[发明专利]液晶装置

权利要求书

1.一种液晶装置，其中，在基板上将多条扫描信号线和图像信号线正交配置，还在扫描信号线和图像信号线围成的一个区域内有作为开关元件的薄膜晶体管，用来控制与该区域相应的半导体层上光的透过状态，还应用了构图技术形成两条信号线和薄膜晶体管，其特征在于：

在上述相邻的两条图像信号线之间所在的两个薄膜晶体管的各自的源电极被连接到互不相同的图像信号线上，

此外，他们的栅电极、源电极、漏电极在应用构图技术形成各自的电极图形时，即使产生定位对准偏差，在栅电极和漏电极之间的电容与栅电极和源电极之间的电容中至少一方也是恒定的或两个晶体管之间有同样变化的形状和结构的定位对准偏差的对应型的电极。

2.一种液晶装置，其中，在基板上将多条扫描信号线和图像信号线正交配置，还在扫描信号线和图像信号线围成的一个区域内有作为开关元件的薄膜晶体管，用来控制与该区域相应的半导体层上光的透过状态，还应用了构图技术形成两条信号线和薄膜晶体管，其特征在于：

在上述相邻的两条扫描信号线之间所在的两个薄膜晶体管的各自的栅电极分别连接到互不相同的扫描信号线上，

此外，它们的栅电极、源电极、漏电极在应用构图技术形成各自的电极图形时，即使产生定位对准偏差，在栅电极和漏电极之间的电容与栅电极和源电极之间的电容中至少一方也是恒定的或两个晶体管之间有同样变化的形状和结构的定位对准偏差的对应型的电极。

3.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：

上述两个薄膜晶体管是重叠面积的补偿型薄膜晶体管，它们是这样形成的：作为对因定位对准偏差造成的栅电极和漏电极之间的电容、栅电极和源电极之间的电容中至少一方的变化的补偿手段，对定位对准偏差所致的、栅电极与漏电极、栅电极与源电极中至少一方的重叠面积的变化为恒定或相同。

4.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于：

上述两个薄膜晶体管是重叠面积的补偿型薄膜晶体管，它们是这样形成的：作为对因定位对准偏差造成的栅电极和漏电极之间的电容、栅电极和源电极之间的电容中至少一方的变化的补偿手段，对定位对准偏差所致的、栅电极与漏电极、栅电极与源电极中至少一方的重叠面积的变化为恒定或相同。

5.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：

上述两个薄膜晶体管是重叠面积的补偿型薄膜晶体管，它们是这样形成的：作为对因定位对准偏差造成的栅电极和漏电极之间的电容、栅电极和源电极之间的电容中至少一方的变化的补偿手段，对定位对准偏差所致的半导体层与漏电极、半导体层与源电极中至少一方的重叠面积的变化为恒定或相同。

6.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于：

上述两个薄膜晶体管是重叠面积的补偿型薄膜晶体管，它们是这样形成的：作为对因定位对准偏差造成的栅电极和漏电极之间的电容、栅电极和源电极之间的电容中至少一方的变化的补偿手段，对定位对准偏差所致的半导体层与漏电极、半导体层与源电极中至少一方的重叠面积的变化为恒定或相同。

7.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：

上述两个薄膜晶体管是重叠面积的补偿型薄膜晶体管，它们是这样形成的：作为对因定位对准偏差造成的栅电极和漏电极之间的电容、栅电极和源电极之间的电容中至少一方的变化的补偿手段，对定位对准偏差所致的沟道保护膜与漏电极、沟道保护膜与源电极中至少一方的重叠面积的变化为恒定或相同。

8.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于：

上述两个薄膜晶体管是重叠面积的补偿型薄膜晶体管，它们是这样形成的：作为对因定位对准偏差造成的栅电极和漏电极之间的电容、栅电极和源电极之间的电容中至少一方的变化的补偿手段，对定位对准偏差所致的沟道保护膜与漏电极、沟道保护膜与源电极中至少一方的重叠面积的变化为恒定或相同。

9.如权利要求1、3、5或7所述的液晶装置，其特征在于：

上述两个薄膜晶体管被配置成：当与第1薄膜晶体管的第1图像信号线连接的源电极记为S1，漏电极记为D1，与第2薄膜晶体管的第2图像信号线连接的源电极记为S2，漏电极记为D2时，这四个电极沿上述图像信号线的方向按S1、D1、S2、D2或D1、S1、D2、S2的顺序排列。