[发明专利]平版印刷版原版有效
| 申请号: | 01109752.3 | 申请日: | 2001-04-06 |
| 公开(公告)号: | CN1317724A | 公开(公告)日: | 2001-10-17 |
| 发明(设计)人: | 堀田久 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京市专利事务所 | 代理人: | 陈英 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平版印刷 原版 | ||
本发明是关于平版印刷版原版,特别是关于根据光热变换,将激光的光变换成热、再利用产生的热进行记录的,设有热模式型感热记录层的平版印刷版原版。
近年来,伴随着成像技术的发展,受到人们观注的是利用缩成细小光束的激光在其版面上扫描,将文字原稿、图像原稿等直接形成在版面上,而不使用胶片原稿直接制版的技术。
作为这样的成像材料,可举出有以下两种平版印刷版,即,存在于感光层中的红外线吸收剂,发现具有光热转换作用,受曝光而发热,由该热可溶化感光层的曝光部分,形成阳性图像的所谓热型的阳性型平版印刷版,和由该热使游离基发生剂和酸发生剂产生游离基和酸,再由它们进行游离基聚合反应和酸交联反应,形成不溶化的阴性型图像的热型的阴性型平版印刷版。
在这种热型成像中,利用激光照射,由感光层中的光热转换物质产生热,再由该热引发成像反应,然而,粗面化的形成阳极氧化皮膜的的铝支撑体,与感光层比较,支撑体的热传导率极高,所以在感光层和支撑体界面附近产生的热,在成像中没有得到充分利用,而扩散到支撑体内部。其结果,在感光层和支撑体界面处,阳性型感光层的分解反应不充分,在原本的非图像部分上产生残膜,实际上是存在低感度的问题。
对于这种问题,为提高阳性型感光层支撑界面处的感光层显像性,就下涂层进行各种各样的研究,另一方面,就调整阴性型感光层进行了试验,通过后加热,使曝光部分强制性硬化,特别是表面层很容易硬化,但是任何一种方法和试验都没能达到充分满意的结果。
作为支撑体或中间层,经研究使用传热性低的有机材料,当将有机材料层形成支撑体时,虽然提高了隔热性,但关于和记录层的接合性和非图像部分的亲水性,仍存在难以达到实际应用的水平。
特别是,作为最近市场的动向,对于提高生产效率而缩短曝光时间,为延长激光器的寿命而使用低输出等提出强烈要求。要求一种平版印刷版原版可直接用激光进行制版,能将产生的热有效地用于成像反应,非图像部分对碱性显像液的溶解性优良,高感度化,和能抑制引起残膜的非图像部分污染。
本发明的目的是提供一种能利用红外线激光曝光书写的、高感度、而且能获得没有污染的高质量画面印刷物的热型平版印刷版原版。
本发明人为达到上述目的,经深入研究结果发现,在铝基体上形成低密度、隔热性高的无机皮膜,即可解决上述课题,并至此完成本发明。
本发明提供的平版印刷版原版,其特征在于:粗面化铝基体上形成无机氧化皮膜的支撑体上,设置利用红外线激光曝光可书写的记录层,所述无机氧化皮膜的密度为1000-3200kg/m3。
本发明提供的平版印刷版原版,特征是在粗面化铝基体上形成阳极氧化皮膜的支撑体上,设置可利用红外线激光曝光曝光书写的记录层,必须满足下述(ⅰ)或(ⅱ)中至少一个条件:
(ⅰ)上述阳极氧化皮膜的密度为1000-3200kg/m3;或
(ⅱ)以下述式定义的空隙率为20-70%,上述阳极氧化皮膜露出表面的微孔直径在15nm以下,而且,显像处理后的非图像部分的接触角在20度以下,
空隙率(%)=[1-(氧化皮膜密度/3.98)]×100
此处氧化皮膜密度(g/cm3)=每单位面积的氧化皮膜重量/氧化皮膜膜厚。
作为设在该平版印刷版原版上可用红外线激光书写的记录层有以下两种记录层,即,含有红外线吸收剂、利用热产生酸或游离基的化合物、及通过酸或游离基形成交联,引发聚合反应的化合物的阴性型记录层,或者,含有红外线吸收剂、及由热分解结合结构,在碱性水溶液等中形成可溶性的化合物的阳性型记录层。
本发明的作用虽然不明确,但可认为在铝(合金)基体上形成具有上述规定性质的无机皮膜(阳极氧化皮膜),内部具有大量空隙部分的皮膜起到了隔热层的作用,降低了感光层支撑体界面的热传递性,并提高了感度,仅对阳极氧化皮膜的表层部分进行封孔,而保留内部的空隙部分,实施这样的封孔处理可进一步提高感度。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





