[发明专利]用于制造供智能卡用的模块的方法及所得到的模块

权利要求书

1.用于制造具有平贴接触或无接触的智能卡品种的存储媒体的方法，它包含携带金属化格栅7的支承膜的微模块，以及被安排在附着区域中并被连接到该金属化格栅7的集成电路芯片9，该方法的特征在于它包括按任何顺序的步骤，要点是：

-在微模块的支承膜1上生成金属化格栅7，以及

-使支承膜1变形以使至少该附着区域相对于该金属化格栅面处于较低的平面。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于它还包括在卷盘上和/或在直线中制作芯片卡的后续步骤。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于金属化格栅是由非电解方法生成的。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于它包括借助附加的方法，借助丝网印刷、墨滚印刷、胶印、喷墨、使用可弯曲胶版印刷、描图工具或任何类似的技术，以按照对应于该金属化格栅表面预定的图案沉积至少一个金属化接触剂的方式，沉积金属化格栅接触剂，随后在接触剂出现的区域上，由该接触剂所催化的至少一种适当的金属，例如Cu、Ni和/或Au，的非电解定位。

5.根据权利要求4的方法，其特征在于金属化的接触剂从被以钯为基的用于聚合物基片金属化的催化材料中选定。

6.根据权利要求4的方法，其特征在于金属化接触剂主要由诸如聚氨酯的膜成形剂、使具有适当表面活性的添加剂，诸如聚酯，聚酰胺和/或聚噁唑烷酮、离子的和/或胶状的贵金属，或它与有机配合基(ligand)的共价的或络合的化合物、特别是Cu、Au、Ag、Pt、Pd或Ru的络合物或无机盐、有机和/或无机的填充剂以及有机溶剂组成。

7.根据权利要求4的方法，其特征在于它包括该接触剂的活化作用，特别是在紫外(UV)辐射下曝晒以及干燥。

8.根据权利要求4的方法，其特征在于它包含窄条连续地、顺序地或不连续地直接或随后浸入为金属化所选定的金属，例如Cu，Ni和/或Au，的盐浴6中。

9.根据权利要求4的方法，其特征在于它还包括在支承膜承受上述金属化的相同区域上金属，例如Cu、Ni、Au或Pd，的附加层的电解沉积的后续步骤。

10.根据权利要求3的方法，其特征在于它包括至少一种适当的金属，例如Cu，的非电解沉积，并且通过根据对应于该金属化格栅图象的相减方法，特别是通过光刻法，按照预定的图案生成敷镀金属。

11.根据权利要求3的方法，其特征在于首先对待处理的聚合物基片，包含上述电介质支承膜，施加至少一种金属，诸如Cu、Ni或Au，的薄层，最好借助真空沉积技术。

12.根据权利要求1或2之一的方法，其特征在于机械切割的金属格栅被层压在支承膜上。

13.根据权利要求10的方法，其特征在于光刻法本身包括步骤：

-在上述金属上沉积一层光敏树脂，

-通过掩膜或薄膜曝晒，

-树脂的显影，

-在未被树脂保护区域内材料的化学蚀刻，以及

-除去光敏树脂。

14.根据权利要求10的方法，其特征在于，或是在光刻完成之前或是在其后，金属涂层的电解沉积被实现，特别是Ni+Au，Ni+Pd和/或Ni+Pd+平贴Au的涂层，其中“平贴Au”表示金属Au薄的沉积。

15.根据权利要求1到14的任何一个的方法，其特征在于它还包括以下步骤，要点是：在电介质支承膜变形以前固定并连接芯片，以及随后通过用具有凹口的冲压机将支承膜压入卡体中的空腔内使支承膜变形。

16.根据权利要求13的方法，其特征在于它包含要点是在支承膜变形后连接芯片的步骤。

17.根据权利要求16的方法，其特征在于借助冲压机支承膜被压入并固定在卡体中预先形成的凹槽或空腔中，随后在薄膜被固定在凹槽中的同时芯片被连接。

18.根据权利要求16的方法，其特征在于，为了使膜变形，它被放置在适宜的被紧压住内壁的模具的模槽内，并且在材料被引入空腔之后，借助顶着冲压机8的材料压力或冲压机的移动使支承膜变形，冲压机具有与待成形的凹口形状互补的形状。