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[发明专利]一种基于苯并噁唑基吡啶的碘化亚铜配合物橙色发光材料-CN201610307191.5在审
发明人：柴文祥;陈岗;宋莉;朱秋梦;华有杰;李银群;陈智;唐高 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于苯并噁唑基吡啶的橙色磷光CuIN2P型亚铜配合物发光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由碘化亚铜与配体进行配位反应得到，其分子结构式为CuI(2‑PBO)(o‑Tol₃P)，式中2‑PBO和o‑Tol₃P分别为电中性配体2‑(2‑苯并噁唑)吡啶和三(邻甲基苯基)膦。
一种基于噁唑基吡啶碘化配合橙色发光材料

[发明专利]一种CuIN2P四面体配位构型亚铜配合物橙黄色发光材料-CN201510393755.7在审
发明人：宋莉;吴叶文;蒋畅;王秋华 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种橙黄色磷光CuIN2P四面体型亚铜配合物发光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由碘化亚铜与配体进行配位反应得到，其分子结构式为CuI(o-anisyl₃P)(DAF)，式中o-anisyl₃P和DAF分别为电中性的含P配体三(2-甲氧基苯基)膦和杂环配体4，5-二氮杂芴。
一种 cuin2p 四面体构型配合橙黄色发光材料

[发明专利]一种CuIN2P型亚铜配合物红色发光材料-CN201510353151.X有效
发明人：柴文祥;宋莉;陶晓栋;秦来顺;沈杭燕;梁佳萍;田光磊;陈智;陈海潮;魏钦华;陈忠奉 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种红色磷光CuIN2P型亚铜配合物发光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由碘化亚铜与配体进行配位反应得到，其分子结构式为CuI(2‑PBO)(TXP‑2，5)，式中2‑PBO和TXP‑2，5分别为电中性配体2‑(2‑苯并噁唑)吡啶和三(2，5‑二甲苯基)
一种 cuin2p 型亚铜配合红色发光材料

[发明专利]一种CuIN2P型四面体配位亚铜配合物发光材料-CN201510277839.4有效
发明人：柴文祥;宋莉;陶晓栋;陈智;梁佳萍;秦来顺;陈忠奉;陈海潮 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种橙色磷光CuIN2P型亚铜配合物发光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由碘化亚铜与配体进行配位反应得到，其分子结构式为CuI(2‑PBO)(TXP‑2，4)，式中2‑PBO和TXP‑2，4分别为电中性配体2‑(2‑苯并噁唑)吡啶和三(2，4‑二甲苯基)
一种 cuin2p 四面体配位亚铜配合发光材料

[发明专利]一种基于氮杂芴的CuIN2P型亚铜配合物发光材料的新晶型-CN201510393736.4在审
发明人：宋莉;吴叶文;蒋畅;王秋华 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新晶型的基于氮杂芴配体的黄色磷光CuIN2P型亚铜配合物发光材料及其制备方法。本发明的新晶型磷光配合物，由碘化亚铜与配体进行配位反应得到，其分子结构式为CuI(o-Tol₃P)(DAF)，式中o-Tol₃P和DAF分别为电中性的含P配体三(2-甲苯基)膦和杂环配体4，5-二氮杂芴。
一种基于氮杂芴 cuin2p 型亚铜配合发光材料新晶型

[发明专利]一种基于苯并噁唑基吡啶的CuIN2P型亚铜配合物发光材料-CN201610307150.6在审
发明人：柴文祥;陈岗;宋莉;朱秋梦;郭冰;陈智;秦来顺;唐高 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C07F9/6558 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于苯并噁唑基吡啶的橙色磷光CuIN2P型亚铜配合物发光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由碘化亚铜与配体进行配位反应得到，其分子结构式为CuI(2‑PBO)(PPh₃)，式中2‑PBO和PPh₃分别为电中性配体2‑(2‑苯并噁唑
一种基于噁唑基吡啶 cuin2p 型亚铜配合发光材料

[发明专利]一种基于苯并噁唑基吡啶和二苯基环己基膦的碘化亚铜配合物发光材料-CN201610307172.2在审
发明人：柴文祥;朱秋梦;宋莉;陈岗;郭冰;陈智;秦来顺;唐高 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于苯并噁唑基吡啶和二苯基环己基膦的橙红色磷光CuIN2P型亚铜配合物发光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由碘化亚铜与配体进行配位反应得到，其分子结构式为CuI(2‑PBO)(PPh₂Cy)，式中2‑PBO和PPh₂Cy分别为电中性配体2‑(2
一种基于噁唑基吡啶苯基环己基碘化配合发光材料

[发明专利]一种基于氮杂芴的CuIN2P型亚铜配合物发光材料-CN201510393783.9在审
发明人：宋莉;吴叶文;蒋畅;王秋华 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： C07F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮杂芴配体的黄绿色磷光CuIN2P型亚铜配合物发光材料及其制备方法。
一种基于氮杂芴 cuin2p 型亚铜配合发光材料

[发明专利]一种太阳能电池吸收层的制备方法-CN201310272990.X无效
发明人：方小红;于洋;陈小源;鲁林峰;李东栋;刘东方 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池吸收层的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一基底，于所述基底表面形成底电极；2）加热基底，并以黄铜矿相的CuIn1-xGaxSe2化合物为靶材，采用射频磁控溅射法于所述底电极表面制备CuIn1-xGaxSe2吸收层薄膜，其中，0CuIn1-xGaxSe2吸收层薄膜结晶。本发明采用CuIn1-xGaxSe2化合物靶材射频磁控溅射法制备，在溅射过程中即形成了CuIn1-xGaxSe2相，仅需要通过简单的热处理过程即可提高其结晶度以及晶粒大小，大大降低了传统的溅射后硒化工艺中硒化工艺的难度，同时，可加入厚度很薄的In2S3过渡层，则可进一步提高性能，使得制备的吸收层薄膜具有更好的性能。
一种太阳能电池吸收制备方法

[发明专利]一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法-CN201610333959.6在审
发明人：薛玉明;王玉昆;孙海涛;宋殿友;夏丹;冯少君;俞兵兵;张奥 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法，衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，其中苏打玻璃的厚度为1.5‑2mm，聚酰亚胺膜厚度为25‑30μm，生长于此种复合衬底表面的铜铟镓硒薄膜，化学分子式为CuIn_1‑xGa_xSe₂，式中x为0.25‑0.35，导电类型为p型；该铜铟镓硒薄膜CuIn_1‑xGa_xSe₂薄膜沉积于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底表面，厚度为1.5‑2μm。
一种基于复合衬底掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜-CN201310240993.5无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;潘宏刚;宋殿友;朱亚东;刘君;辛治军;冯少君;尹振超;刘浩;尹富红 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜，衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，其中苏打玻璃的厚度为1.5-2mm，聚酰亚胺膜厚度为25-30µm，生长于此种复合衬底表面的铜铟镓硒薄膜，化学分子式为CuIn1-xGaxSe2，式中x为0.25-0.35，导电类型为p型；该铜铟镓硒薄膜CuIn1-xGaxSe2薄膜沉积于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底表面，厚度为1.5-2µm。
一种基于聚酰亚胺苏打玻璃复合衬底铜铟镓硒薄膜

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法-CN201210464942.6在审
发明人：李微 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特点是：包括以下制备步骤：⑴采用CuIn1-XGaXSe2化合物靶材，通过射频磁控溅射法，在衬底的底电极上制备CuIn1-XGaXSe2层；⑵对⑴中制有CuIn1-XGaXSe2层的衬底进行退火处理，底电极上即得到CuIn1-XGaXSe2吸收层。
铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收制备方法

[发明专利]一种BiVO4-CN201910557044.7有效
发明人：李福颖;牛玉;王仁章;张丽华;徐慧琳 -专利权人：北京清云阳光环保科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种BiVO4@CuIn2S4/g‑C33N4和单片或少片层的CuIn2S4后，将g‑C3N4和CuIn2S4在溶剂中混合，蒸干后得到CuIn2S4/g‑C3N4混合物；再将CuIn2S4/g‑C3N
一种 bivo base sub

[发明专利]一种薄膜太阳电池的制备方法-CN201210465444.3在审
发明人：李微 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜太阳电池的制备方法，包括在衬底上依次制备底电极、吸收层、缓冲层、窗口层和上电极，其特点是：采用CuIn1-XGaxSe2靶材，通过射频磁控溅射和退火处理法在底电极上制备吸收层。本发明由于采用了CuIn1-XGaXSe2化合物靶材射频磁控溅射法在底电极上制备CuIn1-XGaxSe2层，在溅射过程中即形成了CuIn1-XGaxSe2相，仅需要通过简单的热处理过程即提高了吸收层的结晶度
一种薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]含硫缺陷的硫化物的制备方法与光催化还原二氧化碳的方法-CN201810034700.0有效
发明人：孙永福;李小东;谢毅 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种含硫缺陷的CuIn5S8硫化物的制备方法，包括以下步骤：将四水合氯化铟、一水合乙酸铜和硫代乙酰胺在有机溶剂中反应，得到三元CuIn5S8超薄片；将所述三元CuIn5S8超薄片进行快速煅烧，得到含硫缺陷的CuIn5S8硫化物。本申请还提供了一种利用上述制备的含硫缺陷的CuIn5S8硫化物可见光催化还原CO22几乎100％催化还原成甲烷，且CH4生成速率约为8.7μmol·g‑1·h
缺陷硫化物制备方法光催化还原二氧化碳

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