专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]集成电路-CN201520951130.3有效
  • S·德努尔梅;P·康德利耶 - 意法半导体有限公司
  • 2015-11-25 - 2016-04-06 - H01L29/94
  • 该集成电路包括具有位于埋设绝缘层(30)上方的半导体薄膜(20n,p)的、绝缘体上硅类型的衬底(10),包括MOS电容器(C)的一次性可编程类型的至少一个存储器单元,所述MOS电容器具有:包括至少部分地硅化(ZSE1)并且由绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和CI5)侧接的栅极区域(G)的第一电极区域(E1),位于所述栅极区域(G)和所述半导体薄膜(20n和20p)之间的电介质层(OX),以及包括位于所述绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和CI5)旁边并至少部分地在电介质层(OX)之下延伸的所述半导体薄膜的硅化区域(ZSE2)的第二电极区域(E2)。
  • 集成电路
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611045583.5有效
  • 筱原正昭 - 瑞萨电子株式会社
  • 2016-11-24 - 2021-12-10 - H01L27/11568
  • 当在衬底上形成具有2种不同宽度的侧壁时,防止由于侧壁形成用的绝缘膜被埋入栅电极间而导致的半导体器件的可靠性降低。在低耐压的MISFETQ2的栅电极G2、和包括控制栅电极CG及存储器栅电极MG的图案的各自的侧壁,隔着氮化硅膜NT3而形成侧壁状的氧化硅膜OX4,之后除去栅电极G2的横向上的氧化硅膜OX4,接着在半导体衬底SB上形成氧化硅膜OX5,进行回蚀刻。由此,在栅电极G2的横向上,形成由氮化硅膜NT3及氧化硅膜OX5形成的侧壁SW1,在上述图案的横向上,形成由氮化硅膜NT3、氧化硅膜OX4及OX5形成的侧壁SW2
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]单糖的端基异构衍生物-CN03807375.7有效
  • 维姆·莫特曼斯;迈克尔·利奥·韦斯特;江·青丽;乔治·亚当森;卡尔·谢弗;乔瓦尼·阿贝南特 - 阿尔卡米亚有限公司
  • 2003-03-28 - 2005-07-20 - C07D307/20
  • C(Z)Y,其中,当R1是-N(Z)Y时,那么:Y选自氢或以下基团,如式i、ii、iii、iv、v,其中G表示与N(Y)Z(i-v)中氮原子的连接点;Z选自氢或X1;Q选自氢或W;基团W独立地选自1至20个原子的烷基、链烯基、炔基、杂烷基、芳基、杂芳基、芳烷基和杂芳烷基,基团X1独立地选自1至20个原子的烷基、链烯基、炔基、杂烷基、酰基、芳酰基、杂芳酰基、芳基、杂芳基、芳烷基和杂芳烷基;当R1是-C(Z、氨基杂芳基、硫烷基、硫芳基或硫杂芳基、酰基、芳酰基、杂芳酰基、芳基、杂芳基、芳烷基和杂芳烷基;当R1是H时,基团R2、R3、R4和R5中至少两个选自-OX2或-N(T)Y,并且其它基团独立地选自氢、-OH、-OX2、-N(T)Y,其中Y如上定义,T选自氢或X2;并且X2独立地选自1至20个原子的烷基、链烯基、炔基、杂烷基、芳基、杂芳基、芳烷基或杂芳烷基;当R1是N(Z)Y或C(Z)Y时,基团R2、R3、R4和R5中至少一个选自-OX2或-N(T)Y,并且其它基团独立地选自氢、-OH、-OX2、-N(T)Y,其中Y如上定义,T选自氢或X2;并且X2独立地选自1至20个原子的烷基、链烯基、炔基、杂烷基、
  • 单糖端基异构衍生物

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