[发明专利]发射器及其制造方法和冷电子发射器件的制造方法

权利要求书

1．一种发射器，其特征是采用下述办法形成：

对于在基板上边沿着同一晶轴生长了柱状晶粒的柱状多晶膜实施刻蚀。

2．一种发射器，其特征是采用下述办法形成：

在基板上边形成了沿着同一晶轴生长了柱状晶粒的柱状多晶膜之后，在上述柱状多晶膜上边使第1绝缘膜图形化，

用上述已图形化的第1绝缘膜，对上述柱状多晶膜实施刻蚀。

3．一种发射器，其特征是采用下述办法形成：

在基板上边形成第2绝缘膜，在上述第2绝缘膜上边形成了沿着同一晶轴生长有柱状晶粒的柱状多晶膜之后，在上述柱状多晶膜上边使第1绝缘膜图形化，

用上述已图形化的第1绝缘膜，对上述柱状多晶膜实施刻蚀。

4．权利要求1到3中的任何一项权利要求所述的发射器，其特征是：

构成上述柱状多晶膜的柱状晶粒，对于基板面来说结晶方位和结晶面在某一恒定方向上整齐划一。

5．权利要求1到4中的任何一项权利要求所述的发射器，其特征是：上述柱状多晶膜至少含有硅。

6．权利要求1到5中的任何一项权利要求所述的发射器，其特征是：上述柱状多晶膜的配向面为{110}。

7．权利要求1到5中的任何一项权利要求所述的发射器，其特征是：上述柱状多晶膜的配向面为{100}。

8．权利要求1到7中的任何一项权利要求所述的发射器，其特征是：采用对上述柱状多晶膜实施刻蚀的办法形成的发射器顶端的曲率半径在50nm以下。

9．权利要求1到8中的任何一项权利要求所述的发射器，其特征是：构成上述柱状多晶膜的柱状晶粒，该柱状晶粒的短的一方的粒径，至少在100nm以上。

10．权利要求9所述的发射器，其特征是：上述柱状晶粒与基板所构成的角度在83度以上。

11．权利要求3所述的发射器，其特征是：上述第2绝缘膜至少含有氧或氮。

12．权利要求2或3所述的发射器，其特征是：上述图形化的第1绝缘膜是圆形形状。

13．权利要求2或3所述的发射器，其特征是：上述图形化的第1绝缘膜是多角形形状。

14．一种发射器的制造方法，其特征是具有下述工序：

在基板上边沿着同一晶轴生长柱状晶粒形成柱状多晶膜的工序；

对上述柱状多晶膜实施刻蚀的工序。

15．一种发射器的制造方法，其特征是具有下述工序：

在基板上边沿着同一晶轴生长柱状晶粒形成柱状多晶膜的工序；

在上述柱状多晶膜上边使第1绝缘膜图形化的工序；

用上述图形化的第1绝缘膜对上述柱状多晶膜实施刻蚀的工序。

16．一种发射器的制造方法，其特征是具有下述工序：

在基板上边形成第2绝缘膜的工序；

在上述第2绝缘膜上边形成沿着同一晶轴生长有柱状晶粒的柱状多晶膜的工序；

在上述柱状多晶膜上边使第1绝缘膜图形化的工序；

用上述图形化的第1绝缘膜对上述柱状多晶膜实施刻蚀的工序。

17．权利要求14到16中的任何一项权利要求所述的发射器的制造方法，其特征是：构成上述柱状多晶膜的柱状晶粒，对于基板面来说结晶方位和结晶面在某一恒定方向上整齐划一。

18．权利要求14到17中的任何一项权利要求所述的发射器的制造方法，其特征是：上述柱状多晶膜至少含有硅。

19．权利要求14到18中的任何一项权利要求所述的发射器的制造方法，其特征是：上述柱状多晶膜的配向面为{110}。

20．权利要求14到18中的任何一项权利要求所述的发射器的制造方法，其特征是：上述柱状多晶膜的配向面为{100}。

21．权利要求14到20中的任何一项权利要求所述的发射器的制造方法，其特征是：对上述柱状多晶膜实施刻蚀，使得所形成的发射器顶端的曲率半径在50nm以下。