专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]无线耳机-CN200710180857.6无效
  • 石井健太郎 - 夏普株式会社
  • 2007-10-17 - 2008-04-23 - H04R5/033
  • 一种无线耳机10,其接收光信号形式的、包括右声道声音信号与左声道声音信号的音频信号P,并且从音频输出部分12输出声音,该无线耳机配备有被安置朝向不同方向并且接收音频信号P的第一受光部分15与第二受光部分该无线耳机10比较第一受光部分15与第二受光部分16接收的信号的S/N比,并且根据比较结果,在右声道声音与左声道声音之间切换来自音频输出部分12的输出。
  • 无线耳机
  • [发明专利]内燃机的控制装置-CN201180067012.0无效
  • 三岛和哉;野口知之 - 丰田自动车株式会社
  • 2011-02-08 - 2013-10-09 - F02D21/08
  • ECU在判断为车辆处于减速中(在步骤S11中为是)、且处于燃油切断中时(在步骤S12中为是),将EGR截止阀设置成全开(步骤S13),并取得EGR阀的全闭状态下的进气压力Pclose(步骤S14)。接下来,ECU将EGR阀转换至全开状态,并取得EGR阀的全开状态下的进气压力Popen(步骤S15)。接下来,ECU对Pclose与Popen之间的差ΔP进行计算,并且以ΔP为阈值Pth1以下的情况为条件(在步骤S17中为否),将EGR截止阀转换至全闭状态(步骤S19)。之后,ECU将EGR阀转换至全开状态(步骤S20),接下来转换至全闭状态(步骤S21)。
  • 内燃机控制装置
  • [发明专利]一种三叶青的提纯物及提纯方法-CN202010972421.6在审
  • 周国雄;陈豪;朱笑林;陈平;吴善聪 - 吴善聪
  • 2020-09-16 - 2021-07-23 - A61K36/87
  • 本发明提供一种三叶青的提纯物,所述提纯物至少包括SYQ‑D30‑1S8P2、SYQ‑D30‑2S9P1、SYQ‑D30‑3S11P3、SYQ‑D30‑3S14P2、SYQ‑D30‑4S5P1、SYQ‑D30‑4S8P2P1、SYQ‑D30‑5S11P1、SYQ‑D30‑1S8P4、SYQ‑D30‑5S8P1P1。一种三叶青的提纯方法,包括以下过程:S1、三叶青药材提取及检测;干燥三叶青药材粉末5kg,用70%乙醇回流提取3次,每次1.5h;提取液经LCMS检测;S2、HP‑20大孔吸附树脂富集;将提取液浓缩至小体积,用10%乙醇超声溶解,经HP‑20大孔树脂吸附后,分别用10%、30%、50%、95%乙醇梯度洗脱收集,各部分洗脱液经LCMS检测;S3、正相中压柱分离;本发明提取这九种化合物的提取方法,提取效率高,
  • 一种三叶青提纯方法
  • [发明专利]多室变压器-CN200680050624.8无效
  • 马可·法钦 - 奥斯兰姆有限公司
  • 2006-11-28 - 2009-01-28 - H01F5/02
  • 一种变压器包括:复数个绕组(PS1,S2),所述绕组缠绕在线圈架(100)上,线圈架优选地为一件式线圈架的形式;一对第一绝缘凸缘(106),使第一绕组(P)与一对第二绕组(S1,S2)分开;一对第二绝缘凸缘(104),与第一绝缘凸缘(106)一起限定用于第二绕组(S1,S2)的两个绕组空间。第一绕组(P)的线的端部(P1,P2)延伸越过用于第二绕组(S1,S2)的绕组空间。设置绝缘壁(208),所述绝缘壁在第一绕组(P)的线的端部(P1,P2)与第二绕组(S1,S2)之间延伸以提供端部与第二绕组之间的绝缘。
  • 变压器
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210268777.0在审
  • 西康一;曾根田真也;小西和也 - 三菱电机株式会社
  • 2022-03-18 - 2022-09-30 - H01L21/266
  • 半导体装置的制造方法具有:工序(b),使用第1掩模注入p型杂质离子,在有源区域(10)处的漂移层(1)的第1主面(S1)侧形成基极层(15);工序(c),使用第1掩模注入n型杂质离子,在基极层(15)的第1主面(S1)侧形成发射极层(13);工序(d),在工序(b)及(c)后形成沟槽(11c);工序(e),在沟槽(11c)内隔着栅极绝缘膜(11b)埋入栅极电极(11a);工序(g),使用第2掩模(61)注入高剂量的p型杂质离子,将发射极层(13)的一部分变换为第1接触层(14a)。
  • 半导体装置制造方法

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