[发明专利]等离子体显示屏或PALC显示屏和用于制造包括介电层的所述显示屏的方法

说明书

本发明涉及包括用于使电极和放电室隔开的介电层的等离子体显示装置。本发明还涉及用于制造包括用于使电极和放电室隔开的介电层的等离子体显示装置的方法。

等离子体显示装置可以用于所谓的PDP(等离子体显示屏)和PALC-LCD装置中。

由EP0784333可知一种包括用于使电极和放电室隔开的介电层的等离子体显示屏(PDP)。一般地说，介电层通过涂敷第一玻璃膏并将其加热到高温(一般为580℃)从而形成透明的玻璃层制成。不过，将温度升高到这样一个高的值，要求等离子体显示屏的其它部分也使用能够承受这样高的温度的玻璃(特别是显示屏的前后底板)。一般的浮化玻璃具有大大低于指示温度的应变点。一般地说，一直尝试通过使用特殊的玻璃制造其它部分，或者通过使用非常慢的升温和降温工艺解决这些问题，这大大增加了制造成本和制造方法的复杂性。

为了至少部分地解决这些问题，在EP784333中一种使用包括金属醇盐的凝胶。在一个例子中(栏16)，通过利用刮刀在表面上涂敷含有Si(OC₄H₉)₄的n-丁醇而形成介电层，然后加热到100-400℃的温度，从而提供包括含有氧化硅的介电层的显示装置。

虽然已知的装置和方法解决了一些问题，然而仍然存在其它问题。

在形成介电层之后，介电层本身经常出现裂纹。这种裂纹经常引起击穿(即在放电电流直接通过电极的期间)。这种闪络可以破坏电极或介电层，因而大大减少PDP的寿命。裂缝还对PDP的光学性能有不利影响，因为光可能不规则地被所述裂缝反射。此外，在介电层中可能发生针孔，其也具有类似的影响。在EP784333中，介电层的厚度是0.003-0.01mm(3-10微米)。增加介电层的厚度会减少针孔的发生，但是，正如本发明人发现的，这也增加了裂缝的发生。

本发明的目的在于，提供一种等离子体显示装置，和用于制造等离子体显示装置的方法，其中一个或几个上述问题被减少并且最好被减到最小。

本发明的另一个目的在于在显示装置的使用寿命期间维持高的光输出。

为实现本发明的目的，按照本发明的显示装置的特征在于，所述介电层包括氧化硅基体，其中具有烷基族。

在按照本发明的等离子体显示装置中，所述介电层包括烷基族。这些烷基族可以减少裂缝的形成，从而减少击穿的发生。其可能的理论解释是，通过硅和氧原子的互连而形成的基体内的烷基族使介电层具有更好的机械柔性。因此可以使得由于介电层和其下方的底板之间的热膨胀的不同而产生的副作用被较好地弥补。除去减少击穿的发生之外，还能够使得形成厚度大于10微米的介电层，最好厚度大于15微米。厚度的增加可以减少针孔的发生。

最好是介电层包括一个以上的子层。通过设置一个以上的子层减少针孔的发生。在第一子层中的任何针孔最好被第二子层填充，以便除去针孔，从而减少击穿的危险。

按照本发明的方法的特征在于，前体层被施加于包括电极的底板上，所述前体层包括金属醇盐，其中包括和金属原子结合的烷基族，并且所述前体层随后被转换成介电层。

在转换期间，烷氧基(-Oalkyl)相互发生反应而形成金属原子-O网络。不过烷基族不参加这些反应，因而使介电层更能抵抗裂缝的形成，因而使得能够提供厚度大于10微米的层。

最好是金属醇盐包括单个烷基族，此外，金属原子被烷基族包围着。一般最好具有高的介电常数。介电层的介电常数和烷基族的数量有关，并且一般由于存在一个以上的族而减少。最好烷基族是乙烷基族，或甲基族(最好是甲基族)。烷基族越大，介电常数被减少越多，并且烷基族越难被容纳于基体中。在一个例子中，使用二甲基二甲氧硅烷和甲基三甲氧硅烷(DMDMS)的混合物，该例子表明对于这种混合物的最大厚度(在裂缝发生之前)和只使用MTMS相比被减少。所述的金属例如可以是铝，硅(由于硅的光学性能和介电性能，最好使用硅)，或硼，或任何金属醇盐的混合物，只要其构成成分包括烷基族即可。

为了保护介电层免受来自放电室的UV辐射而变劣，最好在介电层和放电室之间设置吸收UV辐射的保护层(例如ZrO₂层)。

本发明的这些和其它目的通过参照附图说明的本发明的实施例将会看得更加清楚，其中：

图1A和图1B分别是等离子体显示装置和PDP装置的局部切开的截面图；

图2示意地表示PALC-LCD装置的截面图。

所述附图没有按照比例绘制。在附图中，相同的标号表示相同的部件。所示的例子表示AC型的显示装置。