[发明专利]在电缆外鞘上形成有吸收噪声的高损耗磁膜的信号传输电缆有效
| 申请号: | 01116371.2 | 申请日: | 2001-04-04 |
| 公开(公告)号: | CN1316748A | 公开(公告)日: | 2001-10-10 |
| 发明(设计)人: | 小野裕司;栗仓由夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社东金 |
| 主分类号: | H01B11/00 | 分类号: | H01B11/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电缆 外鞘上 形成 吸收 噪声 损耗 信号 传输 | ||
1、一种信号传输电缆,包括用于传输流过的信号的导体部分和覆盖所述导体部分的绝缘体外鞘,其特征在于提供了一个高损耗磁膜形成在形成在所述绝缘外鞘的至少一个区域上和覆盖所述外鞘的至少部分外表面,所述高损耗磁膜在0.1-10GHz的频率范围有最大的复磁导率μ”max。
2、根据权利要求1的信号传输电缆,特征在于所述高损耗磁膜由包括M、X和Y的M-X-Y磁性混合物制造,其中M是由Fe,Co和/或Ni组成的金属磁性材料,X是M和Y之外的元素,Y是F、N和/或O,所述M-X-Y磁性混合物中M的含量使得所述M-X-Y磁性混合物的饱和磁化强度是只包含M的磁性材料的体材料的饱和磁化强度的35-80%。
3、根据权利要求2的信号传输电缆,特征在于所述M-X-Y磁性混合物具有相对窄带的复磁导率频率响应,其中相对带宽bwr是200%或更小,相对带宽bwr定义为在其复磁导率是最大值μ”max的一半μ”50的两个频率点到所述带宽中心频率之间带宽的百分比。
4、根据权利要求3的信号传输电缆,特征在于所述M-X-Y磁性混合物的饱和磁化强度是只包含M的磁性材料的体材料的饱和磁化强度的60-80%。
5、根据权利要求3或4的信号传输电缆,特征在于所述高损耗磁膜具有100-700μΩ·cm的DC特征阻抗。
6、根据权利要求2的信号传输电缆,特征在于所述M-X-Y磁性混合物具有相对宽带的复磁导率频率响应,其中相对带宽bwr是150%或更大,相对带宽bwr定义为在其复磁导率是最大值μ”max的一半μ”50的两个频率点到所述带宽中心频率之间带宽的百分比。
7、根据权利要求6的信号传输电缆,特征在于所述M-X-Y磁性混合物的饱和磁化强度是只包含M的磁性材料的体材料的饱和磁化强度的35-60%。
8、根据权利要求6或7的信号传输电缆,特征在于所述高损耗磁膜具有500μΩ·cm或更高的DC特征阻抗。
9、根据权利要求2-8中任一个的信号传输电缆,特征在于X是C,Bi,Si,Al,Mg,Ti,Zn,Hf,Sr,Nb,Ta和/或稀土金属。
10、根据权利要求2-9中任一个的信号传输电缆,特征在于所述金属磁性材料M在由X和Y组成的基质混合物中作为粒状颗粒分布。
11、根据权利要求10的信号传输电缆,特征在于所述颗粒优选具有1-40nm的平均颗粒尺寸。
12、根据权利要求2-11中任一个的信号传输电缆,特征在于所述M-X-Y磁性混合物是由化学式FeαFeα-Alβ-Oγ表示的混合物。
13、根据权利要求1-12中任一个的信号传输电缆,特征在于所述高损耗磁膜是通过溅射工艺形成的薄膜。
14、根据权利要求1-12中任一个的信号传输电缆,特征在于所述高损耗磁膜是通过气相淀积工艺形成的薄膜。
15、根据权利要求1-14中任一个的信号传输电缆,特征在于所述高损耗磁膜具有0.3-20μm的厚度。
16、根据权利要求1-15中任一个的信号传输电缆,特征在于它是一个同轴电缆,还包括围绕所述导体部分的外层导体部分和在所述导体部分和所述外层导体部分之间的内层绝缘层,所述外层导体部分直接被所述绝缘外鞘覆盖。
17、根据权利要求1-16中任一个的信号传输电缆,特征在于还包括覆盖所述高损耗磁膜的一个外层绝缘外鞘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东金,未经株式会社东金许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01116371.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:在无线通信服务网络中消息处理过程中的动态负载平衡
- 下一篇:柔性印刷基板





