[发明专利]新型集成光路结构光谱仪及其集成光路组件的制备方法无效
申请号: | 00105125.3 | 申请日: | 2000-03-29 |
公开(公告)号: | CN1315656A | 公开(公告)日: | 2001-10-03 |
发明(设计)人: | 高福斌;张平;刑汝冰;金锋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | G01N21/47 | 分类号: | G01N21/47 |
代理公司: | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 集成 结构 光谱仪 及其 组件 制备 方法 | ||
1、一种新型集成光路结构光谱仪及其集成光路组件的制备方法,它包括:光源1、聚焦透镜2、3、光谱信号处理系统4,其特征在于:集成光路组件包含硅基片5、样品窗口6、光波导薄膜7、棱镜8、9和光波导衬底10,硅基片5与光波导薄膜7的上表面固定接触,在硅基片5中部开有样品窗口6,棱镜8、9底面与光波导薄膜7的下表面固定接触,光波导衬底10的上表面与光波导薄膜7的下表面固定接触、光波导衬底10的两端分别与棱镜8、9的侧面固定接触。
2、根据权利要求1所述的集成光路组件的制备方法,其特征在于:制备工艺方法步骤如下:
(1)对双面抛光硅基片5进行高温湿氧氧化,生长二氧化硅掩膜;
(2)用正性光刻胶在二氧化硅掩膜表面光刻出样品窗口图形;
(3)用化学腐蚀剂将暴露于表面的二氧化硅掩膜腐蚀掉,保留的二氧化硅掩膜做为样品窗口的掩膜;
(4)去掉光刻胶并将硅基片5倒置;
(5)在硅基片5上表面采用射频磁控反应溅射方法沉积五氧化二钽或氮氧硅光波导薄膜;
(6)用光学胶将输入棱镜8、输出棱镜9粘接于光波导薄膜上表面;
(7)在棱镜8、9之间注入环氧树脂胶,经过固化形成光波导衬底10;
(8)用硅腐蚀液在硅基片5上腐蚀出样品窗口6;
(9)将组件倒置既完成光谱仪集成光路组件的制备。
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