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[外观设计]核心板（FET3588-C）-CN202230711547.8有效
发明人：郝成东;梁飞;于洪飞;杨博;宋明洋 -专利权人：保定飞凌嵌入式技术有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： 14-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：核心板（FET3588‑C）。2.本外观设计产品的用途：用于实现设备智能化的板卡。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
核心 fet3588

[发明专利]基于FPGA与RK3588的视频信号采集电路-CN202310438026.3在审
发明人：吴华明;张红;刘国亮 -专利权人：合肥同智机电控制技术有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H04N23/80 文献下载
摘要：本发明公开了基于FPGA与RK3588的视频信号采集电路，其特征在于，包括多路SDI解码器、串并转换器、FPGA芯片以及RK3588芯片，每路SDI解码器分别接收一路摄像头的3G‑SDI信号，多路SDI解码器的输出信号通过串并转换器进行串并转换以后输出给FPGA芯片，FPGA芯片进行视频格式解析、像素格式处理以及低延时处理之后将数据通过视频MIPI接口输出，RK3588芯片的MIPI接口与FPGA芯片的视频MIPI接口连接；本发明的优点在于：解决了RK3588芯片不支持SDI视频接口的问题，扩展了RK3588芯片的接口类型，使得RK3588芯片实际应用不具有接口类型的局限性。
基于 fpga rk3588 视频信号采集电路

[外观设计]沙发(3588)-CN201830622599.1有效
发明人：邱允剧 -专利权人：鼎华家具（惠州）有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： 06-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：沙发(3588)。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于供人们休息。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的整体形状。
外观设计省略仰视沙发整体形状休息图片

[外观设计]壁灯（3588）-CN201930329090.2有效
发明人：杨胜平 -专利权人：杨胜平
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：壁灯（3588）。;2.本外观设计产品的用途：室内照明。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
壁灯（3588）

[外观设计]吊灯（3588）-CN202030129203.7有效
发明人：陈晨 -专利权人：陈晨
申请日： 2020-04-05 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吊灯（3588）。2.本外观设计产品的用途：室内照明。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
吊灯 3588

[外观设计]脱毛仪（3588）-CN201730547069.0有效
发明人：伍世和 -专利权人：伍世和
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：脱毛仪（3588）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于美容仪器。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的外形。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
脱毛 3588

[外观设计]儿童椅（3588）-CN202330019179.5有效
发明人：王光才 -专利权人：上海博陆家居有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： 06-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：儿童椅（3588）。2.本外观设计产品的用途：用于供儿童就坐。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
儿童 3588

[外观设计]床架（3588#）-CN202330214090.4有效
发明人：明金兰 -专利权人：赣州众宏城创意设计有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： 06-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：床架（3588#）。2.本外观设计产品的用途：用于家具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
床架 3588

[发明专利]高效率、宽度电可调的场效应晶体管及其实现方法-CN94115709.1无效
发明人：查尔斯·E·韦策尔;戴维·J·霍尔钦 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1994-08-25 - 公布日： 1995-09-20 - 主分类号： H01L29/784 文献下载
摘要：这是一种用来减小功耗的可变宽度FET，可变宽度FET包括FET，开关FET和另一个开关FET。开关FET具有与FET的栅极、漏极、源极并联的栅极、漏极和源极。此外，开关FET每个都有一用来开启相应器件的控制栅极。开启的开关FET增加可变宽度FET的宽度，从而增加其功率处理能力。截止开关FET减小可变宽度FET的宽度，从而减少所需的直流偏置电流以降低功耗。
高效率宽度可调场效应晶体管及其实现方法

[发明专利]串联/分路开关及操作方法-CN200380109224.6无效
发明人：克里斯托弗·N·布林德尔 -专利权人： M/A－COM公司
申请日： 2003-12-16 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种开关，包括其间连接了串联FET的至少两个串联的信号端口、和具有FET的分路路径，由此将输入偏置施加到串联FET的栅极和分路FET的漏极。在一个实施例中，该开关包括：控制信号输入；跨过第一端口和第二端口串联连接的FET，该串联FET具有耦接到控制信号输入的栅极；以及由FET提供的分路路径，该分路FET具有耦接到控制信号输入和串联FET栅极的漏极，由此将单个控制信号经由控制信号输入施加到串联FET和分路FET二者，以便导通串联FET并同时关断分路FET，以及相反，以便关断串联FET并同时导通分路FET。
串联分路开关操作方法

[发明专利]电子控制装置以及搭载了该电子控制装置的电动助力转向装置-CN201680043751.9有效
发明人：熊谷绅;瓜生恭正;安藤信彦 -专利权人：日本精工株式会社
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种电子控制装置以及搭载了该电子控制装置的电动助力转向装置，该电子控制装置以不增加成本的方式通过FET短路检测单元来诊断逆变器FET的短路故障，并使得能够适当地处理诊断结果，同时还具备用来诊断是否存在FET短路检测单元的故障的功能。本发明的电子控制装置经由MCU并且通过由具有高端FET以及低端FET的电桥构成的逆变器来对电动机进行驱动控制，其具备基于高端FET以及低端FET的各个连接点电压来检测出高端FET以及低端FET的短路故障的FET短路检测单元和用来检测出FET短路检测单元的故障的检测单元故障诊断功能，检测单元故障诊断功能在启动时诊断FET短路检测单元的故障，当检测出FET短路检测单元的故障的时候，关断高端FET以及低端FET，在没有检测出FET短路检测单元的故障的情况下，FET短路检测单元诊断高端FET以及低端FET的短路故障。
电子控制装置以及搭载电动助力转向

[发明专利]高电压输出放大器-CN201910195907.0有效
发明人：小仓静雄 -专利权人：小仓将希
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03F1/48 文献下载
摘要：提供一种高电压输出放大器，正侧输出级电路的高电压放大器具备Nch MOS FET和Nch MOS FET，负侧输出级电路的高电压放大器具备Nch MOS FET和Nch MOS FET，连接Nch MOS FET的源极和Nch MOS FET的漏极，连接Nch MOS FET的源极和Nch MOS FET的漏极，分别对Nch MOS FET的源极、Nch MOS FET的源极进行电流控制，通过负侧光电耦合器对Nch MOS FET的源极进行电流控制，经过电容器连接了Nch MOS FET的栅极和Nch MOS FET的栅极。
电压输出放大器

[发明专利]使用大规模 FET 阵列测量分析物的方法和装置-CN201580076496.3有效
发明人： K.G.菲夫 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其中包含串联连接至第二效应晶体管(FET)的第一FET，以及串联连接至所述第一FET和第二FET的第三FET。所述半导体装置另外包括耦合到所述第一FET和第二FET的偏置电路以及耦合到所述第二FET之端子的输出导体，其中所述输出导体获得来自第二FET的输出信号，后者与第一FET无关。
使用大规模 fet 阵列测量分析方法装置

[发明专利]一种双平衡FET混频器-CN201911007933.2有效
发明人：姚鸿飞 -专利权人：北京信芯科技有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明公开了双平衡FET混频器，所述双平衡FET混频器包括FET环形混频核心、射频平面巴伦、本振平面巴伦和中频平面巴伦，所述FET环形混频核心由第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管相互连接而成，所述射频平面巴伦、本振平面巴伦和中频平面巴伦均采用MARCHAND巴伦，直流偏置电压VG通过本振平面巴伦的耦合线引入到四个FET器件的栅级，四个FET器件的栅压直流偏置电压VG，通过调节直流偏置电压VG来控制第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管的偏置状态。
一种平衡 fet 混频器

[发明专利]包括具有隔离沟道的增强型和耗尽型FET的双极性/双FET结构-CN200980142274.1有效
发明人： P·J·赞帕尔迪;M·孙 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2009-09-23 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：根据示范性实施例，一种双极性/双FET结构包括位于衬底上方的双极性晶体管。双极性/双FET结构还包括位于衬底上方的增强型FET和耗尽型FET。在双极性/双FET结构中，增强型FET的沟道位于双极性晶体管的基极上方，耗尽型FET的沟道位于双极性晶体管的基极下方。增强型FET的沟道与耗尽型FET的沟道隔离，以便使增强型FET与耗尽型FET解耦。
包括具有隔离沟道增强耗尽 fet 极性结构

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