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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]激光加工装置及激光加工方法-CN201110035582.3无效
发明人：高桥正训;日向野哲 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： B23K26/40 文献下载
摘要：一种向加工对象物照射激光而进行加工的装置，具备激光照射机构，所述激光照射机构脉冲振荡激光并以一定的重复频率向加工对象物进行照射的同时进行扫描，在将重复频率设为H，激光的光束直径设为a，激光向同一加工线上的扫描次数设为n，每照射1次脉冲激光的移动距离L设为n/2×a时，激光照射机构将激光的扫描速度S设为L/(1/H)的同时，将扫描次数为第1次的激光的照射开始位置设为L1，扫描次数为第n次的激光的照射开始位置Ln设为L1+(L/n)×(n-1)，从而在每次扫描时偏移照射开始位置而进行照射。
激光加工装置方法

[发明专利]一种薄膜太阳能电池的制造方法-CN201010266603.8无效
发明人：杨立友 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池制造方法，其中包括如下步骤：在衬底(45)上形成第二电极(44)；在第二电极(44)上形成第二n型非晶硅层(43n)；在第二n型非晶硅层(43n)上形成第二i型非晶硅层(43i)；对所形成的非晶硅层进行激光结晶处理，转换为第二n型微晶硅层和第二i型微晶硅层；在所形成的微晶硅层上形成第二p型微晶硅层(43p)；以及形成第二电极(41)。
一种薄膜太阳能电池制造方法

[发明专利]氮杂环卡宾金属冠醚及其在识别客体方面的应用-CN201210007889.7无效
发明人：柳清湘;赵志翔;肖姗;杨晓琼 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C07F1/10 文献下载
摘要：氮杂环卡宾金属冠醚制备方法是在有机溶剂中以不同取代基团的卤代烷烃与苯并咪唑反应，所得产物再与1，n-二（氯烷氧基）烷烃反应生成1，n-二[1-（N-取代基苯并咪唑）烷氧基]烷烃卤化物，且在甲醇中交换成六氟磷酸盐；在惰性气体保护下，将1，n-二[1-（N-取代基苯并咪唑）烷氧基]烷烃六氟磷酸盐与金属化合物在高纯除水试剂中反应制备卡宾金属配合物。
氮杂环卡宾金属及其识别客体方面应用

[发明专利]太阳能组件功率衰减恢复方法-CN201110460800.8无效
发明人：韩卫华 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能组件功率衰减恢复方法，太阳能组件由n块电池连接组成，其中n≥4；(1)太阳能组件的第1块电池的正极引出作为A+端，太阳能组件的第n/2整数块电池的负极引出作为A-端，太阳能组件的第n/2+1整数块电池的正极引出作为B+端，太阳能组件的第n块电池的电极引出作为B-端，(2)正常工作时，将A-端和B+端短路连接，A+端作为太阳能组件的正极输出端，B-端作为太阳能组件的负极输出端；(3)
太阳能组件功率衰减恢复方法

[发明专利]一种垂直磁各向异性薄膜及其制备方法-CN201010593489.X无效
发明人：吕琴丽;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01F10/10 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直磁各向异性薄膜，该垂直磁各向异性薄膜是进行了退火处理的[Co1-δOδ/Pt]n多层膜，0.25≤δ≤0.40；n是至少为1的整数。本发明还提供相应的制备方法，包括1)制备Co层；2)在Co层中引入少量氧形成Co1-δOδ层；3)在Co1-δOδ层上制备Pt层，形成[Co1-δOδ/Pt]n多层膜，n是至少为1的整数；4)对所制成的[Co1-δOδ/Pt]n多层膜进行退火处理。
一种垂直各向异性薄膜及其制备方法

[发明专利]照明控制系统及其方法-CN201110040728.3无效
发明人：郭建志 -专利权人：晟明科技股份有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种照明控制系统，包括N个照明装置以及一服务器装置，其中N是正整数，所述N个照明装置分别具有一识别码，所述服务器装置选择性地与所述N个照明装置中的M个照明装置形成通信，其中M是小于或等于N的正整数
照明控制系统及其方法

[发明专利]热电模块及其制造方法-CN201010616265.6无效
发明人：范元昌;陈俊沐;朱旭山;王正全;黄振东 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：本发明公开一种热电模块及其制造方法，该热电模块包括第一、二基板、数个P型与N型热电材料、第一、二金属电极、第一、二焊接合金层以及支撑物。热电材料设置于第一、二基板之间，且包括通过第一金属电极(位于第一基板与热电材料下端面之间)电连接一P型和一N型热电材料，该N型热电材料再与另一相邻P型热电材料通过第二金属电极(位于第二基板与热电材料上端面之间第一焊接合金层接合第一金属电极与P/N型热电材料下端面；第二焊接合金层接合第二金属电极与P/N型热电材料上端面。支撑物位于第一、二焊接合金层至少其中一者处，且熔点高于第一、二焊接合金层的液相线温度。
热电模块及其制造方法

[发明专利]一种双出杆磁流变弹性体板式减振器-CN201210161472.6无效
发明人：谭和平;谢宁;刘强;谭晓婧 -专利权人：谢宁
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： F16F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种双出杆磁流变弹性体板式减振器，其包括工作缸、活塞和活塞杆，其中：工作缸是由两块单面环形铁板、N块相同的双面环形电磁铁、N-1块相同的双面环形铁板和外管构成；单面环形铁板只有一个圆环面上粘接了一层磁流变弹性体，且两块单面环形铁板分别固定在外管的两端；双面环形铁板的两个圆环面上都粘接了一层相同厚度的磁流变弹性体，N-1块双面环形铁板按相同的间隔平行地固定在两块单面环形铁板之间的外管的内圆周上；活塞由N块双面环形电磁铁构成；活塞安装在工作缸内，使活塞上的N块双面环形电磁铁置于工作缸内各环形铁板上磁流变弹性体之间的间隙内。
一种双出杆磁流变弹性体板式减振器

[发明专利]结合超级结双面沟槽型IGBT器件制造方法-CN201110383504.2无效
发明人：王海军 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种结合超级结双面沟槽型IGBT器件制造方法，包括以下步骤：在N型衬底上，硅片正面曝光图形，进行P柱的刻蚀，进行刻蚀形成槽；对孔或槽成长高掺杂B的外延；进行外延的研磨，研磨至单晶硅的表面；进行沟槽栅的曝光定义；成长掺杂N型多晶；对多晶栅进行刻蚀；正面进行源和P阱的注入和推阱；背面进行深沟槽的刻蚀，沟槽的宽度小于沟槽内磷离子扩散的长度；然后进行N型多晶硅的填充，进行高温长时间推阱，使得多晶之间N型载流子连接在一起本发明通过P柱和N型衬底的耗尽达到耐压和进一步降低比导通电阻的效果，使得电流密度更大，减小了通态时的电阻和焦耳热，使得关断响应速度更快。
结合超级双面沟槽 igbt 器件制造方法

[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201110343101.5无效
发明人：欧毅德;尹灵峰;刘传桂;林素慧 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明设计了双层透明导电层结构，第一层透明扩展层形成于p型半导体层上，P电极设置在外延结构层的中心区域，在p电极的四周设计了孔洞结构，孔洞结构里形成第二透明扩展层，并与n电极连接，形成一个等势面。电流从p电极注入后，通过第一透明扩展层向整个发光面扩散并由p型半导体层流向n型层，由于第二透明扩展层与n电极处于同一电势，电流向第二透明扩展层扩散，最后到达n电极。本发明保证了电流从p电极流向n电极的过程中都是均匀分布在外延发光层的，且P层的电流经过路径更短，同时改变了部分出光面的结构，从而有效地提高了发光效率。
氮化发光二极管及其制作方法

[发明专利]AC LED灯过流保护电路-CN201110360465.4无效
发明人：段晓飞;王琛;苏理;支彦伟 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种AC LED灯具过流保护电路，包括一个串联在AC LED灯具电路回路中的线性恒流电路，其特征在于，线性恒流电路的输出端连接n个的自控分流电路的输入端，n个自控分流电路并联在线性恒流电路的正、负输入端，其中，2≤n≤10。n个自控分流电路检测线性恒流电路两端的电压来确定工作模式。当恒流电路两端的电压上升并达到阀值时，n个自控分流电路依次关断，逐步降低峰值电流限流点，限制流过AC LED灯具电路的电流在额定范围内。
ac led 保护电路

[发明专利]信号相位差测量的方法-CN201210226187.8无效
发明人：龚国良;鲁华祥;边昳;金敏;陈天翔 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种信号相位差测量的方法，包括：步骤A，由1维被测信号与两个1维标准正弦参考信号组成3维的观测信号矩阵X(n)，其中，被测信号包含单频正弦测试信号及噪声信号；步骤B，对观测信号矩阵X(n)运行第一次寻优迭代运算，得到3×3的分离矩阵W1及3维的源分量矩阵S(n)；步骤C，判断源分量矩阵S(n)中噪声分量Ig(n)的所在行k；步骤D：当k＝1时，执行步骤G；步骤G：在混合矩阵A中选择两元素α，β，与源分量矩阵中的正弦分量和余弦分量进行线性加乘
信号相位差测量方法

[发明专利]原子永动机-CN201110128361.0无效
发明人：黄建章 -专利权人：黄建章
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：其工作原理如摘要附图所示，ABC为工作主轮圆周展开的工作磁片，G为辅轮半固定以N-N双联铆接的耦合磁片。因在GC之间有N-N磁力，故G向右推动C旋转运动；在BG之间有S-N磁力，故G向右拉动B旋转运动；当B即将碰撞G时，G向下或向上跳开让B通行，当B安全通过后G复位。
原子永动机

[发明专利]固定微生物的通孔膜微囊载体及其制备方法-CN200310111047.7无效
发明人：王广金;褚良银;陈文梅;王枢 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-12-01 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C12N11/00 文献下载
摘要：成膜溶液的溶剂为N，N－二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基亚砜(DMSO)、N，N－二甲基甲酰胺(DMF)、N－甲基吡咯烷酮(NMP)中的一种，或它们中任两种或两种以上的组合，溶质为聚醚砜(PES)、磺化聚砜
固定微生物通孔膜微囊载体及其制备方法

[发明专利]高度取向片状颜料及其制造方法-CN00128514.9无效
发明人：新田胜久;李邦银 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2000-09-30 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： C09C3/08 文献下载
摘要：通式为：(A)(RfC_nH_2nO)_mPO(OM)_3-m(B)(RfSO₂NRC_nH_2nO)_mPO(OM)_3-m其中Rf相同或不同，表示直链或支链C₃-C₂₁全氟烷基或全氟烷氧基，n为1-12，m为1-3，M表示氢、碱金属、铵基或取代铵基，R是氢或C₁-C₃烷基。
高度取向片状颜料及其制造方法

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