专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]分析功率半导体装置的操作-CN202180017881.6在审
  • A·布莱恩特 - 赖茵豪森机械制造公司
  • 2021-02-12 - 2023-01-31 - G01R31/26
  • 分析功率半导体装置的操作,一种用于分析功率半导体装置(PS1,PS2,PS3)的操作的方法包括:确定装置(PS1,PS2,PS3)的参考电压(V1,…Vn,…VN)的集合和电流(I1,…In,…IN),并测量在预定的时间间隔内装置(PS1,PS2,PS3)的Nframe个导通状态电压(Vmeas(1),…Vmeas(k),…Vmeas(Nframe))和Nframe个对应的导通状态电流(Imeas(1),…Imeas(k),…Imeas(Nframe)),以获得Nframe个测量点(MP(1),…MP(k),…MP(Nframe))。通过对Nframe个测量点(MP(1),…MP(k),…MP(Nframe))进行最小二乘拟合,来调整参考电压(V1,…Vn,…VN)的集合。经调整的参考电压(V1,…Vn,…VN)的集合用于分析功率半导体装置(PS1,PS2,PS3)的操作。
  • 分析功率半导体装置操作
  • [发明专利]一种数字图像秘密分享及恢复方法-CN201110216491.X有效
  • 唐聃;舒红平;方佳嘉 - 成都信息工程学院
  • 2011-07-30 - 2012-04-25 - G06T1/00
  • 本发明公开了一种图像秘密分享及恢复方法,包括如下步骤:(1)构造RS删除码生成矩阵G(k+n)×k;(2)初始化n个集合v1,v2,Λ,vn,同时赋予集合vi一个唯一的编号di=i,其中1≤i≤n;(3)按照一定的顺序依次从秘密图像S中取出k个未进行分享操作的像素点,记作αk×1=(a1,a2,Λ,ak)Γ;(4)利用RS删除码生成矩阵G(k+n)×k对αk×1进行编码操作,可得到码字β,β(k+n)×1=(G(k+n)×k·αk×1)mod 251;(5)将产生的码字向量β中的最后n个元素(bk+1,bk+2,Λ,bk+n)按顺序依次放入集合v1,v2,Λ,vn中;(6)判断秘密图像S中的所有像素点是否全部处理完毕,若是,则进入步骤(7),否则,返回步骤(3);(7)任意选取n幅图像作为掩盖图像,将集合v1,v2,Λ,vn中的数据分别嵌入到n幅掩盖图像中,得到最终的n幅影子图像Y1,Y2,Λ,Yn。
  • 一种数字图像秘密分享恢复方法
  • [发明专利]深度可分离卷积的加速方法和存储介质-CN201911336362.7有效
  • 许勇;刘灵辉 - 福建星网视易信息系统有限公司
  • 2019-12-23 - 2023-05-23 - G06N3/0464
  • 本发明公开了一种深度可分离卷积的加速方法和存储介质,包括步骤:计算深度可分离卷积的输入/输出数据的排序,使所述输入/输出数据在内存中按卷积时的访问顺序连续存储;计算矩阵卷积所需的寄存器数量nr,nr=k×k+k+rk,其中,k为深度卷积系数大小,rk为kvn向上取整的数量;判断矩阵卷积所需的寄存器数量nr是否小于等于SIMD寄存器组所能存储的vn数量tn,若是,则使用SIMD寄存器组直接进行深度可分离卷积,若否,则将系数矩阵分成mk份,每次处理nk行,使mk×nk小于等于k,以及使tr取小于tn的最大值,其中,所述tr=k×nk+nk+rk。
  • 深度可分离卷积加速方法存储介质

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