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[发明专利]开关及使用了该开关的开关电路-CN201210076091.8有效
发明人：山田光一 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：在第4n沟道MOSFET(Mn4)中，连接了源极端子与背栅端子之间。开关元件连接在第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子和地电位之间，且在第4n沟道MOSFET(Mn4)截止时将第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子设为地电位。保护电路(40)设置在第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子与上述开关元件的输入端子的连接点、和地电位之间，使因静电放电引起的从第4n沟道MOSFET(Mn4)的漏极端子流入的负电流流向地电位。
开关使用开关电路

[发明专利]一种电流型带隙基准源电路启动电路-CN200910059570.7有效
发明人：朱国军 -专利权人：和芯微电子（四川）有限公司
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流型带隙基准源电路启动电路，包括场效应管MP1、MP2、MN1、MN2、MN3组成的启动电路和基准源电路，其特征在于：所述启动电路还设置有用于检测是否有电流流过基准源电路的三极管的场效应管MN4和MN5，MN4的栅极和MN5的栅极连接，并连接到基准源电路的三极管的发射极N2端，MN4和MN5的源极和地AVSS相连，MN5的漏极和场效应管MN1的源极相连，MN4的漏极和MN2的源极相连；所述MN4和MN5设置有控制开启的阀值电压；本发明只需两个工作在开关状态的MOS开关来检测基准源电路是否正常工作，避免了基准源电路工作在小电流不完全启动的错误工作模式下；电路结构简单，节约了芯片面积，降低了成本
一种电流型带隙基准电路启动

[发明专利]亚带隙电压源电路-CN201510801630.3有效
发明人：王钊 -专利权人：无锡中感微电子股份有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G05F3/22 文献下载
摘要：偏置电路输出偏置电压；亚带隙电压产生电路包括MOS管MP3、MP4、MN3、MN4和MN5，双极型晶体管Q2和Q3，电阻R2。MP3、MP4的源极与电源端相连，它们的栅极与偏置电路的输出端相连，MP4的漏极与MN5的漏极相连，MP3的漏极经电阻R2与Q2的发射极相连。Q2的栅极接地，其集电极与MN3的漏极相连；Q3的发射极与MP3的漏极相连，其集电极与MN4的漏极相连；MN4的栅极与MN3的栅极相连；MN3、MN4、MN5的源极接地，MN5的栅极与MN4的漏极相连，MP4和MN5之间的连接节点与Q3的基极相连，并作为亚带隙电压输出端相连。
亚带隙电压电路

[实用新型]亚带隙电压源电路-CN201520926289.X有效
发明人：王钊 -专利权人：无锡中感微电子股份有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G05F3/22 文献下载
摘要：偏置电路输出偏置电压；亚带隙电压产生电路包括MOS管MP3、MP4、MN3、MN4和MN5，双极型晶体管Q2和Q3，电阻R2。MP3、MP4的源极与电源端相连，它们的栅极与偏置电路的输出端相连，MP4的漏极与MN5的漏极相连，MP3的漏极经R2与Q2的发射极相连。Q2的栅极接地，其集电极与MN3的漏极相连；Q3的发射极与MP3的漏极相连，其集电极与MN4的漏极相连；MN4的栅极与MN3的栅极相连；MN3、MN4、MN5的源极接地，MN5的栅极与MN4的漏极相连，MP4和MN5之间的连接节点与Q3的基极相连，并作为亚带隙电压输出端相连。
亚带隙电压电路

[发明专利]一种电平转换电路和多电压域的电子设备-CN202210318541.3在审
发明人：黄钧 -专利权人：北京紫光芯能科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：该电路包括：四个反相器INV1～INV4、四个N型开关管MN1～MN4和四个P型开关管MP1～MP4；INV3的输出接INV4的输入及MN1、MN3和MP3的控制极；INV4的输出接MN2、MN4和MP4的控制极；MN3和MN4的输出接地；MN1的输出接MP3的输出和MN3的输入；MN2的输出接MP4的输出和MN4的输入；MP3和MP4的输入接低电压；MP2和MP1的输入接高电压；MN1、MN2、MP1
一种电平转换电路电压电子设备

[发明专利]高速、低功耗电平移位电路-CN201710750385.7在审
发明人：徐江涛;王金龙;高静;史再峰;聂凯明 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明，高速、低功耗电平移位电路，由N型MOS器件MN1～MN4，P型MOS器件MP1～MP4，电容Mc以及两个反向器组成，MP3，MP4源端接VDDH，栅端连接在一起连接在MP3的漏端，MP3漏端连接MN3漏端，MP4漏端连接电容Mc上极板，MN3源端连接MN4漏端，MN4源端接地，输入信号IN连接在MN3栅端和低压反向器输入端，反向器输出与MP1，MN1栅端相连，MP1源端接VDDL，漏端与电容下极板相连，输出连接高压反向器输入端与MN4栅端。
高速功耗电平移位电路

[发明专利]一种新型的宽范围亚阈值电平移位器电路-CN201910046589.1在审
发明人：曹元;韩丽娟 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的宽范围亚阈值电平移位器电路，包括反相器电路和电平转换电路，所述反相器电路包括一个PMOS器件MP3和一个NMOS器件MN4；所述电平转换电路包括两个MP1~MP2和三个MN1~MN3；MP3的源极接低供电电压，MP3的漏极接MN4的漏极，MN4的源极接地；MP1、MP2的源极接高供电电压；MP1的漏极接MN1的漏极，MN1的源极接MN2的漏极，MN2的源极接地；MP2的漏极接MN3的漏极，MN3的源极接地；MP1、MP2的栅极相连后连接MN1的漏极后再接MN2的栅极；MP3、MN4的漏极接MN3的栅极。
漏极源极接地源极电平转换电路反相器电路移位器电路阈值电平低供电电压供电电压性能改善栅极相连接高能耗电路

[实用新型]一种单端输入的电压转换电路-CN201320834006.X有效
发明人：张锁印;任伟;时慧玲;陈震宇 -专利权人：大唐微电子技术有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：信号输入端分别与mn4和mp4的栅极相连，VCC1分别与mp4和mp3的源极相连，mp4的漏极分别与mn4的漏极，mp3、mn2和mn3的栅极、mn1的漏极相连，mn4和mn3的源极接地，mp3的漏极分别与mn3的漏极、mn1的栅极、mn2的源极相连，VCC2分别与mp1的源极和mp2的源极相连，mn1的漏极分别与mp1的漏极、mp2的栅极相连，mp2的漏极与mn2的漏极相连，mp1的栅极与信号输出端相连
一种输入电压转换电路

[发明专利]一种消除体效应与衬底泄露的双阱CMOS互补开关-CN201910498376.2在审
发明人：蔡超波;姜兴;宋树祥;岑明灿;叶紫君;华菲 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种能消除体效应与衬底泄露的双阱CMOS互补开关，所述开关包括4个P阱NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4和4个N阱PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4。MN1、MN2、MN3、MN4的栅极互连构成控制端SW；MP1、MP2、MP3、MP4的栅极互连构成反相控制端MN1、MN3与MP1、MP3的源极互连构成双向传输端I/O1；MN1、MN2与MP1、MP2的漏极互连构成双向传输端I/O2；MN3、MN4的漏极与MN1、MN2、MN3的体端以及MN2的源极相互连接；MP3、MP4的漏极与MP1、MP2、MP3的体端以及MP2的源极相互连接；MN4的源极、体端与地GND连接；MP4的源极、体端与电源VDD连接。
体端源极互连衬底漏极泄露互补开关双向传输消除体导通电阻反相控制开关导通开关断开源极互连控制端体效应线性度电路电源

[发明专利]一种具有高功率因数特性的LED驱动电路-CN201510564212.7有效
发明人：李泽宏;汪榕 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明的电路主要结构为整流电路输出连接功率管MN1、MN3、MN5的漏端，电阻R2、R4、R6和第四LED单元。功率管MN1、MN3、MN5的源端分别连接第一第二第三LED单元；MN1、MN3、MN5的栅分别连接电阻R2、R4、R6的一端且同时连接到MN2、MN4、MN6漏端；MN2、MN4、MN6源端接地；MN2栅极接R3上端，MN4栅连接到二极管D5负端，二极管D5正端再连接到R5，D7负端连接MN2栅；MN6栅连接到二极管D6负端，二极管D6正端再连接到R8，D8负端连接MN4栅，D9负端连接MN2栅。
一种具有功率因数特性 led 驱动电路

[发明专利]一种为存储单元提供稳定电压的系统-CN201210122819.6有效
发明人：刘铭;张赛;程莹 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：该系统包括：恒流电路、电流镜、PMOS管MP1、六个NMOS管MN1至MN6；其中，电流镜上电流相同的两端分别与恒流电路的输出端及MP1的源极相连；MP1的栅极与MN6的栅极相连，进而接一使能信号；MP1的漏极分别与MN3的栅极、MN4的漏极、MN5的栅极和漏极、MN6的漏极相连；MN4的栅极分别与MN3的源极以及MN1的漏极相连；MN1的栅极与MN2的栅极均接电源；MN1的源极与MN2的漏极相连；MN2的源极接存储单元；MN4的源极、MN5的源极以及MN6的源极均接地。
一种存储单元提供稳定电压系统

[发明专利]一种低匹配线电容的TCAM单元-CN201510468136.X有效
发明人：张建伟;郑善兴;吴国强;陈晓明;丁秋红;滕飞;马万里;李佳琪;王政操;郝文凯 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种TCAM单元，一种低匹配线电容的TCAM单元，包括MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5及反相器T1、T2、T3、T4，所述T1输出端与T2输入端相连作为存储数据D端，T1输入端与T2输出端相连作为D#端，MN1栅极与D#端相连，MN2栅极与D端相连；T3输出端与T4输入端相连作为屏蔽位M端，T3输入端与T4输出端相连作为M#端；MN3栅极与M#端相连，源极分别与MN1、MN2漏极相连，MN4栅极与M端相连，源极接地，MN3、MN4漏极相连并与MN5栅极相连，源极接地，漏极与匹配线ML相连。本发明TCAM单元的匹配线等效电容仅为传统NOR型TCAM单元匹配线等效电容的1/4，大大降低了匹配线功耗。另外，由于D和D#互补，避免了两个MOS管之间短路问题的发生。
一种匹配电容 tcam 单元

[发明专利]高Q值可调谐差分式有源电感-CN201410186734.3有效
发明人：张万荣;陈昌麟;赵飞义;卓汇涵;白杨 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：值不高的问题；该发明包括电源、输入输出端、偏置电路和差分Cascode基本结构，还包括有源电阻反馈网络，它由无源电阻Rf和PMOS晶体管Mp3并联构成，并且所述有源电阻反馈网络的两端和差分Cascode结构中的Mn1、Mn2管的漏极相连接；所述差分Cascode结构由Mn1、Mn2、Mn3和Mn4晶体管构成，且Mn1、Mn2晶体管和Mn3、Mn4晶体管分别以交叉耦合对的形式相连接，并且Mn3、Mn4晶体管的漏极与Mn1、Mn2晶体管的源极接在一起；本发明通过对有源反馈电阻网络和偏置电路的调谐，可实现对差分式有源电感的电感值和Q值的可调谐性。
调谐分式有源电感

[发明专利]一种减小系统失调的放大器-CN202210675452.4在审
发明人：陈奇;于翔 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：一种减小系统失调的放大器，通过在电流镜做负载的五管放大器电路基础上增加由第四NMOS管Mn4和第五NMOS管Mn5构成的钳位电路，Mn4和Mn5的钳位作用能够使得放大器中NMOS差分对的第一NMOS管Mn1和第二NMOS管Mn2漏源电压均在放大器的正常工作范围内保持相等，当输出电压Vout变化时，Mn1和Mn2的漏源电压跟随变化且可以保持相等，从而减小Mn1和Mn2的系统失调。
一种减小系统失调放大器

[发明专利]高频信号线性放大器-CN201280017663.3在审
发明人：艾哈迈德·阿里夫;雷纳托·内格拉 -专利权人：亚琛工业大学
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：所述放大器包括有：用于接收放大高频信号（RFin）的信号输入端（IN）；用于放大所述高频信号的第一放大装置（Mn1、Mn2），所述第一放大装置是漏极输出电路或源极跟随输出电路或类似的电路；与所述第一放大装置（Mn1、Mn2）并联并且放大所述高频信号的第二放大装置（GB；Mn3、Mn4、Mn5、Mn6），以及一个用于输出由所述第一和所述第二放大装置（GB；Mn3、Mn4、Mn5、Mn6）的高频信号（RFout
高频信号线性放大器

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