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[发明专利]一种微电子光刻的光化生酸源-CN94102680.9无效
发明人： T·A·克斯 -专利权人：莫顿国际股份有限公司
申请日： 1994-03-04 - 公布日： 1994-11-16 - 主分类号： C07C309/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的光化产酸剂，它具有如(I)的结构式，式中R＝-H，-OH或-O-S(＝O)2-Q部分；R1＝-CH2OS(＝O)2-Q或NO2；R2＝-CH2OS(＝O)2-Q或-NO2；R3＝低级烷基或-H；R4＝-H，-CH2OS(＝O)2-Q或-NO2；R5＝-H，-CH2OS(＝O)2-Q或-NO2以及Q为重氮萘醌部分。条件是当R2和R4为-NO2时，R3为低级烷基，以及R1＝R2，R4＝R5。
一种微电子光刻化生

[实用新型]双线调色调光控制电路-CN202020148496.8有效
发明人：舒位林 -专利权人：惠州市安规电子有限公司
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H05B45/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双线调色调光控制电路，包括控制模块U1、MOS管Q1、Q4、Q7、Q8、Q9、Q10,电阻R1、R2、R4，三极管Q2、Q3、Q5、Q6，所述控制模块U1的输出端与分别与MOS管Q1、Q4、Q9、Q10的栅极连接，MOS管Q1的漏极与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与电阻R2一端连接，电阻R2的另一端与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与三极管Q3的基极连接，三极管Q2的基极与电阻R1连接，发射极与三极管Q5的发射极连接，MOS管Q7的栅极与三极管Q2连接，MOS管Q4的漏极与三极管Q6的基极连接，发射极与三极管Q3的发射极连接，MOS管Q8的栅极与三极管Q3的发射极连接，漏极与MOS管Q10的漏极和负载连接；控制电路，通过OUT1、OUT2两条导线，即可控制冷光灯和暖光灯的开启和关闭。
双线调色调光控制电路

[实用新型]一种基准电流源电路-CN202220961606.1有效
发明人：王玉伟;孙权;张龙;袁婷;罗红瑞 -专利权人：西安航天民芯科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：包括9个三极管Q1‑Q9和6个电阻R1‑R6；R5一端接VDD，另一端接Q7发射极，R4一端接Q7集电极，另一端接Q5集电极，Q5发射极接R3一端，另一端接Q3集电极，Q3发射极接Q1集电极，其基极接Q2发射极；R1一端接Q2发射极，Q2基极接Q1集电极，Q2发射极接Q4发射极，Q4基极与Q3基极相连，Q4集电极接Q6发射极，Q5基极与Q6基极相连，Q6集电极接R6一端，另一端接VDD；R2一端接Q8发射极，Q8基极与Q2基极相连，Q8集电极和Q9发射极相连，Q9基极与Q4基极相连，Q9集电极输出基准电流。
一种基准电流电路

[实用新型]一种DC-40GHz五位数控衰减器电路-CN201822032476.X有效
发明人：徐小杰;吴洁 -专利权人：南京天矽微电子科技有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种DC‑40GHz五位数控衰减器电路，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10、三极管Q11、三极管Q12、三极管Q13、三极管Q14、三极管Q15、三极管Q16、三极管Q17、三极管Q18、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、单刀开关
三极管电阻单刀开关单刀双掷开关本实用新型衰减器电路电器元件能量损耗衰减电路相位特性

[实用新型]一种点触使能的控制电路-CN201521107596.1有效
发明人：梁柱 -专利权人：深圳市沃特玛电池有限公司
申请日： 2015-12-26 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种点触使能的控制电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1和开关J2；电阻R1、电阻R2和电容C1依次串联连接在电源V1的正、负极之间；MOS管Q1的栅极通过开关J2连接至电容C1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q1的漏极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q1的源极接地；MOS管Q2的栅极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q2的漏极通过电阻R3连接至电源V1的正极，MOS管Q2的源极接地；MOS管Q4的栅极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q4的栅极还通过电阻R4与MOS管Q1的栅极连接；MOS管Q4的源极连接至电源V1的正极，MOS管Q4的漏极用于连接外部的用电设备。
一种点触使能控制电路

[实用新型]一种双输入端供电电源-CN201721438502.8有效
发明人：李相宏;尹东云;刘旭光 -专利权人：深圳市兆驰数码科技股份有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本实用新型公开了双输入端供电电源，包括P沟道MOS管Q8、Q10、NPN型三极管Q13、电阻R207、R212、R213、R214、R216。P沟道MOS管Q8的漏极与P沟道MOS管Q10的源极相连接；P沟道MOS管Q8的漏极与P沟道MOS管Q10的源极的公共节点用于输出直流电压。P沟道MOS管Q8的栅极依次通过电阻R207、R212接地；电阻R207与电阻R212的公共节点用于获取第二直流电压。P沟道MOS管Q10的栅极与NPN型三极管Q13的集电极相连接；NPN型三极管Q13的发射极接地。P沟道MOS管Q10的漏极依次通过电阻R214、R216接地；电阻R214与电阻R216的公共节点与NPN型三极管Q13的基极相连接。电阻R213跨接在P沟道MOS管Q10的栅极与源极之间。
电阻公共节点漏极源极供电电源双输入端接地高频头输出直流电压本实用新型发射极接地网络机顶盒电源插口直流电压自动通断集电极开关管跨接电源

[发明专利]一种利用单片机普通IO口产生强差分数字信号的电路-CN201610080217.7在审
发明人：徐文赋;任素云;王延聪 -专利权人：惠州市蓝微新源技术有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本发明公开利用单片机普通IO口产生强差分数字信号的电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5及电阻R6，信号输入端A+串联电阻R5后接三极管Q4的基极，三极管Q4的发射极连接三极管Q3的发射极并接地，三极管Q4的集电极分别接三极管Q2的集电极和信号输出端A，信号输入端A-串联电阻R6后接三极管Q3的基极,三极管Q3的集电极分别接三极管Q1的集电极和信号输出端B，信号输出端A串联连接电阻R4后接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极串联电阻R2后接电源VCC，信号输出端B串联电阻R3后接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极串联电阻R1后接电源VCC。
一种利用单片机普通 io 产生强差分数字信号电路

[实用新型]一种利用单片机普通IO口产生强差分数字信号的电路-CN201620114812.3有效
发明人：徐文赋;任素云;王延聪 -专利权人：惠州市蓝微新源技术有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本实用新型公开利用单片机普通IO口产生强差分数字信号的电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5及电阻R6，信号输入端A+串联电阻R5后接三极管Q4的基极，三极管Q4的发射极连接三极管Q3的发射极并接地，三极管Q4的集电极分别接三极管Q2的集电极和信号输出端A，信号输入端A‑串联电阻R6后接三极管Q3的基极,三极管Q3的集电极分别接三极管Q1的集电极和信号输出端B，信号输出端A串联连接电阻R4后接三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极串联电阻R2后接电源VCC，信号输出端B串联电阻R3后接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极串联电阻R1后接电源VCC。
一种利用单片机普通 io 产生强差分数字信号电路

[发明专利]新颖的取代的二聚化合物、其制备方法以及含有它们的药物组合物-CN00120095.X无效
发明人： P·德普里克斯;S·尤斯;G·切夫;G·吉尔劳迈特;M－C·维奥德;C·拉拉雅;C·贝恩杰安;P·德拉格兰格;P·雷纳德;C·德斯坎普斯－弗朗西斯 -专利权人：瑟维尔实验室
申请日： 2000-05-19 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： C07D307/78 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)化合物：A-G1-Cy-G2-Cy’-G3-B(I)其中：-A表示基团NR1C(Q)R2、C(Q)NR2R3或NR1C(Q)NR2R3，-B表示基团NR1C(Q)R2、NR1C(Q)NR2R3、C(Q)NR2R3、C(Q)OR1、NR1C(Q)OR2或NR2R3，-G1和G3示可任选被取代的亚烷基链，-Cy和Cy’不同，表示∴或∴结构的环，-G2表示∴的链。
新颖取代化合物制备方法以及含有它们药物组合

[实用新型]广电EOC野外型设备远程断电重启装置-CN201220204913.1有效
发明人：龚祚发;殷惠江;丁涛;郑叶明 -专利权人：太仓市同维电子有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：一种广电EOC野外型设备远程断电重启装置，包括NPN型三极管Q1、Q3、Q4、P沟道MOSFETQ2、肖特基二极管D1、D2、贴片陶瓷电容C1、C2、C3、C4、C5、大容量电解电容C6、贴片电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、信号输入端A，Q1的集电极通过限流电阻R1与3.3V电源连接，Q1的发射极与D2、C6串联连接，D2正极再通过R3与地连接，Q1的基极与限流电阻R2串联连接，再与信号输入端A连接，C6与R6、R7电阻组成回路，C6的正极与R6和Q3的基极串联，Q3的集电极与Q4的基极连接，Q4的集电极与Q2的栅极连接，Q2的栅极再通过限流电阻R5与12V电源连接。
广电 eoc 野外设备远程断电装置

[发明专利]一种地下开采采场围岩稳定性分级方法-CN202011164883.1在审
发明人：张晨洁;赵海军;王同敏;杨扬 -专利权人：西北矿冶研究院
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：，记为Q1，Q1=R1+R2+R_{7；R8为爆破振动指标，记为Q2，Q2=R8；R9为岩体暴露面积指标，记为Q3，Q3=R9；⑵分别计算Q1、Q2、Q3；>Q3；⑸根据Q，对照采场岩体稳定性分级表，即可确定预评价地下开采采场的围岩稳定性等级。}
一种地下开采围岩稳定性分级方法

[发明专利]硬件诊断保护电路-CN201710259025.7有效
发明人：谢飞;李改 -专利权人：顺德职业技术学院
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种硬件诊断保护电路，包括ECU1通信电路与ECU2电源电路，ECU1通信电路的三极管Q1由驱动信号Vin进行控制，Q1集电极连接ECU2电源电路，其特征在于：在Q1集电极连接保护电路，保护电路由主保护电路和限值保护电路组成，主保护电路包括Q2、Q3、R4，其中，Q2的发射极连接Q1的集电极，Q2的基极连接Q3的集电极，Q3的基极连接R4，R4另一侧连接ECU1通信电路的输入端；限值保护电路包括稳压管Z1、R5、R6、Q4，稳压管Z1、R5、R6顺序连接，稳压管Z1的输入端连接Q2的集电极，Q4的基极连接R5和R6，Q4的集电极连接Q1的基极。
硬件诊断保护电路

[实用新型]恒流控制模式的电流瞬变抑制电路-CN202020206551.4有效
发明人：邱燕;王斌;黎颖;苍胜 -专利权人：中国航空无线电电子研究所
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种恒流控制模式的电流瞬变抑制电路，输入电压正端与R1、R3的一端、V1、V2的阴极及Q1的源极相连，R1的另一端与Q3的发射极相连，V1的阳极与R2的一端、Q3的基极相连，Q3的集电极与C1的正极、Q4的集电极、Q2的栅极相连，R3的另一端与V2的阳极、Q1的栅极、R4的一端相连，R4的另一端与Q2的漏极相连，Q2的源极与R5的一端、C2的一端、R6的一端相连，R5、R2的另一端、C1的负极、Q4的发射极、R8的一端及C3的负极相连，R8的另一端与Q4的基极、V3的阳极相连，V3的阴极与R7的一端相连接，R7、R6的另一端、C2的另一端、Q1的漏极及C3的正极相连。
控制模式电流抑制电路

[实用新型]一种基于双极工艺的LDO过温保护电路-CN201922108925.9有效
发明人：阳启明;王秀芝;孔瀛;莫艳图;胡贵才;宋奎鑫;张志伟;康磊;柏晓鹤;曲绍贤;胡文瑞 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种基于双极工艺的LDO过温保护电路，包括温度检测电路、采样比较电路，温度检测电路包括NPN管Q4、电阻R3、电阻R4，采样比较电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、NPN管Q1、NPN管Q2、NPN管Q3、NPN管Q6，NPN管Q4基极与外部带隙电路输出端相连作为输入端，NPN管Q6集电极作为电路输出端作为输出端，温度检测电路与采样比较电路串联进行过温保护输出。
一种基于工艺 ldo 保护电路

[发明专利]一种硬盘自动开断电源的方法-CN202111446425.1在审
发明人：张鑫 -专利权人：四川华鲲振宇智能科技有限责任公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硬盘自动开断电源的方法，包括硬盘自动开断电源控制电路，包括电阻R302、R303、R304、R69、R67；三极管Q17、mos管Q1、mos管Q3、电容C42、二极管D25；所述的电阻R302一端与SATA_PRSNT信号端连接，电阻R302另一端与三极管Q17的基极连接，三极管Q17的发射极与电源连接，三极管Q17的集电极通过电阻R303接地；所述的三极管Q17的集电极还通过电阻R304与mos管Q3栅极连接；mos管Q3的源极接地，mos管Q3的漏极通过电阻R67与电源连接；所述的mos管Q3的漏极还与电阻R69的一端连接，电阻R69的另一端通过电容C42与电源连接，所述的电阻R69的另一端还与mos管Q1的栅极连接，mos管Q1的漏极与电源连接mos管Q1的源极与二极管D25的正极连接，二极管D25的负极端与电源连接。
一种硬盘自动断电方法