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- [发明专利]串行MRAM组件-CN02804074.0无效
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H·霍恩格施米德
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因芬尼昂技术北美公司
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2002-01-24
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2004-12-22
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H01L27/115
- 本发明系揭示一MRAM装置(100)及其制造方法,其具有串联连接在一起之磁性内存储存胞元或堆栈(MS0、MS1、MS2及MS3)。而装置(X0、X1、X2及X3)系分别并联连接至每一该磁性内存储存胞元(MS0、MS1、MS2及MS3)。活性面积(AA)系为连续,且接触通孔(VU1、VL1、VU2、VL2及VU3)系为藉由磁性堆栈(MS0、MS1、MS2及MS3)而为共享。N+区域(108、110、112、114、116及118)系藉由装置(X0、X1、X2及X3)而彼此连接在一起。
- 串行mram组件
- [发明专利]试剂容器盖、试剂容器单元以及试剂盒-CN202180052322.9在审
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D·克拉姆尼;K·霍夫林;A·舒尔茨;A·韦曼
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豪夫迈·罗氏有限公司
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2021-08-20
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2023-04-14
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B01L3/00
- 本发明公开了一种试剂容器盖(116),所述试剂容器盖适于安装到试剂容器并且适于至少在所述盖(116)的初始打开之后在打开状态与闭合状态之间可调节,其中所述试剂容器盖(116)限定盖内部空间(109)并且具有盖开口(116o),所述盖开口允许当所述盖(116)处于所述打开状态时从上方进入所述盖内部空间(109);并且其中在所述盖(116)的闭合状态下,所述盖内部空间(109)仅朝向底侧(116b)打开,其中所述试剂容器盖(116)包括固定连接至彼此且由不同材料制成的主部(116m)和插入部(116i),其中当所述盖(116)处于所述闭合状态时,所述盖内部空间(109)包括区域(109t),所述区域完全且排他地由所述插入部(116i)的表面沿周向并且朝向该区域的上侧界定。
- 试剂容器单元以及试剂盒
- [发明专利]电子部件的制造方法-CN201410076435.4有效
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乾真规
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株式会社村田制作所
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2014-03-04
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2014-09-24
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H01F41/00
- 在母生片(116a)的表面上形成引出导体层(20a)以及朝向与该引出导体层(20a)相差180°的方向的引出导体层(20d)。此时,以关于母生片(116a、116d)的表面的中心点(P)构成点对称的关系的方式形成引出导体层(20a)和引出导体层(20d)。同样地,在母生片(116b、116c)的表面上形成线圈导体层(18a、18b)以及引出导体层(20b、20c)。使母生片(116c、116d)相对于母生片(116a、116b)以中心点(P)为中心旋转180度之后,层叠母生片(116a~116d)。
- 电子部件制造方法
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