“p2n”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8169132个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]USB设备保护电路-CN201821672562.0有效
发明人：刘忠臣;何建伟;陈小兵;黎小兵;辛大勇;华国环 -专利权人：昆山嘉提信息科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H02H3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种USB设备保护电路，包括USB接口，该USB接口包括电源线、接地线、P2N信号线以及P2P信号线，包括一双MOS管，所述双MOS管的第二栅极并联有第二电阻和第五电阻，所述第二电阻连接于所述P2N信号线上，所述双MOS管的第一栅极并联有第三电阻和第四电阻，所述第三电阻连接于所述P2P信号线上，所述双MOS管的第一漏极和第二漏极并联于芯片的EN引脚上，所述第四电阻与所述第五电阻接地。
电阻双MOS管信号线本实用新型电阻连接并联电路电路设计电阻接地漏极并联电源线接地线使用性漏极引脚芯片

[发明专利]飞行时间量测电路及其控制方法及电子装置-CN202080054075.1在审
发明人：林奇青;范铨奇;杨富强 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01S7/4865 文献下载
摘要：像素阵列(102,602)包括m行×n列像素单元(P11～P1n、P21～P2n、...Pm1～Pmn、P11'～P1n'、P21'～P2n'、...Pm1'～Pmn')。第一控制器(104)耦接至第1列像素单元(P11～Pm1、P11'～Pm1')中的每一个的第一缓冲器的输入端，且像素单元Pxy的第一缓冲器的输入端耦接至像素单元Px(y‑1)的第一缓冲器的输出端，x为1到m的整数，y为2到n的整数，其中在测试模式下，第一控制器(104)传送第一触发信号依序通过像素单元Pa1～Pan中的第一缓冲器Ba1～Ban，其中a为1到m中任一整数，当a小于m时，第一触发信号从像素单元
飞行时间电路及其控制方法电子装置

[发明专利]一种大功率高频脉冲变压器绕制方法-CN202211400303.3有效
发明人：范承;钟元海;杨惠;黄炅霞;李克鹏;潘未香;钟玉保;宋佳龄 -专利权人：佛山诺亚电器有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01F41/06 文献下载
摘要：本发明主要包含2个U型磁芯，U1、U2；偶数个I型磁芯；拼接成“长方框”型闭合磁路。2个初级绕组，每个初级绕组包含一个线圈；2个次级绕组；两个次级绕组中线圈个数相等；第一次级绕组中多个线圈序号是P1、P3、P5……P2n‑1，第二次级绕组中多个线圈序号是P2、P4、P6……P2n。
一种大功率高频脉冲变压器方法

[发明专利]一种晶闸管芯片的结终端结构-CN201410446710.7有效
发明人：王民安;黄富强;项建辉;叶民强;汪杏娟;王日新 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该电压槽设置有两级台阶结构或三级台阶结构且其高度过P2N结伸入N区20～70um。本发明适用于所有台面结构的半导体芯片生产领域。
结终端结构晶闸管芯片晶闸管挖槽三级台阶结构半导体芯片对称设置两级台阶台阶结构台面结构槽设置漏电流中芯片耐压内壁伸入正向

[发明专利]一种基于三线态-三线态湮灭机制的蓝光有机小分子及其应用-CN202010234153.8有效
发明人：马东阁;乔现锋;覃建文 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C07C255/50 文献下载
摘要：所述蓝光有机小分子的结构式如P1n、P2n、P3n或P4n所示。
一种基于三线湮灭机制有机分子及其应用

[实用新型]一种具有双负角的焊接式圆形晶闸管芯片-CN201820368349.4有效
发明人：李春峰 -专利权人：李春峰
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有双负角的焊接式圆形晶闸管芯片，包括：具有PNPN结构的圆形晶闸管晶片，阳极电极，阴极电极、放大门极电极和门极电极，双负角P1N结负角和P2N结负角，带可焊金属层或焊料的钼片，带可焊金属层或焊料的金属片以及保护胶
负角晶闸管晶闸管芯片焊接式焊料阴极本实用新型可焊金属层角结构电极电流能力放大门极通电电流阳极电极阴极电极保护胶金属片晶片门极钼片占用

[发明专利]一种金属紫外光电探测器的制备工艺-CN201310660805.4在审
发明人：马文超 -专利权人：青岛平度市旧店金矿
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：MSM结构因其平面型、制备工艺相对简单、无需制作p2n结、避开掺杂和欧姆接触等问题容易获得高量子效率、高响应速度以及便于单片光电集成等诸多优点而倍受青睐。
一种金属紫外光电探测器制备工艺

[发明专利]一种交流异步传动系统动力输出方法-CN201010292527.8有效
发明人：丁荣军;李华湘;元约平;陈致初;胡勇峰 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：Udc＝Udc0对应传动系统的额定功率点P2N；在低压区，传动系统的峰值特性曲线簇以逆变器的极值输出电压为拐点，提升电机的最大输出功率；在高压区,传动系统的峰值特性曲线簇的充分利用高电压，扩展升压恒功区域
一种交流异步传动系统动力输出方法

[发明专利]平衡型SAW滤波器-CN200580044368.7有效
发明人：高峰裕一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：，P1；N2a，P2a；N2b，P2b；N3，P3；N4a，P4a；N4b，P4b；N5，P5时，以满足从下述的条件(1)～(3)中选择的其中一个条件以及从下述的条件(4)～(6)中选择的其中一个条件的方式构成IDT11～15，〔式1〕条件(1)：N1＝N3＝N5时，0.992≤P1/P3≤1.008，并且P1＝P5，条件(2)：N1＝N5＜N3时，0.9≤P1/P3＜1，并且P1＝P5，条件(3)：N3＜N1＝N5时，1＜P1/P3≤1.1，且P1＝P5，〔式2〕条件(4)：N2a＝N2b＝N4a＝N4b时，0.991≤P2a/P2b≤1.009，且P2a/P2b＝P4b/P4a，条件(5)：N2a＝N4b＞N2b＝N4a时，1＜P2a/P2b≤1.1，且P2a/P2b＝P4b/P4a，条件(6)：N2a＝N4b＜N2b＝N4a时，0.9≤P2a/P2b＜1，且P2a/P2b＝P4b/P4a，在条件(1)且条件(4)被选择的情况下，还满足下述的条件(7)：条件(7)：N1≠N2a，或P1≠P2a。
平衡 saw 滤波器

[发明专利]石油钻井工程中防止钻井泵误操作的方法及其泵压防护系统-CN201811049380.2有效
发明人：赵刚;于春;夏玉龙;张英栋 -专利权人：濮阳市百福瑞德石油科技有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： F04B49/06 文献下载
摘要：一种石油钻井工程中防止钻井泵误操作的方法及其泵压防护系统，设正常工况下高压阀上、下游管线内泥浆压力差的平均值为n，设定参数N满足：1≤N‑n≤3；钻井泵启动时，根据立管内的压力P0、钻井泵Ⅰ的压力P1和钻井泵Ⅱ的压力P2实时进行比较：（1）P0‑P1≤N或P2‑P1≤N和P0‑P1≤N，则判断钻井泵Ⅰ的高压阀处于开启状态，钻井泵Ⅰ可以启动；（2）P0‑P2≤N,或P1‑P2≤N和P0‑P2≤N，则判断钻井泵Ⅱ的高压阀处于开启状态，钻井泵Ⅱ可以启动；（3）如果P0‑P1＞N,或P2‑P1＞N和P0‑P1＞N，则判断钻井泵Ⅰ的高压阀处于关闭状态，钻井泵Ⅰ不能启动；（4）如果P0‑P2＞N,或P1‑P2＞N和P0‑P2＞N，则判断钻井泵Ⅱ的高压阀处于关闭状态，钻井泵Ⅱ不能启动。
石油钻井工程防止钻井泵操作方法及其防护系统

[发明专利]电平转移电路-CN200910024637.3有效
发明人：保罗格·兰德维兹;蔡立达;马里剑;洪锦维 -专利权人：苏州瀚瑞微电子有限公司
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，所述P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV；P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极、N型晶体管N3和N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极、N型晶体管N1和N型晶体管N2的栅极，N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极，N型晶体管N4的源极连接源极电源
电平转移电路

[发明专利]改进型电压源转换器结构-CN200980161806.6有效
发明人：斯塔凡·诺尔加 -专利权人： ABB研究有限公司
申请日： 2009-10-06 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明涉及电压源转换器(26)，其包括一组相腿、用于将相腿连接到电力传输元件的至少三个连接端子(AC1、AC2、AC3、DC+、DC-)、每个相腿中的第一组单元(C1p1、C2p1、C1n1、C2n1、C1p2、C2p2、C1n2、C2n2、C1p3、C2p3、C1n3、C2n3)以及第二组单元(C3p1、C3n1、C3p2、C3n2、C3p3、C3n3)。第一组中的单元(C1p1、C2p1、C1n1、C2n1、C1p2、C2p2、C1n2、C2n2、C1p3、C2p3、C1n3、C2n3)仅能够提供对转换器的单极电压贡献并且被连接成仅能够作出这种单极电压贡献，而第二组中的单元(C3p1、C3n1、C3p2、C3n2、C3p3、C3n3)连接到第一组中的对应单元并且被布置成具有双极电压贡献能力。
改进型电压转换器结构

[发明专利]高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路-CN201310198308.7有效
发明人：胡炜;许育森;黄继伟;黄凤英;林安;安奇 -专利权人：福州大学
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N3的漏极，所述P1的漏极连接所述P1、P2和P3的栅极以及所述N1的漏极，所述N1的源极连接所述N3的源极和所述N4的漏极，所述N4的栅极连接所述N5的栅极和漏极以及所述P2的漏极，所述N2的栅极连接所述N3的栅极和漏极，所述N2、N4和N5的源极连接电源GND，所述P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。
电源抑制功耗基准电流电压产生电路

[实用新型]高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路-CN201320290976.8有效
发明人：胡炜;许育森;黄继伟;黄凤英;林安;安奇 -专利权人：福州大学
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N3的漏极，所述P1的漏极连接所述P1、P2和P3的栅极以及所述N1的漏极，所述N1的源极连接所述N3的源极和所述N4的漏极，所述N4的栅极连接所述N5的栅极和漏极以及所述P2的漏极，所述N2的栅极连接所述N3的栅极和漏极，所述N2、N4和N5的源极连接电源GND，所述P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。
电源抑制功耗基准电流电压产生电路

[发明专利]桥式模块化多电平开关电容AC‑AC变换器换流方法-CN201510300644.7有效
发明人：何良宗;李彤;廖育贤;程琛;丁烨;郑智鹏;张建寰;陈文芗 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-05-31 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H02M5/293 文献下载
摘要：将所有全控型器件MOSFET分别编号为p组和n组，p组的全控型器件MOSFET记为S1p、S2p、S3p、S4p、S5p、S6p、S7p、S8p，n组的全控型器件MOSFET记为S1n、S2n、S3n、S4n、S5n、S6n、S7n、S8n，其中S1p和S1n构成双向开关，S2p和S2n构成双向开关，S3p和S3n构成双向开关，S4p和S4n构成双向开关，其中S5p和S5n构成双向开关，S6p和S6n构成双向开关，S7p和S7n构成双向开关，S8p和S8n构成双向开关。
模块化电平开关电容 ac 变换器换流方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条