“间隔区域”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1798684个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]发热盘和料理机-CN202120301896.2有效
发明人：董志强 -专利权人：佛山市顺德区富升电子科技有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： A47J43/07 文献下载
摘要：本实用新型公开一种发热盘和料理机，该发热盘包括基座和设于基座并环绕中心区域设置的发热层，基座设有间隔设置的中心区域、第一间隔区域和第二间隔区域，第一间隔区域和第二间隔区域位于中心区域的相对两侧；发热层包括并联设置的第一发热件和第二发热组件，第一发热件和第二发热组件间隔设置，并形成第一隔离间隙，第一隔离间隙对应第一间隔区域设置；第二发热组件设有第二隔离间隙，第二隔离间隙对应第二间隔区域设置，第一隔离间隙和第二隔离间隙尺寸相同。本实施例中第一隔离间隙和第二隔离间隙对称地位于中心区域的两侧，使得中心区域相对两侧的发热面积能保持一致，第一隔离间隙和第二隔离尺寸相同，可保障发热层均匀发热。
发热料理

[发明专利]半导体器件布局、存储器件布局和制造半导体器件的方法-CN201510349081.0有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件的布局包括有源区域、横跨多个有源区域的栅电极、沿着对应多个栅电极的侧面的间隔件、第一接触件图案化区域、第二接触件图案化区域和接触件区域。第一接触件图案化区域与多个有源区域中的至少一个有源区域、多个栅电极中的至少一个栅电极以及多个间隔件中的至少一个间隔件重叠，至少一个间隔件对应于至少一个栅电极。第二接触件图案化区域与第一接触件图案化区域的一部分重叠。接触件区域与至少一个有源区域重叠。接触件区域的边界通过第一接触件图案化区域、第二接触件图案化区域和至少一个间隔件的边界来限定。
半导体器件布局存储器件制造方法

[发明专利]液晶显示器-CN201410395053.8有效
发明人：郭昌训;沈怡燮;N.严;许澈 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本发明提供了液晶显示器，包括显示基板、相对基板、液晶层、主间隔物和子间隔物。显示基板包括多个像素区域和光阻挡区域，至少一个薄膜晶体管设置在光阻挡区域中。相对基板联接到显示基板。主间隔物设置在显示基板上、包括光阻挡材料并与相对基板接触以保持显示基板和相对基板之间的单元间隙。子间隔物设置在显示基板上、包括光阻挡材料并与相对基板间隔开。子间隔物具有相应于光阻挡区域的尺寸，并且主间隔物从子间隔物突出。
液晶显示器

[发明专利]半导体器件和方法-CN202110192760.7在审
发明人：陈振平;高魁佑;林士尧;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种器件，包括：鳍，该鳍从半导体衬底突出；栅极堆叠，该栅极堆叠在鳍的侧壁之上并且沿着鳍的侧壁；栅极间隔件，该栅极间隔件沿着栅极堆叠的侧壁和鳍的侧壁；外延源极/漏极区域，该外延源极/漏极区域在鳍中并且与栅极间隔件相邻；以及角间隔件，该角间隔件在栅极堆叠和栅极间隔件之间，其中，该角间隔件沿着鳍的侧壁延伸，其中，栅极堆叠和鳍的侧壁之间的第一区域中没有该角间隔件，其中，栅极堆叠和栅极间隔件之间的第二区域中没有该角间隔件。
半导体器件方法

[发明专利]连接结构体-CN202310491954.6在审
发明人：田中荣 -专利权人：三国电子有限会社
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01B1/20 文献下载
摘要：一种连接结构体，包含：第1构件，其具有第1面；第1电极，其配置于第1面；第2构件，其具有与第1面对向的第2面；第2电极，其与第1电极对向、且配置于第2面；导电性粒子和第1树脂，配置于间隔开的复数个第1区域，间隔开的复数个第1区域是位于第1电极和第2电极之间的区域；以及第2树脂，配置于间隔开的复数个第1区域，且配置于作为位于第1电极和第2电极之间的区域的间隔开的复数个第1区域之间和周围的第2区域；其中：第1树脂在间隔开的复数个第1区域中与第1电极接触；第2树脂在间隔开的复数个第1区域中与第2电极接触；第2区域的第2树脂，比间隔开的复数个第1区域的第2树脂更厚；并且第1树脂与第2树脂的组成不同。
连接结构

[实用新型]无刷电机及无刷电机电路板-CN202220966576.3有效
发明人：仲维萍 -专利权人：德成永道电机（苏州）有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H02K11/00 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种无刷电机及无刷电机电路板，所述无刷电机电路板包括电路板本体、若干电极及若干MOS管，各电极及MOS管设置于所述电路板本体；所述电路板本体包括依次设置的外圈层区域、中圈层区域、内圈层区域；所述外圈层区域与中圈层区域之间通过第一间隔线间隔，所述中圈层区域与内圈层区域之间通过第二间隔线间隔；所述外圈层区域设有电源主路径，所述内圈层区域设有接地端；各电极分散设置于第一间隔线所在区域，第一部分MOS管分散设置于中圈层区域，第二部分MOS管分散设置于第二间隔线所在区域。
电机电路板

[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板-CN201410286328.4有效
发明人：张鹏举;赵雨;高紫龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，所述阵列基板的制作方法包括S1、提供基板，该基板上形成有所述薄膜晶体管的源极和漏极；S2、在所述基板上形成绝缘层，所述绝缘层包括间隔区域和多个条状电极区域，所述间隔区域将任意相邻的两个所述条状电极区域隔开；S3、在所述绝缘层的间隔区域上方形成间隔层；S4、在所述绝缘层的条状电极区域上方形成包括条状电极的图形；S5、对所述间隔区域上方的间隔层进行剥离。
阵列及其制作方法显示面板

[发明专利]显示基板母板及其制备方法、显示基板和显示装置-CN201911285373.7有效
发明人：易小周;于川 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10K59/124 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示基板母板及其制备方法、显示基板和显示装置，涉及显示技术领域，其中，显示基板母板包括：衬底基板，衬底基板包括：多个基板区域和待切割区域，多个所述基板区域被待切割区域彼此间隔开，所述基板区域上设置有：支撑层、位于支撑层背离所述衬底基板一侧的源漏电极层，所述支撑层具有侧壁，侧壁朝向相邻的所述基板区域，基板区域还设置有间隔层，所述间隔层包括第一间隔部和第二间隔部，所述第一间隔部位于所述源漏电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第二间隔部至少覆盖所述支撑层侧壁的底部区域。
显示母板及其制备方法显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010894515.6在审
发明人：韩峰;时磊;蔡宏智;苏亮宇;樊航 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：栅极结构、双扩散区域、源极区域、漏极区域、第一栅极间隔件以及第二栅极间隔件。栅极结构位于半导体衬底之上。双扩散区域位于半导体衬底中并且横向延伸超过栅极结构的第一侧。源极区域位于半导体衬底中并且与栅极结构的第二侧相邻，第二侧与第一侧相对。漏极区域位于半导体衬底中的双扩散区域中并且具有与双扩散区域相同的导电类型。第一栅极间隔件位于栅极结构的第一侧。第二栅极间隔件沿着第一栅极间隔件的最外侧壁从双扩散区域向上延伸，并且在到达栅极结构的顶表面之前终止。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]显示装置-CN202221620063.3有效
发明人：张民锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种显示装置包括：显示模块，包括第一非折叠区域、第二非折叠区域以及设置在所述第一非折叠区域和所述第二非折叠区域之间的折叠区域；以及支撑层，设置在所述显示模块下方。所述支撑层包括：第一支撑板；第二支撑板，设置在所述第一支撑板下方；以及间隔件，设置在所述第一支撑板和所述第二支撑板之间。所述间隔件包括主间隔件和在第一方向上与所述主间隔件交替地布置的子间隔件，所述主间隔件具有大于所述子间隔件的厚度的厚度。
显示装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810688284.6有效
发明人：高琬贻;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了包括具有多个间隔件层的间隔件部件的半导体器件结构。在一个实例中，半导体器件包括：衬底上的有源区，有源区包括源极/漏极区域；位于有源区上方的栅极结构，源极/漏极区域靠近栅极结构；间隔件部件，该间隔件部件具有沿着栅极结构的侧壁的第一部分并且具有沿着源极/漏极区域的第二部分，其中，间隔件部件的第一部分包括沿着栅极结构的侧壁的块状间隔件层，其中，间隔件部件的第二部分包括块状间隔件层和处理的密封间隔件层，处理的密封间隔件层沿着源极/漏极区域设置并且位于块状间隔件层和源极/漏极区域之间；以及位于间隔件部件上的接触蚀刻停止层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体存储器件-CN99105496.2无效
发明人：高石芳宏 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-04-08 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：多个器件区域图案被设置为与位线和字线相交。相邻器件区域图案之间间隔距离等于第一间隔，而相邻器件区域图案的最接近部分之间的间隔距离等于第二间隔。每个器件区域图案与位线形成预定角度，使得第一间隔超过第二间隔。
半导体存储器件

[实用新型]试纸条-CN202123441565.8有效
发明人：丁建文 -专利权人：爱威科技股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01N33/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种试纸条，试纸条包括：基带；以及多个试剂块，沿基带的长度方向间隔设置于基带上，每相邻的两个试剂块之间的区域设置为间隔区域，每个间隔区域设置为黑色，且任意两个间隔区域的长度均相等；其中，试纸条相对检测装置移动过程中第一个经过检测装置的试剂块设置为第一个试剂块，基带上位于第一个试剂块之前且临近第一个试剂块的区域设置为起始标记区域，起始标记区域设置为黑色且其长度大于间隔区域的长度。
试纸

[发明专利]电离室探测器-CN202210833930.X在审
发明人：王振涛;常嘉豪 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01T1/185 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种电离室探测器，该电离室探测器包括外壳、以及设置于外壳内的阴极板、阳极板和间隔板；阴极板、阳极板和间隔板相互间隔设置，间隔板设于阴极板和阳极板之间，间隔板的电压位于阴极板的电压和阳极板的电压之间，间隔板和阴极板之间形成第一电离区域，间隔板和阳极板之间形成第二电离区域，间隔板具有连通第一电离区域和第二电离区域的通道。
电离室探测器

[发明专利]栅极结构及其形成方法-CN202110639654.9在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;李承翰;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种器件包括：第一栅极区域，具有第一栅极长度；第一间隔件，位于第一栅极区域的侧壁上；半导体层，位于第一栅极区域之上；第二栅极区域，位于半导体层之上，其中，第二栅极区域的第二栅极长度等于第一栅极长度；以及第二间隔件，位于第二栅极区域的侧壁上，其中，第二间隔件比第一间隔件更窄。
栅极结构及其形成方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top