上。

10．如权利要求1至9的任一项中所述的电光装置，其特征在于：

上述半导体层的厚度为100～180nm。

11．一种电光装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

(a)在基板上形成遮光层的工序；

(b)在其上形成绝缘膜的工序；

(c)在上述绝缘膜上形成晶体管的沟道区、上述沟道区的延伸部和成为蓄积电容的一个电极的半导体层的工序；以及

(d)连接上述延伸部与上述遮光层的工序。

12．如权利要求11中所述的电光装置的制造方法，其特征在于：

上述工序(c)包含：

将单晶硅衬底贴合到上述基板上的工序；以及

从上述已被贴合的单晶硅衬底除去不需要的部分来形成由单晶硅构成的半导体层的工序。

13．如权利要求11或12中所述的电光装置的制造方法，其特征在于：

上述工序(d)是与经在上述半导体层上形成的第3接触孔连接到该半导体层上的数据线一起、形成经上述延伸部上形成的第1接触孔和在上述遮光层上形成的第2接触孔连接上述延伸部与上述遮光层的连接布线的工序。

14．如权利要求11或12中所述的电光装置的制造方法，其特征在于：

上述工序(d)是与经在上述半导体层上形成的第3接触孔连接到该半导体层上的数据线一起、形成经在上述延伸部上形成的第1接触孔和在包含该第1接触孔的内侧的区域内贯通上述延伸部且在上述遮光层上形成的第2接触孔连接上述延伸部与上述遮光层的连接布线的工序。

15．如权利要求11或12中所述的电光装置的制造方法，其特征在于：

上述工序(d)是用与上述扫描线为同一的层形成经在上述延伸部上形成的第1接触孔和在上述遮光层上形成的第2接触孔连接上述延伸部与上述遮光层的连接布线的工序。