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[发明专利]一种预测多孔SiCO陶瓷气敏性能模拟方法-CN201810915551.9有效
发明人：廖宁波 -专利权人：温州大学
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种预测多孔SiCO陶瓷气敏性能模拟方法，按下述步骤进行：①基于模拟退火法建立非晶态的SiCO结构初始模型；②基于腐蚀模拟法建立多孔SiCO结构模型；③基于气体分子嵌入法，将不同的气体分子附着在多孔SiCO结构的表面,形成吸附气体分子的多孔SiCO结构模型；④通过对吸附气体分子的多孔SiCO结构模型的性能参数进行预测多孔SiCO结构模型的气体感应特性。
一种预测多孔 sico 陶瓷性能模拟方法

[发明专利]一种预测SiCO负极材料性能模拟方法-CN201510571341.9有效
发明人：廖宁波 -专利权人：温州大学
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种预测SiCO负极材料性能模拟方法，其特征在于，按下述步骤进行①基于原子替换法建立低碳含量SiCO结构初始模型；②基于模拟退火法建立含有自由碳的高碳含量SiCO结构初始模型；③确定SiCO与锂的原子比例进行嵌锂；④对嵌锂后的SiCO结构进行电化学性能计算。
一种预测 sico 负极材料性能模拟方法

[发明专利]一种SiCO包覆Si制备的SiCO-Si微球及其制备方法-CN202011325581.8在审
发明人：温广武;杨国威;王桢 -专利权人：山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiCO包覆Si制备的SiCO‑Si微球及其制备方法。所述方法采用SiCO先驱体通过乳液热固法将纳米Si粉包覆成球，并经过固化和陶瓷化步骤，最终制备了SiCO‑Si微球。这种方法制备的SiCO‑Si微球可应用于硅负极材料提高材料的导电性，降低体积效应，提高循环性能。所制备的SiCO‑Si微球具有球形度好，成分易调节，均一性高的优点，成球工艺具有工艺简便，操作性强，生产周期短等优点，具有规模化生产与商业化应用的潜力。
一种 sico si 制备及其方法

[发明专利]用于提供低k间隔物的方法-CN202310671148.7在审
发明人：斯特拉福德·艾伦·维尔德-罗谢洛;布莱恩·泰西耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在特征的侧面上形成SiCO间隔物。在所述SiCO间隔物的第一部分上形成保护性覆盖物，其中所述SiCO间隔物的所述侧壁的第二部分未被所述保护性覆盖物覆盖。对所述SiCO间隔物的未被所述保护性覆盖物覆盖的所述第二部分提供转变工艺，这改变了所述SiCO间隔物的未被所述保护性覆盖物覆盖的所述第二部分的物理性质，其中所述保护性覆盖物保护所述SiCO间隔物的所述第一部分不受所述转变工艺的影响
用于提供间隔方法

[发明专利]用于提供低k间隔物的方法-CN201780077978.X有效
发明人：斯特拉特福德·A·维尔德;布莱恩·泰西耶 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在特征的侧面上形成SiCO间隔物。在所述SiCO间隔物的第一部分上形成保护性覆盖物，其中所述SiCO间隔物的所述侧壁的第二部分未被所述保护性覆盖物覆盖。对所述SiCO间隔物的未被所述保护性覆盖物覆盖的所述第二部分提供转变工艺，这改变了所述SiCO间隔物的未被所述保护性覆盖物覆盖的所述第二部分的物理性质，其中所述保护性覆盖物保护所述SiCO间隔物的所述第一部分不受所述转变工艺的影响
用于提供间隔方法

[发明专利]一种多孔结构SiCO基锂电极-CN201710887625.8在审
发明人：廖宁波 -专利权人：温州大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔结构SiCO基锂电极，包括单晶硅基板，单晶硅基板上自下而上依次设有TiN阻挡层、Al薄膜层、SiAlCO薄膜层、SiBCO薄膜层和SiCO薄膜层。本发明通过将TiN阻挡层、Al薄膜层、SiAlCO薄膜层、SiBCO薄膜层和SiCO薄膜层形成复合薄膜层置于单晶硅基板形成电极，不仅提高了SiCO的锂容量，还可以大大缓解电极材料在充放电时的产生体积膨胀，并控制容量衰减，从而解决SiCO电极循环稳定性差的不足。
一种多孔结构 sico 电极

[发明专利]制备涂覆的玻璃基材的方法-CN201980070985.6在审
发明人： D·雷兹贝克;P·A·斯金纳;H-E·雷特尔;M·J·格莱恩;D·里默;K·D·桑德森 -专利权人：皮尔金顿集团有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：用于制备涂覆的玻璃基材的化学气相沉积方法，所述方法包括按顺序的至少以下步骤：a)提供具有表面的玻璃基材，b)在玻璃基材的表面上沉积基于SiCO和/或SiNO的层，c)将基于SiCO和/或SiNO的层暴露于包含水的气态混合物(i)，和d)随后在基于SiCO和/或SiNO的层上方沉积基于TCO的层。
制备玻璃基材方法

[发明专利]一种多孔SiCO基一氧化氮传感器-CN201710052298.4有效
发明人：廖宁波;郭志;张淼 -专利权人：温州大学
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔SiCO基一氧化氮传感器，包括单晶硅基板，单晶硅基板上依次设有SiO₂薄膜层、SiBCO薄膜层和SiCO薄膜层，SiCO薄膜层上经SiAlCO薄膜层设有电极。本发明是通过气敏特性和力学性质的梯度设计，提出一种具有优异力学可靠性的多层气敏薄膜体系；采用磁控溅射方法制备薄膜体系具有附着性好、成本低、成份可控和低温等优点，而化学腐蚀法制备SiCO表面多孔结构具有过程简单快捷
一种多孔 sico 一氧化氮传感器

[发明专利]一种锂电池SiCO‑Si梯度薄膜电极体系及制备方法-CN201510469376.1有效
发明人：廖宁波;薛伟 -专利权人：温州大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电池SiCO‑Si梯度薄膜电极体系，包括单晶硅基板，单晶硅基板上自下而上依次设有TiN阻挡层、Al薄膜层、SiAlCO薄膜层、SiCO薄膜层、SiO1/3薄膜层和Si薄膜层。本发明通过将SiCO和硅这两种极具潜力的负极材料相结合，通过比容量和力学性质的梯度设计，综合体现出材料各自的优点并相互弥补不足。采用磁控溅射方法和硅、铝、石墨等靶材制备薄膜体系，具有附着性好、成本低、成份可控和低温等优点；还通过对SiCO表面进行纳米化处理，进一步加强了锂扩散和界面结合强度，最终得到具有优异电化学特性和界面力学性能的新型薄膜电极体系，且化学腐蚀法制备SiCO纳米表面具有过程简单快捷、无需贵重仪器、原料丰富廉价、纳米形貌可控等优点。
一种锂电池 sico si 梯度薄膜电极体系制备方法

[发明专利]一种SiCO陶瓷纳米球的制备方法-CN201310058172.X有效
发明人：余煜玺;王晗 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：一种SiCO陶瓷纳米球的制备方法，涉及一种陶瓷纳米球。提供操作方便、简单，效率较高，所制备的产物粒径分布均匀的一种SiCO陶瓷纳米球的制备方法。再溶解在四氢呋喃溶液中，然后依次加入聚乙烯基硅氮烷和氯仿，得混合溶液；将混合溶液倒在聚四氟乙烯盘上，在烘箱中保温，交联后脱膜，得淡黄色透明薄膜；将得到的淡黄色透明薄膜在惰性气氛中热解，在薄膜表面获得粒径均匀的SiCO制备过程简单，可以高效地制备SiCO纳米球，解决了在工艺上制备的复杂性、不易控制等缺点。
一种 sico 陶瓷纳米制备方法

[发明专利]一种多孔SiCO-MoO3高温氢气传感器及其制备方法-CN202110023551.X有效
发明人：廖宁波 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔SiCO‑MoO3高温氢气传感器及其制备方法，包括磁控溅射硅基板，磁控溅射硅基板的上表面设有复合气敏薄膜层，复合气敏薄膜层的上表面设有电极层；所述复合气敏薄膜层包括从上到下依次设置的MoO3层、碳纳米管层和多孔SiCO层，多孔SiCO层设置在磁控溅射硅基板的上表面，且多孔SiCO层与磁控溅射硅基板之间设有SiBCO中间层，所述MoO
一种多孔 sico moo3 高温氢气传感器及其制备方法

[发明专利]一种锂电池用SiCO-碳纳米管复合薄膜电极-CN201710101329.0有效
发明人：廖宁波;周峰 -专利权人：温州大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电池用SiCO‑碳纳米管复合薄膜电极，其特征在于：包括单晶硅基板（1），单晶硅基板（1）上依次设有TiN阻挡层（2）、Cu薄膜层（3）、CuO薄膜层（4）、SiCO薄膜层A（5）、Ni催化层（6）、碳纳米管层（7）和SiCO薄膜层B（8）。
一种锂电池 sico 纳米复合薄膜电极

[发明专利]集成电路元件及其形成方法-CN200510064682.3有效
发明人：吴振诚;蔡宏骏;林大文;张文;郑双铭;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-04-19 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：接着沿着闸介电层和闸电极两侧形成一对间隙壁，间隙壁的较佳的基本组成材质为SiCO或SiCN。接着形成源极和汲极。在源极/汲极及间隙壁区域形成接触窗蚀刻阻绝层(CES)，CES层较佳的基本组成材质为SiCO或SiCN。接着形成层间介电层(ILD)在CES层上。此外，此种具有低k值的SiCO和SiCN材料可在较高的沉积速率及较低的沉积温度下进行沉积。使用含SiCO和SiCN的材料的MOS元件特性，不管是在外缘电容、接触电阻、片电阻、起始电压和遗漏电流等方面，和过去习知工艺相比较均有获得改善。
集成电路元件及其形成方法

[发明专利]一种夹层闭孔隔热界面相及其制备方法和应用-CN202310596181.8在审
发明人：叶昉;郭广达;成来飞;张立同 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C04B35/628 文献下载
摘要：本发明涉及一种夹层闭孔隔热界面相及其制备方法和应用，采用CVI工艺在编织的纤维布表面沉积一层SiCO界面层保护纤维免受后续工艺损伤和环境氧侵蚀，再将含Sc2SiO5的有机浆料通过真空浸渍的方法引入到含有SiCO界面层的SiC纤维布内，将纤维布叠层，加压升温固化，随后将其在管式炉内加压裂解，在SiCO界面层表面制备膜状多孔Sc2SiO5层，最后采用CVI工艺在膜状多孔Sc2SiO5层表面制备高晶化程度的SiBN界面层，由此形成SiCO‑Sc2SiO5‑SiBN夹层闭孔隔热界面相。
一种夹层隔热界面及其制备方法应用

[发明专利]SiCO－Li复合材料、制备方法和非水电解质二次电池负电极材料-CN200710089723.3无效
发明人：荒又干夫;渡边浩一朗;宫脇悟;樫田周;福冈宏文 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-03-27 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：通过引起具有可交联基团的反应性硅烷和/或硅氧烷交联，将该交联产物烧结成无机Si－C－O复合材料，并用锂掺杂该Si－C－O复合材料，制备SiCO－Li复合材料。当SiCO－Li复合材料用作负电极时，锂离子二次电池显示出良好的循环性能、独特的放电特征和改进的起始效率。
sico li 复合材料制备方法水电二次电池电极材料

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