[实用新型]一种金属薄膜磁敏电阻无效
申请号: | 00232807.0 | 申请日: | 2000-04-30 |
公开(公告)号: | CN2446664Y | 公开(公告)日: | 2001-09-05 |
发明(设计)人: | 孟庆波 | 申请(专利权)人: | 孟庆波 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08 |
代理公司: | 汕头专利事务所 | 代理人: | 丁楚浩,王少明 |
地址: | 515041 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 薄膜 电阻 | ||
【权利要求书】:
1、一种金属薄膜磁敏电阻,包含安装于壳体内部的芯片,该芯片有衬底、附着于衬底上的金属薄膜条和连接该金属薄膜条引出端的电极,其特征在于,所述衬底有两个相互垂直配置的相同迂回状凹槽,所述金属薄膜条位于该凹槽中,金属薄膜条上面有二氧化硅密封层。
2.根据权利要求1所述的金属薄膜磁敏电阻,其特征在于所述芯片衬底的凹槽底部有二氧化硅垫底层。
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