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- [发明专利]发光装置-CN200580040298.8有效
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岩淵友幸;三宅博之
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株式会社半导体能源研究所
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2005-11-18
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2007-10-31
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G09G3/30
- 双极晶体管(Bi1)的基极端子B连接到运算放大器(OP1)的输出端子c1，集电极端子C连接到低电源电势(GND)，且发射极端子E连接到电阻器R2。高电源电势(VBH)为与发光元件的高电源电势同步的电势。运算放大器(OP1)的输出端子c1的电势被输出作为缓冲器低电源电势(VBL)。低电源电势(VBL)对应于高电源电势(VBH)和高电源电势(V1)之间的电势差。因此，低电源电势(VBL)可以跟随为发光元件高电源电势的高电源电势(VBH)。
- 发光装置
- [实用新型]一种静电除尘组件-CN202221594163.3有效
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梁耀辉
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佛山德纯科技有限公司
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2022-06-23
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2023-02-03
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B03C3/70
- 本实用新型公开了一种静电除尘组件，包括若干个依次设置的绝缘导电体，每一所述绝缘导电体内设置有高电势导电体或低电势导电体，所述高电势导电体和所述低电势导电体交替排布，所述绝缘导电体包括上半片以及下半片，所述高电势导电体或低电势导电体连接于上半片以及下半片之间并被上半片以及下半片包裹，对高电势导电体或低电势导电体进行绝缘处理，阻挡了高电势与低电势进行直接电晕放电，避免了背景技术中出现的打火、产生臭氧的技术问题，并保留了电场使尘粒产生电荷。
- 一种静电除尘组件
- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201710986571.0有效
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陈世杰;黄晓橹
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德淮半导体有限公司
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2017-10-20
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2020-06-02
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H01L27/146
- 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；缓冲层，形成于半导体衬底上；电势调节叠层结构，形成于缓冲层上，用于调节半导体衬底表面的电势，电势调节叠层结构包括形成于缓冲层上的第一电势调节层及形成于第一电势调节层上的第二电势调节层，其中，第一电势调节层包括高介电常数材料层，第二电势调节层包括导电材料层或高介电常数材料层。本发明通过在缓冲层上形成包括第一电势调节层及第二电势调节层的电势调节叠层结构，可以实现电势调节叠层结构与半导体衬底之间更大的功函数差，从而改变半导体衬底表面的电势，降低半导体衬底表面暗电流的发生，从而进一步抑制暗电流
- 半导体器件及其制备方法
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