[发明专利]等离子体显示屏或PALC显示屏和用于制造包括介电层的所述显示屏的方法无效
| 申请号： | 00804054.0 | 申请日： | 2000-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1341270A | 公开（公告）日： | 2002-03-20 |
| 发明（设计）人： | J·M·M·布斯奥;S·T·德茨瓦特;H·A·M·范哈尔 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J17/48 | 分类号： | H01J17/48;H01J17/49;H01J9/02;C03C17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 显示屏 palc 用于 制造 包括 介电层 方法 | ||
1一种等离子体显示装置，包括介电层(5，9，28)，用于使电极(2，4，3，8，25，24)和放电室(11，22)分开，其特征在于，所述介电层(5，9，28)包括透明金属氧化物基体，其中具有烷基族。
2如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，所述介电层(5，9，28)的厚度10微米。
如权利要求2所述的等离子体显示装置，其特征在于，所述介电层(5，9，28)的厚度15微米。
3如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，所述介电层一个以上的子层。
4如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，所述透明金属氧化物是硅的氧化物。
5如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，所述烷基族是甲基或乙基。
6如权利要求6所述的等离子体显示装置，其特征在于，所述烷基族是甲基。
7如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于，在所述介电层(5，9，2，8)和放电室(11，22)之间具有吸收波长大于等于175nm的层。
8如权利要求7所述的等离子体显示装置，其特征在于，所述吸收层(33)包括镐的氧化物。
9一种用于制造包括电极(2，3，4，8，24，25)和放电室(11，12)的等离子体显示装置的方法，在所述装置中，在电极和放电室之间提供有介电层(5，9，28)，其特征在于，对包括电极的底板(1，7，23)施加前体层，所述前体层包括金属醇盐，其和金属原子结合，烷基族和烷氧基族，并且所述前体层然后被转换成介电层。
10如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述烷基族是甲基或乙基。
11如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述前体层利用浸渍涂敷形成，最好是一层以上。
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