[发明专利]受光器件阵列和使用该阵列的光分波器

权利要求书

1.一种受光器件阵列，其从波分复用的光中分离每一个波长，接受排列成直线状的分波光，其特征是具备：

多个信号监视用的受光器件，和

多个噪声监视用的受光器件，

上述信号监视用受光器件和上述噪声监视用受光器件，在与上述分波光的排列方向相同的方向上，以直线状交互地排列。

2.权利要求1所述的受光器件阵列，其特征是：上述信号监视用受光器件和上述噪声监视用受光器件由pin光电二极管构成。

3.一种光分波器，其特征是：具备从波分复用的光中分离每一个波长，接受排列成直线状的分波光的如权利要求1或2所述的受光器件阵列，并

用上述受光器件阵列，对每一个分波光分离并监视信号和噪声。

4.一种受光器件阵列，其从波分复用的光中分离每一个波长，接受排列成直线状的分波光，其特征是具备：

由以规定的节距，在与上述分波光的排列方向相同的方向上排列的多个受光器件阵构成的第1受光器件列，和

由以与上述规定的节距相同的节距，在与上述分波光的排列方向相同的方向上排列的多个受光器件阵构成的第2受光器件列，

上述第1受光器件列和上述第2受光器件列，以在排列方向上错开半个节距的方式进行配置。

5.权利要求4所述的受光器件阵列，其特征是：上述受光器件由pin光电二极管构成。

6.一种光分波器，其特征是：具备从波分复用的光中分离每一个波长，接受排列成直线状的分波光的如权利要求4或5所述的受光器件阵列，并

用上述受光器件阵列，监视分波光。

7.一种受光器件阵列与分波光之间的位置对准方法，其特征是：在具备从波分复用化的光中分离每一个波长，接受排列成直线状的分波光的如权利要求4或5所述的受光器件阵列，并用上述受光器件阵列监视分波光的光分波器中，

用在与上述第1和第2受光器件列的受光器件的排列方向垂直的方向上彼此相邻的3个受光器件的输出信号，进行受光器件与分波光之间的位置对准。

8.一种受光器件阵列，从波分复用化的光中分离每一个波长，接受排列成直线状的分波光，其特征是具备：

多个信号监视用的受光器件，和

多个电极间短路受光器件，

上述信号监视用的受光器件和上述电极间短路受光器件，在与上述分波光的排列方向相同的方向上，以直线状交互地排列。

9.权利要求8所述的受光器件阵列，其特征是：上述信号监视用的受光器件和上述电极间短路受光器件由pin光电二极管构成。

10.权利要求9所述的受光器件阵列，其特征是：

上述pin光电二极管具备：

在n型半导体层衬底上叠层的n型半导体层、i型半导体层、n型半导体层，

通过向作为最上层的n型半导体层中部分地扩散作为p型的材料而形成的p型区域层，

在所形成的p型区域层的上设置的p型电极，以及

在上述n型半导体衬底的背面上设置的共通的n型电极。

11.权利要求9所述的受光器件阵列，其特征是：

上述pin光电二极管，

具备在n型半导体层衬底上叠层的n型半导体层、i型半导体层、p型半导体层，上述p型半导体层和i型半导体层，用相邻的p型半导体层和i型半导体层和隔离沟进行分离，

具备在上述p型半导体层上设置的p型电极，和在上述n型半导体衬底的背面上设置的共通的n型电极。

12.权利要求10或11所述的受光器件阵列，其特征是：上述电极间短路受光器件，其p型电极短路到上述共通的n型电极上。

13.权利要求10或11所述的受光器件阵列，其特征是：上述电极间短路受光器件，其p型电极连接到一条共通金属布线上，该共通金属布线短路到上述共通的n型电极上。

14.权利要求8或9所述的受光器件阵列，其特征是：上述电极间短路受光器件阵列的器件面积比相邻的信号监视用受光器件的器件面积小。

15.权利要求8或9所述的受光器件阵列，其特征是：在上述电极间短路受光器件的受光面上设有遮光膜。

16.一种光分波器，其特征是：具备从波分复用的光中分离每一个波长，接受排列成直线状的分波光的权利要求8或9所述的受光器件阵列，并

用上述受光器件阵列监视分波光。