专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]对被处理物进行处理的方法-CN201780020009.0有效
  • 木原嘉英;久松亨 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-03-27 - 2023-06-30 - H01L21/3065
  • 一实施方式中晶片(W)具备被蚀刻层(EL)和设置在被蚀刻层(EL)上的掩膜(MK4),一实施方式的方法(MT)通过重复执行序列(SQ3),并对每个原子层除去被蚀刻层(EL)来对被蚀刻层(EL)进行蚀刻,该序列(SQ3)包括:工序(ST9a),通过产生等离子体并对平行平板电极的上部电极(30)施加直流电压来照射二次电子、并且用氧化硅化合物覆盖掩膜(MK4);工序(ST9b),生成氟碳系气体的等离子体并在被蚀刻层
  • 处理进行方法

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