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- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201580080357.8有效
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中田洋辅
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三菱电机株式会社
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2015-05-26
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2020-05-05
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H01L21/60
- 具有下述工序:准备半导体基板的工序(S01),该半导体基板具有第1主面和位于第1主面的相反侧的第2主面;在第1主面之上形成第1电极的工序(S02);在第1电极之上形成焊料接合用金属膜(第1焊料接合用金属膜)的工序(S03);在第1焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序(S04);在形成牺牲膜之后对第2主面进行磨削的工序(S06);在进行磨削的工序(S06)之后进行热处理的工序(在第3主面侧形成元件构造的工序(S07));在进行热处理的工序(S07)之后将牺牲膜去除的工序(S10);以及将第1焊料接合用金属膜与第1外部电极进行焊料接合的工序(S12)。
- 半导体装置制造方法
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