专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种蜂窝式自适应声波屏障应用模块-CN201621133308.4有效
  • 张理 - 张理
  • 2016-10-18 - 2017-06-27 - G10K11/178
  • 采用的技术方案是一种蜂窝式自适应声波屏障应用模块,包括传声器、信号处理单元和阵列声源。所述传声器与信号处理单元的噪声信号输入端连接,所述阵列声源与信号处理单元的干涉信号输出端连接。所述阵列声源由多个呈矩形阵列排布的扬声器构成。所述信号处理单元的噪声信号输入端与传声器之间设置噪声信号反向放大电路。信号处理单元的干涉信号输出端与阵列声源之间设置干涉信号功率放大电路。
  • 一种蜂窝自适应声波屏障应用模块
  • [发明专利]一种密集阵列聚光太阳能光伏装置-CN201610419281.3在审
  • 熊勇军 - 昆山诃德新能源科技有限公司
  • 2016-06-16 - 2016-10-12 - H01L31/054
  • 本发明涉及一种密集阵列聚光太阳能光伏装置,属于光伏领域,其包括菲涅耳透镜阵列、平面基板和至少两块光电池;所述菲涅耳透镜阵列处于顶层;所述菲涅耳透镜阵列为一块整体透镜,上表面为平面,下表面有至少两组成同心圆环状的锯齿;每组同心圆环形成一个菲涅耳透镜,所有菲涅耳透镜组成阵列形式;所述平面基板设置于底层;所述至少两块光电池设置于所述平面基板上表面并排布为光电池阵列形式,所述光电池阵列中的光电池数目和所述菲涅耳透镜阵列中的菲涅耳透镜数相同本发明所提供的阵列聚光太阳能光伏装置散热简单、聚光焦距短、太阳能利用率高且光电池芯片内部无需排布电极。
  • 一种密集阵列聚光太阳能装置
  • [发明专利]一种密集阵列聚光太阳能光伏装置-CN201110242366.6有效
  • 王智勇;叶征宇;卫明;王桐 - 北京工业大学
  • 2011-08-23 - 2011-12-14 - H01L31/052
  • 一种密集阵列聚光太阳能光伏装置,属于光伏领域,其包括菲涅耳透镜阵列、平面基板和至少两块光电池;所述菲涅耳透镜阵列处于顶层;所述菲涅耳透镜阵列为一块整体透镜,上表面为平面,下表面有至少两组成同心圆环状的锯齿;每组同心圆环形成一个菲涅耳透镜,所有菲涅耳透镜组成阵列形式;所述平面基板设置于底层;所述至少两块光电池设置于所述平面基板上表面并排布为光电池阵列形式,所述光电池阵列中的光电池数目和所述菲涅耳透镜阵列中的菲涅耳透镜数相同本发明所提供的阵列聚光太阳能光伏装置散热简单、聚光焦距短、太阳能利用率高且光电池芯片内部无需排布电极。
  • 一种密集阵列聚光太阳能装置
  • [实用新型]一种密集阵列聚光太阳能光伏装置-CN201120307848.0有效
  • 王智勇;卫明;王桐;叶征宇 - 北京工业大学
  • 2011-08-23 - 2012-05-30 - H01L31/052
  • 一种密集阵列聚光太阳能光伏装置,属于光伏领域,其包括菲涅耳透镜阵列、平面基板和至少两块光电池;所述菲涅耳透镜阵列处于顶层;所述菲涅耳透镜阵列为一块整体透镜,上表面为平面,下表面有至少两组成同心圆环状的锯齿;每组同心圆环形成一个菲涅耳透镜,所有菲涅耳透镜组成阵列形式;所述平面基板设置于底层;所述至少两块光电池设置于所述平面基板上表面并排布为光电池阵列形式,所述光电池阵列中的光电池数目和所述菲涅耳透镜阵列中的菲涅耳透镜数相同本实用新型所提供的阵列聚光太阳能光伏装置散热简单、聚光焦距短、太阳能利用率高且光电池芯片内部无需排布电极。
  • 一种密集阵列聚光太阳能装置
  • [发明专利]掩膜版、存储器及存储器的制造方法-CN201711479614.2有效
  • 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2017-12-29 - 2022-03-11 - G03F1/76
  • 本发明提供了一种掩膜版、存储器及存储器的制造方法,掩膜版的基板上具有曝光有效区域,基板的曝光有效区域中形成有多个用于定义有源区的第一图案,多个第一图案呈阵列排布以构成一图案阵列,基板的曝光有效区域中还形成有第二图案,第二图案从曝光有效区域的边界以朝向图案阵列的方向延伸至图案阵列的外围,由此采用掩膜版形成的存储器在衬底的器件有效区域中形成有源区及调整区,有源区呈阵列排布以构成一有源区阵列,调整区从器件有效区域的边界以朝向有源区阵列的方向延伸至有源区阵列的外围
  • 掩膜版存储器制造方法

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