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[发明专利] 一种具有抑制肥胖作用的多肽及其应用 -CN202011132986.X 有效
发明人：
王中山 ;张梦
- 专利权人：
徐州医科大学
申请日：
2020-10-21
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公布日：
2021-07-02
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主分类号：
C07K19/00 文献下载
摘要： 本发明公开了一种具有抑制肥胖作用的多肽及其应用，该多肽命名为TAT‑MC 4R1，为SEQ ID NO：1所示的氨基酸序列的多肽。本发明提供的多肽TAT‑MC 4R1来源于MC 4R1受体羧基末端氨基酸序列，TAT‑MC 4R1能够在激动剂作用于MC 4R1受体时，和MC 4R1受体羧基末端序列竞争性的被G蛋白偶联受体激酶磷酸化，TAT‑MC 4R1磷酸化后能够与β‑arrestin 2 相结合，替代MC 4R1受体和β‑arrestin 2 发生相互作用，从而对肥胖及其诱发的糖尿病等并发症产生抗性。本发明的多肽TAT‑MC 4R1在减肥和预防糖尿病等肥胖并发症过程中具有应用潜力。一种 具有 抑制 肥胖 作用 多肽 及其 应用
[发明专利] 混合断路器、混合断路系统及断路方法 -CN201980102025.3 在审
发明人：
杜峰 ;贝克特·托马斯 ;姚远 ;庞建国
- 专利权人：
西门子股份公司
申请日：
2019-12-16
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公布日：
2022-06-24
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主分类号：
H02H3/087 文献下载
摘要： 所述混合断路器(100)包括：一个第一机械接触(MC 1 )；一个半导体断路器(MSS)，其连接与所述第一机械接触(MC 1 )；一个能量吸收器(AC)，其并联于所述半导体断路器(MSS)；一个第二机械接触(MC 2 MC 2 MC 2 MC 2 MC 2 MC 1 混合 断路器 断路 系统 方法
[实用新型] 喷射吸氨器 -CN200820051266.9 有效
发明人：
邱玉佩
- 专利权人：
邱玉佩
申请日：
2008-07-25
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公布日：
2009-08-12
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主分类号：
C01D7/00 文献下载
摘要： 本实用新型公开了一种喷射吸氨器，包括气室(1)、喷射管(2 )和扩散管(3)，各管件之间通过法兰连接；气室(1)和扩散管(3)均为MC 尼龙和金属双层复合结构(4)，其中MC 尼龙层(41)镶嵌在金属层(42)内壁及法兰面上，法兰内侧开有环状凹槽(43)；喷射管(2 )管壁为单层MC 尼龙结构；喷射管(2 )细口端与喷头(22)形成喇叭形。这样的结构，MC 尼龙层与金属层紧密结合，不但具有MC 尼龙管道优良的耐磨和耐腐蚀性，又具有金属管的高强度、适应温度范围大、耐冲击性能好的特点，同时，吸氨效果好。喷射 吸氨器
[发明专利] 基于MBMS多级承载质量指示符的动态MBMS/单播承载建立 -CN202080015232.8 在审
发明人：
约翰·卡米洛·索拉诺阿雷纳斯 ;乔金·阿克松
- 专利权人：
瑞典爱立信有限公司
申请日：
2020-02-18
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公布日：
2021-09-28
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主分类号：
H04W4/90 文献下载
摘要： 本文公开了一种由包括MC 服务客户端的无线设备(112)执行以实现对MC 服务的传输的接收的方法，该方法包括以下步骤：在无线设备位于第一MBSFN区域中时，通过由第一TMGI标识的第一MBMS承载接收(1‑5、1‑6)用于MC 服务的MC 服务媒体；向MC 服务服务器114发送(2 ‑5、2 ‑6)第一MBMS监听状态报告，第一MBMS监听状态报告通知MC 服务服务器通过第一MBMS承载成功接收到MC 服务媒体，并且包括指示与第一MBMS承载相关的接收质量等级的第一MBMS承载质量指示符；向MC 服务服务器发送(4‑5、4‑6)位置信息报告，位置信息报告指示无线设备现在位于第一MBSFN区域与第二MBSFN区域之间的重叠区域中，在该重叠区域中，第一MBMS承载和由第二TMGI标识的第二MBMS承载都处于活跃状态；接收(5‑5)具有与第二MBMS承载相关的信息的MBMS承载通告，其向无线设备指示第一MBMS承载和第二MBMS承载传输相同的MC 服务媒体；以及向MC 服务服务器发送(6‑5、5‑6)第二MBMS监听状态报告，第二MBMS监听状态报告通知MC 服务服务器可以通过第一MBMS承载和第二MBMS承载成功接收MC 服务媒体，并且包括指示与第一基于 mbms 多级 承载 质量 指示 动态 建立
[发明专利] 非易失性半导体存储器 -CN201580046348.7 有效
发明人：
高谷聪 ;野口纮希 ;藤田忍
- 专利权人：
东芝存储器株式会社
申请日：
2015-06-30
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公布日：
2019-10-29
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主分类号：
G11C11/15 文献下载
摘要： 实施方式的非易失性半导体存储器具备：写入电路(13a－0)，生成使存储器单元(MC )从第1电阻值变化为第2 电阻值的写入电流(Iw(t))；第1电流生成电路(T11(y1))，根据在存储器单元(MC )中流过的写入电流(Iw(t))，生成第1电流(Iw'(t))；第2 电流生成电路(T13(y3))，根据在存储器单元(MC )中流过的写入电流(Iw(t))，生成第2 电流(Iw'(t)×α)；保持电路(22)，保持根据存储器单元(MC )是第1电阻值时的第2 电流(Iw'(t)×α)生成的第1值；以及比较器(23)，比较根据存储器单元(MC )从第1电阻值变化为第2 电阻值的过程中的第1电流(Iw'(t))生成的第2 值和第1值。非易失性 半导体 存储器
