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[发明专利]多孔硅基VO2-CN202011185310.7在审
发明人：梁继然;张颖;吴文豪 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件的制备方法，涉及气敏传感器技术领域，用于解决多孔硅对NO2气体响应灵敏度低的问题，所述制备方法包括以下步骤：清洗单晶硅片；利用电化学腐蚀法制备多孔硅；利用化学气相输运沉积在多孔硅基底沉积VO2纳米颗粒，形成多孔硅基VO2通过巨大的比表面积和异质结结构，多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件在室温下对NO2气体的灵敏度有较大的提高，同时有着良好的选择性
多孔 vo base sub

[发明专利]电驱动主动VO2-CN202211550010.3在审
发明人：马赫;李媛;张新平 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及电驱动主动VO2/MXene超表面太赫兹调制器的制备方法，利用真空抽滤法制备MXene薄膜。利用激光直写法制备MXene超表面。将上述制备的石英基底上的二氧化钒薄膜完全浸泡于缓冲氧化物刻蚀液(BOE)利用上述制备的MXene超表面从水中打捞自支撑二氧化钒薄膜，使得二氧化钒薄膜悬空于MXene超表面上，然后将VO2/MXene复合超表面静置1小时等待二者贴合晾干，得到VO2/MXene复合超表面。VO2/MXene太赫兹调制器具有可主动调控太赫兹波、高调制深度、低触发功率的优点。
驱动主动 vo base sub

[发明专利]一种VO2-CN202211330958.8在审
发明人：董明利;王一豪;鹿利单;祝连庆;张旭;夏嘉斌 -专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种VO2混合硅基Fano共振的调制器，所述调制器包括：绝缘体上硅基层，以及在所述绝缘体上硅基层上形成的微环谐振器结构，其中，所述微环谐振器结构包括T型波导和环形波导，所述环形波导与所述T型波导的耦合间隙为0.2um，所述环形波导上铺相变材料VO2。本发明采用混合Fano共振应用到在微环上来加速神经元运算速度降低神经元功耗，通过设计T型波导和环形波导耦合的微环谐振器结构，实现产生Fano共振，并通过在环形波导的硅基上混合合二氧化钒(VO2)，实现快速调制。
一种 vo base sub

[发明专利]一种VO2-CN201810463446.6有效
发明人：罗媛媛;李明;李凯斌;徐畅;许世超;李广海 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种VO2(M)‑CoFe2O4复合材料及其制备方法，该复合材料的组成成分包括单斜相VO2和尖晶石结构的CoFe2O4的形式，并且所述单斜相VO2和所述尖晶石结构的CoFe2O4均是颗粒尺寸为30～90nm的纳米球。其制备方法是将CoFe2O4、五氧化二钒、双氧水、聚乙烯吡咯烷酮溶解到去离子水中制得反应前驱体溶液；然后将反应前驱体溶液加热至
一种 vo base sub

[发明专利]一种VO2-CN202010736938.5有效
发明人：张睿智;黄靖栋;尹岚;侯蕊 -专利权人：湖南工学院
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：一种VO2纳米花材料及其制备方法和应用，涉及锌离子电池电极材料技术领域，本发明利用静电纺丝手段制备的V2O5纳米纤维作为基底，而后在此基底上水热生长出VO2纳米花。对比以往技术中用于锌离子电池的V‑‑O化合物，本发明制备了均匀且具有极大比表面积的VO2纳米花材料，该VO2纳米花材料的由于该材料具有极大的比表面，可在充放电过程中储存Zn2+离子，并可以为Zn2+离子和电子的进出提供快速通道，在电化学测试中表现出了良好的循环和倍率性能上述VO2纳米花的制备方法不对环境造成污染，工艺易于控制，适宜于大规模工业化生产。
一种 vo base sub

[发明专利]一种VO2-CN202111441667.1有效
发明人：金海波;凌晨;李静波;王晓乾;赵政晶;李东来 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构和其产品的制备方法，涉及航天器热控技术领域。本发明设利用磁控溅射法，以(100)方向的单晶硅片为基底，依次采用金属钛靶、金属银靶、金属铝靶和金属钒靶制备所述VO2基多层薄膜结构。本发明制备的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率，并具有良好的热控性能和耐热震性能，其太阳光吸收率可达27.5
一种 vo base sub

[发明专利]一种VO2-CN202110011048.2有效
发明人：宋亮;马修强;霍翔宇;郝坤;李金徽 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种VO2/g‑C3N4复合光催化剂及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤:Sub>3N4溶解至溶剂中得到g‑C3N4溶液，将VO2溶解至于溶剂中得到VO2溶液，将VO2溶液加入g‑C3N4溶液中并超声搅拌，然后加热搅拌蒸发至溶液呈糊状，干燥，冷却，研磨得到VO2/g‑CVO2/g‑C3N4作为光催化剂，以LED灯为光源，以氧气为氧化剂，在乙腈溶液中将
一种 vo base sub

[发明专利]一种低温温控PWM电路-CN201810972969.3在审
发明人：冯业胜 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温温控PWM电路，三角波发生器电路通过自激振荡产生三角波Vo1；温度信号检测及放大电路采集温度信号放大后送到误差放大及比较电路中；温度设定电路产生具有一定可调范围的基准电压，作为设定的温度信号电压Vo3；误差放大及比较电路中的运算放大器将设定的温度信号电压Vo3与采集并放大的温度电压信号Vo2的电压差值放大，输出电压Vo4送入比较器；由比较器将输出电压Vo4与三角波Vo1比较产生脉冲信号，经反相器反相后输出最终的
三角波温度信号电压低温温控输出电压误差放大比较器放大三角波发生器电路采集温度信号脉冲宽度调制温度电压信号温度设定电路温度信号检测运算放大器差值放大单一电源电路结构放大电路基准电压脉冲信号外部调整自激振荡反相器灵敏度反相可调送入采集输出

[实用新型]一种低温温控PWM电路-CN201821381622.3有效
发明人：冯业胜 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温温控PWM电路，三角波发生器电路通过自激振荡产生三角波Vo1；温度信号检测及放大电路采集温度信号放大后送到误差放大及比较电路中；温度设定电路产生具有一定可调范围的基准电压，作为设定的温度信号电压Vo3；误差放大及比较电路中的运算放大器将设定的温度信号电压Vo3与采集并放大的温度电压信号Vo2的电压差值放大，输出电压Vo4送入比较器；由比较器将输出电压Vo4与三角波Vo1比较产生脉冲信号，经反相器反相后输出最终的
三角波温度信号电压本实用新型低温温控输出电压误差放大比较器放大三角波发生器电路采集温度信号脉冲宽度调制温度电压信号温度设定电路温度信号检测运算放大器差值放大单一电源电路结构放大电路基准电压脉冲信号外部调整自激振荡反相器灵敏度反相可调送入采集输出

[发明专利]HfO2-CN201910391613.5有效
发明人：宗海涛;李明;康朝阳;卞琳艳;曹国华;张宝庆 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种HfO2/VO2/HfO2三明治结构智能窗薄膜及其制备方法，所述HfO2/VO2/HfO2三明治结构智能窗薄膜的制备方法为：将无碱玻璃进行清洗、干燥；沉积之前，先将背底抽真空，沉积第一层HfO2缓冲层，然后将衬底温度升高，并调节氧压，沉积VO2薄膜；再将衬底温度降低，同时将氧压调低，开始沉积HfO2增透层，沉积完成后，即得所述HfO2/VO22/VO2/HfO2三明治结构智能窗薄膜可以保证二氧化钒薄膜具有较高太阳能调节效率
hfo base sub

[发明专利]一种可切换双功能超材料宽带吸收器/波束偏转器-CN202211401156.1在审
发明人：杨荣草;谭小辉;王雨馨;赵以嘉;卫霞 -专利权人：山西大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明设计了一种基于VO2的双功能超材料宽带吸收器/波束偏转器，从上到下包括VO2图案层、第一介质层、金属图案层、连续VO2层、第二介质层和金属反射板。在一个超材料结构中集成了高效的宽频段吸收、波束偏转两种功能，通过改变VO2的温度实现功能的灵活切换。室温下，二氧化钒表现为绝缘态，入射的电磁波与超材料发生电磁响应实现完美吸收；当温度升高至340K，VO2表现为金属态，入射波经过超材料后可实现反射波束的偏转。
一种切换功能材料宽带吸收波束偏转

[发明专利]一种基于石墨烯-VO2-CN202211362929.X在审
发明人：张勇;刘广儒;余怀强;朱华利 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于石墨烯‑VO2的太赫兹超宽带可调吸波器，属于太赫兹技术领域，包括自上而下依次设置的相变材料层、第一介质层、石墨烯层、第二介质层和反射层；相变材料层包括多个周期性阵列排布的VO2伞状贴片，各VO2伞状贴片为由8个全等的等腰三角形构成的正八边形结构，相邻等腰三角形之间存在缝隙，相邻VO2伞状贴片之间互不连接。本发明将阵列排布的伞状VO2贴片与石墨烯层结合，实现3～10THz波段的超宽带吸波，吸收率保持90％以上，并通过分别控制相变材料层的电导率和石墨烯层的费米能级，
一种基于石墨 vo base sub

[发明专利]一种基于双重相变的动态热红外隐身复合材料及制备方法-CN201811030956.0有效
发明人：李传常;谢宝珊;陈荐 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双重相变的动态热红外隐身复合材料及制备方法；特别指一种VO2/云母基相变储热薄层复合材料及制备方法；属于热红外隐身材料制备技术领域；所述VO2/云母基相变储热薄层复合材料由VO2纳米颗粒涂层与云母基相变储热薄层构成，所述云母基相变储热薄层由硬脂酸和提钒后云母基体按质量比本发明采用焙烧酸浸工艺从钒云母提钒制备VO2纳米颗粒，以提钒后云母为支撑基体嵌入相变功能体制备云母基相变储热薄层，在云母基相变储热薄层上涂覆VO2纳米颗粒，制得双重相变复合材料。
一种基于双重相变动态红外隐身复合材料制备方法

[发明专利]一种适用于柔性机械爪的基于VO2-CN202011600480.7有效
发明人：胡颖;沈锦杰;邱昌文;王枭杰;季启骁;常龙飞 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于柔性机械爪的基于VO2的双层柔性驱动器，涉及柔性薄膜驱动器技术领域，包括叠加的VO2纳米棒‑碳纳米管单层膜和膨胀聚合物‑碳纳米材料单层膜，VO2纳米棒‑碳纳米管单层膜中的VO2纳米棒沿电场方向有序排列，双层柔性驱动器在光照或电压作用下弯曲形变本发明的有益效果在于：过双层结构在受热后VO2纳米棒‑碳纳米管层会产生收缩变形，而膨胀聚合物‑碳纳米材料层则产生膨胀变形。
一种适用于柔性机械基于 vo base sub

[实用新型]一种基于二氧化钒相变材料的宽带可调太赫兹吸波器-CN202022308742.4有效
发明人：朱乐梅;郎婷婷;陈怡萍;王可欣;项晶晶 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：该吸波器结构为三层，从上往下依次为周期性“回型孔”二氧化钒(VO2)层、聚酰亚胺(PI)层和金属衬底层；VO2的电学性质决定了该吸波器的吸收能力，通过光激发或者热控制VO2的相变实现太赫兹吸波器的吸收率可调；本实用新型所述吸波器可以实现宽带隙吸收，当VO2具有30000S/m的电导率时，吸收率大于90％的带宽达1THz，同时可实现对0.5‑4THz吸收率的灵活调控，随着VO2电导率的降低，吸收峰值可从99％降低到18％，该吸波器结构简单
一种基于氧化相变材料宽带可调赫兹吸波器