[发明专利]用于抗反射涂层的有机聚合物和其制备方法无效
申请号: | 00131746.6 | 申请日: | 2000-09-07 |
公开(公告)号: | CN1288902A | 公开(公告)日: | 2001-03-28 |
发明(设计)人: | 郑载昌;孔根圭;郑旼镐;洪圣恩;李根守;白基镐 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
主分类号: | C08F20/00 | 分类号: | C08F20/00;G03F7/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 反射 涂层 有机 聚合物 制备 方法 | ||
1.一种如下化学通式11的表示的化合物:式11
其中:
a和b分别为摩尔数,其满足条件:比例a∶b为0.1-1.0∶0.1-1.0;
R′为氢或甲基;
R1和R2为相同或不同的,各自表示含1-5个碳原子的取代或未取代的线性或支化烷基;和
R3为氢或含1-5个碳原子的取代或未取代的线性或支化烷基。
2.如权利要求1所述的化合物,其中R′和R3分别为氢原子,R1和R2为相同或不同的,各自表示甲基或乙基,得到下面化学通式2或3:
式2式3
3.如权利要求1的化合物,其中化合物具有分子量4,000-12,000。
4.一种制备通式11的化合物的方法,包括如下步骤:
将构成化学通式11的化合物的单体溶于有机溶剂中;和
使所得溶液在聚合引发剂存在下在氮气或氩气气氛中反应。
5.如权利要求4所述的方法,其中单体分别为下面化学通式1表示的化合物和化学通式2表示的化合物:
式1
式2
6.如权利要求4的方法,其中溶剂选自四氢呋喃、甲苯、苯、甲基乙基酮、二噁烷和其混合物。
7.如权利要求4的方法,其中聚合引发剂选自2,2-偶氮二异丁腈(AIBN)、过氧化苯甲酰、过氧化乙酰、过氧化月桂酰、叔丁基过氧化物和其混合物。
8.一种有机抗反射薄膜组合物,包括一种含化学通式11的化合物和如下化学通式12的化合物:
式12
其中:c为1;
R″为氢或甲基;
R1为含1-5个碳原子的取代或未取代的线性或支化烷基。
9.如权利要求8的方法,其中R4为乙基或丙基,得到如下化学通式5或6:式5式6
10.一种有机抗反射薄膜组合物,包括化学通式11的一种化合物、通式12的一种化合物、一种有机溶剂和一种热酸生成剂。
11.如权利要求10的有机抗反射薄膜组合物,其中有机溶剂选自3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、2-庚酮、四氢呋喃和其混合物。
12.如权利要求10或11的有机抗反射薄膜组合物,其中,基于化学通式11或12的化合物重量,有机溶剂的用量优选为2,000至4,000wt%。
13.如权利要求10的有机抗反射薄膜组合物,其中热酸生成剂为选自如下化学通式7至10的化合物和其混合物:
式7
式8
14.如权利要求10或13的有机抗反射组合物,其中,基于通式11和12的化合物的总量,热酸生成剂的用量为0.1-10wt%。
15.一种用有机抗反射薄膜组合物形成有机反射薄膜图形的方法,该方法包括如下步骤:
将有机抗反射薄膜组合物涂于要进行刻蚀的层上;
烘烤该有机抗反射薄膜组合物涂布的层;
通过将光刻胶膜涂于有机抗反射薄膜上,将该光刻胶薄膜暴露于光源下并使曝光的光刻胶薄膜显影;
将有机抗反射薄膜和要刻蚀的层顺序刻蚀,其中光刻胶图形起到刻蚀掩蔽的作用。
16.如权利要求15的方法,其中烘烤步骤在100-250℃下进行1-5分钟。
17.如权利要求15的方法,其中还包括在曝光步骤之前和/或之后的烘烤步骤。
18.如权利要求16的方法,其中烘烤步骤在70-200℃下进行。
19.如权利要求15或17的方法,其中曝光步骤在选自包括ArF、KrF和ELV的远紫外光束,电子束、X-射线、离子束和其组合的光源下进行。
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