[发明专利]电子发射器件和电子源及其成象装置和它们的制造方法无效
申请号: | 01101523.3 | 申请日: | 1996-03-13 |
公开(公告)号: | CN1312574A | 公开(公告)日: | 2001-09-12 |
发明(设计)人: | 河出一佐哲;山野边正人;山本敬介;浜元康弘;三留正则 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杨国旭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 发射 器件 及其 成象 装置 它们 制造 方法 | ||
1.一种制作包含多个电子发射器件的电子源的方法,包括:
(a)一个用于在基片上安置多个导电膜的步骤;
(b)一个用于以预定的间隔多次把电压施加到所述导电膜上的激励步骤,借此在所述导电膜中形成一个缝隙,其中
所述激励步骤是在一种含有活性物质的气氛中,或一种含有用于促进导电膜粘合的物质的气氛中,进行的;和
在所述激励步骤,在一个把电压加到所述导电膜之一上的间隔期间,把电压加到所述导电膜中的另一个膜上。
2.根据权利要求1的方法,其中:
所述电子源包括多个电子发射器件排,在这些排上连接多个所述电子发射器件;
所述激励步骤是按照各个所述电子发射器件排进行的;和
在把电压加到所述电子发射器件排中之一个排上的间隔期间,把电压加到所述电子发射器件排中之另一个排上。
3.根据权利要求1的方法,其中:
电压施加满足T2≥5×T1,
其中T1是把电压连续施加到所述导电膜上的时间周期,T2是施加电压的间隔。
4.根据权利要求1的方法,其中:
被加到所述导电膜上的电压具有逐渐增加的数值。
5.根据权利要求1的方法,其中:
被加到所述导电膜上的电压具有一个逐渐增加到预定值并且随后保持恒定的数值。
6.根据权利要求1的方法,其中:
被加到所述导电膜上的电压具有一个被维持于预定值并且随后逐渐增加的数值。
7.根据权利要求1的方法,其中:
所述物质选自H2,CO或其他有机物质之一。
8.根据权利要求1的方法,还包括一个在所述激励步骤之后的步骤,用于在一个包含缝隙的电子发射段安置碳、碳化合物、金属或金属化合物。
9.根据权利要求8的方法,其中:
用于在一个包含缝隙的电子发射段安置碳、碳化合物、金属或金属化合物的所述步骤,是一个用于在一个种含有有机物质的气氛中或一种含有金属化合物的气氛中激励所述的导电膜的步骤。
10.根据权利要求9的方法,其中:
在含有有机物质的气氛中或含有金属化合物的气氛中的所述激励,是通过重复地施加一个脉冲电压的方法进行的。
11.一种制造一个装有电子源和成象部件的成象装置的方法,其中根据权利要求10中限定的方法制造所述的电子源。
12.一种制造电子发射器件的方法,包括:
(a)一个用于在基片上安置一个导电膜的步骤;和
(b)一个用于在一种含有还原物质的气氛中,或一种含有用于促进导电膜粘合的物质的气氛中,把脉冲电压加到所述导电膜上的步骤,借此在所述导电膜中形成一个缝隙。
13.根据权利要求12的方法,其中:
所述物质是选自H2,CO,或有机物质的物质。
14.根据权利要求12或13的方法,其中:
所述脉冲电压是以预定的间隔施加多次的。
15.根据权利要求14的方法,其中:
所述脉冲电压满足T2≥5×T1,在此T1是脉宽,T2是间隔周期。
16.根据权利要求12或13的方法,其中:
施加到所述导电膜上的所述脉冲电压,具有逐渐增加的波高度。
17.根据权利要求12或13的方法,其中:
施加到所述导电膜上的所述脉冲电压,具有逐渐增加到预定值且随后维持恒定的波高度。
18.根据权利要求12或13的方法,其中:
施加到所述导电膜上的所述脉冲电压,具有被维持于预定值且随后逐渐增加的波高度。
19.根据权利要求12或13的方法,还包括一个用于在包含缝隙的电子发射段,安置碳、碳化合物、金属或金属化合物的步骤。
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