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[发明专利]栅极驱动电路、阵列基板及显示装置-CN201410797938.0在审
发明人：曹尚操;戴超;李长晔 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：该栅极驱动电路用于向Gn输出栅极驱动信号，包括上拉电路、下传晶体管和下拉电路；其中，上拉电路用于向所述栅极驱动电路中的基准点输出高电位，所述上拉电路的第一输入端连接Gn-1，所述上拉电路第二输入端连接Gn
栅极驱动电路阵列显示装置

[发明专利]一种高效制备高强高导铜基复合导线的方法-CN202310362635.5在审
发明人：鲍瑞;张双银;刘亮;杨亚杰;易健宏 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B22F5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效制备高强高导铜基复合导线的方法，通过高纯柠檬酸或柠檬酸盐一步生成零维GQDs负载在二维GN表面的多维增强相，采用搅拌球磨机制备公斤级的GQDs@GN/Cu复合粉末，然后通过预压成形和微波烧结设备制备复合棒材，最后使用冷挤压将圆柱状的棒材挤压成线材，该方法最终制备出的GQDs@GN/Cu复合线材的屈服强度和抗拉强度分别为274MPa和314MPa，导电率高达95.3％IACS；本发明制备时间短、工艺简单、生产成本低
一种高效制备高强高导铜基复合导线方法

[实用新型]一种适用于XGN柜的GN19隔离开关安装板-CN201821190208.4有效
发明人：张明棋;王勇;何柏群;陈太祥;孙晨;祝俊;杨爱莲;姚建明 -专利权人：江苏银佳电气设备有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H02B1/048 文献下载
摘要：本实用新型的提供的一种适用于XGN柜的GN19隔离开关安装板，属于开关柜构件技术领域。本实用新型所述的适用于XGN柜的GN19隔离开关安装板，包括安装板本体；所述的安装板本体成分为上、下层折边板相互叠加形成；所述的安装板本体正端面设有调节孔；所述安装板本体的侧端面设有安装孔二；所述的调节孔的两侧还设有安装孔一本实用新型采用的适用于XGN柜的GN19隔离开关安装板，通用性强，结构设计简单，便于加工，便于安装在各种型材柜上。
安装板本体隔离开关安装板本实用新型安装孔隔离开关安装构件技术领域便于安装通用性强侧端面开关柜折边板正端面下层叠加加工

[发明专利]一种苜蓿三系配套系的选育方法-CN201510810834.3在审
发明人：徐安凯;于洪柱;王志锋;任伟;徐博;齐宝林;耿慧;栾博宇;周艳春;刘卓;王连武;贾瑞;王多伽;高阳;金春花;王迪;李达;张世超 -专利权人：吉林省农业科学院
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： A01H1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种苜蓿三系配套系的选育方法，包括以下步骤：步骤一、筛选出雄性不育株，进一步对其花粉育性进行重复鉴定，将雄性不育完全而雌性可育的植株标记为MS-GN；步骤二、选取不同的苜蓿品种或品系，分别与步骤一中所述的雄性不育株进行测交试验，选育出杂交后代出现雄性不育植株的父本作为保持系GN-B-1；步骤三、为使不育系不育性状更加稳定，也为了保持系材料GN-B-1与不育系杂交后代的不育性状更加稳定，将保持系材料与不育系材料进行多代回交，获得保持系的同型不育系MS-GN-2-1；步骤四、对步骤二中父本与步骤一中的不育系材料杂交并恢复育性的杂交组合，选育恢复系材料。
一种苜蓿配套选育方法

[发明专利]用于实施测试的测试台和方法-CN201880078262.6有效
发明人： C·西格诺;E·库尔勒;G·霍赫曼;W·温克勒 -专利权人： AVL李斯特有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01M15/04 文献下载
摘要：中识别出若干个在车辆速度(v)与发动机转速(N)之间具有线性关系的区域(Bn)，并且聚类算法将各数据点(DP)配置给所述若干个区域(Bn)，并且对于每个区域(Bn)计算一个类中心(CZn)，所述类中心被相应地解释为挡位(Gn)，将与所述区域(Bn)的类中心(CZn)相关联的挡位(Gn)配置给区域(Bn)的数据点(DP)，以便获得挡位(Gn)的时间序列，并且将挡位(Gn)的所确定的时间序列用作测试运行的理论值(SW)或用于确定所述测试运行的另外的理论值
用于实施测试方法

[发明专利]像素结构、阵列基板-CN202011049894.5有效
发明人：詹霞;马艳玲;高建波;张书彦;贡志峰;王晨;张鹏;杨海波;林木楠 -专利权人：东莞材料基因高等理工研究院;广东书彦材料基因创新科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：中区子像素和次区子像素,主区子像素、中区子像素和次区子像素分别通过不同的薄膜晶体管连接到同一条数据线上，进而进行控制液晶电容的充放电，第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接到同一条栅极线Gn上，Gn输出高低电平。第三薄膜晶体管位于下一栅极线Gn+1上，控制次区子像素的电压。第五薄膜晶体管的栅极与栅极线Gn相连，控制中区子像素的电压。
像素结构阵列

[发明专利]一种运载火箭瞄准方法及装置-CN202110431078.9有效
发明人：何欢;狄世超;陈令刚;王岩;陈为;刘聪聪;李超;贾永涛;王明华;范虹;陈雨;高明杰;贺永喜;高秋娟 -专利权人：北京航天发射技术研究所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： F41G1/46 文献下载
摘要：实时获取自准直光管输出的其轴线相对箭上目标棱镜法线的偏角，即方位角ψg和俯仰角θg；计算自准直光管轴线的方位角ψgn和俯仰角θgn；根据ψgn、θgn和ψ
一种运载火箭瞄准方法装置

[发明专利]扫描型红外成像系统的场景非均匀校正方法-CN201110345226.1无效
发明人：樊凡;马泳;周波;梁琨 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：一种扫描型红外成像系统的场景非均匀校正方法，包括步骤：从红外探测器获取红外视频流，并设置L＝1，判断红外视频流第L帧图像是否是红外视频流的第一帧，若第L帧图像是红外视频流的第一帧，则设置n＝0，读取线列探测器每个像元的增益系数Gn(i)和偏移系数On(i)，根据增益系数Gn(i)和偏移系数On(i)对第L帧图像中每个像素进行非均匀校正，以得到非均匀校正结果，对第L帧图像中每个像素的非均匀校正结果执行邻域中值处理，以得到非均匀校正期望结果，根据第L帧图像中每个像素的非均匀校正结果和非均匀校正期望结果，使用最小二乘法法对增益系数Gn(i)和偏移系数On(i)进行处理，以得到Gn+1(i)和On+1(i)。
扫描红外成像系统场景均匀校正方法

[实用新型]HVX12断路器与GN30隔离开关联锁装置-CN201220377004.8有效
发明人：毛惠生;肖东 -专利权人：江山市开关厂有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01H9/26 文献下载
摘要：一种HVX12断路器与GN30隔离开关联锁装置，包括HVX12断路器及其联锁杆，以及GN30隔离开关及其拔叉销轴、操作盘，所述联锁杆的一端与HVX12断路器的控制杆相联接，其特征是：在所述联锁杆与拔叉销轴之间具有一连杆本实用新型在HVX12断路器的联锁杆和GN30隔离开关的拔叉销轴之间增设一连杆后，利用旋动隔离开关操作面板上的操作盘，从而控制HVX12断路器的通断，实现隔离开关工作位置或隔离位置的联锁功能，完成HVX12断路器和GN30隔离开关的组合应用目的。
hvx12 断路器 gn30 隔离开关联锁装置

[发明专利]一种碳化硅MOSFET的并联均流结构-CN201910038511.5有效
发明人：庞云亭;郭心铭;韦统振;霍群海 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：每个驱动电源串联一个均流电感器，均流电感器连接驱动电阻，驱动电阻连接一个单体MOSFET，即驱动电源ug1、ug2、……、ugn的正极连接均流电感器Lg1、Lg2、……、Lgn的一端a1、a2、……、an，均流电感器Lg1、Lg2、……、Lgn的另一端b1、b2、……、bn连接驱动电阻Rg1、Rg2、……、Rgn的一端，驱动电阻Rg1、Rg2、……、Rgn的另一端连接单体碳化硅MOSFET Q
一种碳化硅 mosfet 并联结构

[发明专利]一种特异性结合GPC3蛋白的纳米抗体GN1及其制备方法和应用-CN201910843775.8有效
发明人：段斯亮;于声;桂雄;于亚婷 -专利权人：广西科技大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C07K16/30 文献下载
摘要：本发明涉及生物技术领域，特别涉及一种特异性结合GPC3蛋白的纳米抗体GN1；所述纳米抗体GN1由重链抗体的可变区组成；所述重链抗体的可变区包括抗原决定簇互补区和骨架区；所述骨架区选自由FR1、FR2、FR3本发明的纳米抗体GN1能特异性结合高表达GPC3蛋白的肝癌细胞，抑制肝癌细胞增殖。纳米抗体GN1的氨基酸序列或纳米抗体GN1的核苷酸序列或包含其核苷酸序列的重组质粒或包含其核苷酸序列重组质粒的重组细胞均可应用于制备诊断试剂的研发和治疗肝癌的药物。
一种特异性结合 gpc3 蛋白纳米抗体 gn1 及其制备方法应用

[发明专利]图像显示装置、图像显示设备和驱动图像显示装置的方法-CN01142792.2有效
发明人：古立学;卡伊·施勒彭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-12-07 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：第二和第三TFT连接到栅极线Gn+1,以及第一TFT连接到栅极线Gn+2。
图像显示装置显示设备驱动方法

[外观设计]分散控制系统卡件（EDPF-Gn）-CN202230144350.0有效
发明人：王建;麻贵峰;杜百万;路世英 -专利权人：国能智深控制技术有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：分散控制系统卡件（EDPF‑Gn）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作分散控制系统（EDPF‑Gn）卡件、用于自动化工控设备壳体。
分散控制系统 edpf gn

[发明专利]一种暴露(010)晶面BiOCl/类石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用-CN201811496661.2有效
发明人：谈国强;张丹;王敏;李斌;任慧君;夏傲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种暴露(010)晶面BiOCl/类石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用，本发明采用光照复合法，光照BiOCl在(010)晶面产生电子，而在(100)和(001)晶面产生空穴，空穴会与具有负电荷的层状结构在四方相、空间点群为P4/nmm(129)BiOCl的(100)和(001)晶面负载层状g‑C3N4，暴露出BiOCl(010)晶面，形成暴露(010)晶面BiOCl/g‑C3N4复合光催化剂。形成的暴露(010)晶面BiOCl/g‑C3N4复合光催化剂具有较高的光催化反应活性。
一种暴露 010 biocl 石墨氮化复合光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]（010）面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用-CN202111548883.6有效
发明人：修向前;李悦文;许万里;陶涛;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用，其步骤包括：(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗；(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理，从而在氧化镓单晶的(010)面表面或全部形成多孔非极性GaN层；(3)在步骤(2)获得的多孔非极性GaN层上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延，得到非极性自支撑GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得非极性GaN及非极性GaN自支撑衬底的方法，采用(010)面氧化镓单晶通过氮化得到非极性GaN，进一步外延得到非极性GaN薄膜或自支撑衬底，从而实现大尺寸高质量低成本非极性GaN
010 氧化镓单晶制备极性 gan 衬底中的应用