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[发明专利] 指纹识别基板及其驱动方法和显示装置 -CN202080002204.2 在审
发明人：
刘屹 ;王世君 ;穆文凯 ;冯博 ;杨心澜 ;王洋 ;魏旃 ;丁腾飞 ;樊君 ;徐成福
- 专利权人：
京东方科技集团股份有限公司 ;北京京东方显示技术有限公司
申请日：
2020-09-29
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公布日：
2022-07-22
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主分类号：
G06F3/041 文献下载
摘要： 一种指纹识别基板，包括：呈阵列排布的多个指纹识别单元(1)、多个信号读取线组(6 )和多个选通电路(MUX_1～MUX_n)，多个指纹识别单元(1)划分为沿行方向排布的多个第一指纹识别组(2)，第一指纹识别组(1)、信号读取线组(6 )和选通电路(MUX_1～MUX_n)中任意两者均一一对应；第一指纹识别组(2)包括：在行方向排布的连续多列指纹识别单元(1)，信号读取线组(6 )包括：多条信号读取线(RL )，信号读取线与对应的一列指纹识别单元(1)连接；选通电路(MUX_1～MUX_n)包括：多个开关电路(T_1～T_b )，每条信号读取线(RL )均通过对应的开关电路(T_1～T_b )与信号接收单元(5)上的一个信号传输通道(channel_1～channel_2b )连接；在全部信号读取线(RL )中，位于同一信号读取线组(6 )中的不同信号读取线(RL )连接不同信号传输通道(channel_1～channel_2b )，且存在位于不同信号读取线组(6 )中的至少两条信号读取线(RL )连接同一信号传输通道(channel_1～channel_2b )。指纹识别 及其 驱动 方法 显示装置
[发明专利] 一种用于自动窗帘的电子开关控制模块 -CN201910465998.5 在审
发明人：
雷建设
- 专利权人：
雷建设
申请日：
2019-05-31
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公布日：
2020-12-01
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主分类号：
A47H5/02 文献下载
摘要： 本发明专利一种用于自动窗帘的电子开关控制模块，包括光敏电阻RL 、电阻器R、电压比较器IC、电容器C、电子开关B 、电机M、限位器SL、电源正极VCC、负极VSS、电源接口XS，所述光敏电阻2只，电阻器10只，电容器4只，电子开关4只，所述光敏电阻RL 1、RL 2一端连接VCC，RL 1、RL 2另一端分别连接IC的2脚和5脚，所述IC的1脚串接R5、R6 分别到B 1、B 2的基极，IC的7脚串接R7、R8分别的B 3、B 4的基极，B 1、B 2的集电极和B 3、B 4的集电极连接电机M；本发明利用两只光敏电阻检测光线强弱，通过电压比较器控制三极管电子开关，使电机正转与反转带动其它设备工作，电子开关无触点不打火花，使用寿命长一种 用于 自动 窗帘 电子 开关 控制 模块
[发明专利] 一种4K高分辨全景环带光学系统 -CN201910802850.6 有效
发明人：
白剑 ;王佳 ;黄潇
- 专利权人：
浙江大学
申请日：
2019-08-28
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公布日：
2020-08-11
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主分类号：
G02B13/00 文献下载
摘要： 本发明公开一种4K高分辨全景环带光学系统，包括同轴安装的全景环带透镜头部单元、后继透镜组和4K传感器，的全景环带透镜头部单元包括PAL1、PAL2，的后继透镜组包括RL 1、RL 2、RL 3、RL 4、RL 5、RL 6 、RL 7，的PAL1、PAL2、RL 1、RL 2、RL 3、RL 4、RL 5、RL 6 、RL 7从物方到像方依次排列，的PAL1、RL 3为具有正光焦度的弯月型玻璃透镜，的RL 4、RL 7为具有负光焦度的弯月型玻璃透镜，的PAL2、RL 2、RL 5、RL 6 为具有正光焦度的双凸透镜，RL 1为具有负光焦度的双凹透镜；PAL1、RL 3、RL 4的凸面均朝向物方，凹面朝向像方；RL 7凹面朝向物方，凸面朝向像方；且PAL1和PAL2胶合在一起，RL 1和RL 2胶合在一起，RL 6 和RL 7胶合在一起。一种 分辨 全景 环带 光学系统
[发明专利] 分光器 -CN201580007227.1 在审
发明人：
能野隆文 ;柴山胜己
- 专利权人：
浜松光子学株式会社
申请日：
2015-02-03
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公布日：
2016-09-28
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主分类号：
G01J3/02 文献下载
摘要： 本发明的分光器(1A)具有分光单元(2A)、(2B )、(2C)。分光单元(2A)具有的光通过部(21A)、反射部(11A)、共通反射部(12)、分光部(40A)和光检测部(22A)，从Z轴方向看时，沿着基准线(RL 1)排列。分光单元(2B )具有的光通过部(21B )、反射部(11B )、共通反射部(12)、分光部(40B )和光检测部(22B )，从Z轴方向看时，沿着基准线(RL 2)排列。分光单元(2C)具有的光通过部(21C)、反射部(11C)、共通反射部(12)、分光部(40C)和光检测部(22C)，从Z轴方向看时，沿着基准线(RL 3)排列。基准线(RL 1)与基准线(RL 2)、(RL 3)交叉。分光
[发明专利] R－T－B 系烧结磁体的制造方法 -CN202010076516.X 在审
发明人：
野泽宣介
- 专利权人：
日立金属株式会社
申请日：
2020-01-23
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公布日：
2020-08-04
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主分类号：
H01F1/057 文献下载
摘要： 提供降低重稀土RH的使用量且具有高HcJ 的R－T－B 系烧结磁体的制造方法。R－T－B 系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B 系烧结磁体原材料的工序、准备RL －RH－M系合金的工序和扩散工序，扩散工序中的对于R－T－B 系烧结磁体原材料的RL －RH－M系合金的附着量为4mass％以上15mass％以下且RH的附着量为0.1mass％以上0.6mass％以下，在R－T－B 系烧结磁体原材料中，R的含量为R－T－B 系烧结磁体原材料整体的27mass％以上35mass％以下，Fe相对于T整体的含量为80mass％以上，在RL －RH－M系合金中，RL 的含量为RL －RH－M系合金整体的60mass％以上97mass％以下，RH的含量为RL －RH－M系合金整体的1mass％以上8mass％以下，M的含量为RL －RH－M系合金整体的2mass％以上39mass％以下。烧结 磁体 制造 方法
[发明专利] R－T－B 系烧结磁体的制造方法 -CN202010076504.7 在审
发明人：
野泽宣介
- 专利权人：
日立金属株式会社
申请日：
2020-01-23
-
公布日：
2020-08-04
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主分类号：
H01F41/02 文献下载
摘要： 提供降低RH使用量且具有高B r 、HcJ 的R－T－B 系烧结磁体的制造方法。R－T－B 系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B 系烧结磁体原材料的工序、准备RL 1－RH－M1系合金的工序、准备RL 2－M2系合金的工序、第一扩散工序和第二扩散工序，第一扩散工序中RL 1－RH－M1系合金的附着量为4mass％以上15mass％以下，第二扩散工序中RL 2－M2系合金的附着量为1mass％以上15mass％以下，R－T－B 系烧结磁体原材料中，R的含量为27mass％以上35mass％以下，[T]/[B ]的摩尔比超过14.0且为15.0以下，RL 1－RH－M1合金中，RL 1含量为60mass％以上97mass％以下，RH含量为1mass％以上8mass％以下，M1含量为2mass％以上39mass％以下，RL 2－M2系合金中，RL 2含量为60mass％以上97mass％以下，M2含量为3mass％以上40mass％以下。烧结 磁体 制造 方法
