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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]错误校正电路、存储器控制器及存储器系统-CN201910648385.5在审
发明人：金大成;金光铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种错误校正电路、存储器控制器和存储器系统。该错误校正电路可包括：编码器，被配置成生成包括消息部分、第一奇偶校验部分和第二奇偶校验部分的码字；以及解码器，被配置成使用与码字的至少一部分相对应的读取值来执行错误校正解码，其中解码器被配置成基于第一或第二错误校正能力来执行错误校正解码，使得使用与包括消息部分和第一奇偶校验部分的部分码字相对应的部分读取值来执行使用第一错误校正能力的错误校正解码，并且使用与整个码字相对应的读取值来执行使用第二错误校正能力的错误校正解码，并且其中第二错误校正能力大于第一错误校正能力
错误校正电路存储器控制器系统

[发明专利]错误校正电路、具有其的存储器控制器以及具有存储器控制器的存储器系统-CN201911295983.5在审
发明人：金大成;金光铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种使用BCH码的错误校正电路。该错误校正电路可以包括：解码器，执行使用第一错误校正能力的第一错误校正解码或使用第二错误校正能力的第二错误校正解码中的至少一个；以及编码器，基于消息和与第一错误校正能力相对应的生成矩阵来生成码字，并基于该码字和与第二错误校正能力相对应的奇偶校验矩阵的一行或多行来生成附加奇偶校验码，其中在第一错误校正解码期间使用基于与码字相对应的读取矢量生成的校验子矢量，并且在第二错误校正解码期间使用基于附加奇偶校验码生成的附加校验子，并且其中从与第一错误校正能力相对应的奇偶校验矩阵扩展一行或多行
错误校正电路具有存储器控制器以及系统

[发明专利]错误校正设备及其操作方法和使用该设备的存储器系统-CN201910982561.9在审
发明人：金大成;申原圭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种错误校正设备。该错误校正设备可包括：输入组件，被配置成接收数据；错误信息生成组件，具有检测L个错误的第一错误检测能力和检测K个错误的第二错误检测能力，其中L是正整数，K是大于L的整数，并且该错误信息生成组件被配置成基于第一错误检测能力来生成包括所接收的数据中包含的错误的数量和错误的位置的错误信息，并且当基于第一错误检测能力未生成错误信息时，基于第二错误检测能力来生成错误信息；错误校正组件，被配置成基于所生成的错误信息来校正所接收的数据的错误；以及输出组件，被配置成输出经校正数据。
错误校正设备及其操作方法使用存储器系统

[发明专利]具有可变长度分量的广义低密度奇偶校验码-CN201711474765.9有效
发明人：内维·库马尔;哈曼·巴蒂亚;张帆;熊晨荣;蔡宇 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明描述用于提高错误校正系统的误码率(BER)性能的技术。在示例中，错误校正系统实施广义低密度奇偶校验(GLDPC)编码和解码。为了生成GLDPC码，错误校正系统访问数据块。错误校正系统还生成GLPDC码字的第一分量码字。第一分量码字至少编码来自数据块的数据块并且具有第一长度和第一错误校正能力。错误校正系统还生成GLPDC码字的第二分量码字。第二分量码字至少编码该数据块并且具有第二长度和第二错误校正能力。第二长度不同于第一长度。第二错误校正能力不同于第一错误校正能力。
具有可变长度分量广义密度奇偶校验码

[发明专利]数据储存装置以及错误校正方法-CN201510180624.0有效
发明人：林毅泓;颜伟伦 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种数据储存装置以及错误校正方法，该数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。控制器被设置为用以根据一错误校正能力表，对第一存储器平面以及第二存储器平面中所储存的数据进行错误校正，其中错误校正能力表用以记录第一存储器平面的一第一错误比特校正能力值以及第二存储器平面所相应的一第二错误比特校正能力值
数据储存装置以及错误校正方法

[发明专利]错误校正装置及错误校正方法-CN201010116779.5有效
发明人：刘碧海;游志青;林利莲;陈世新;洪仕达 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G11B20/18 文献下载
摘要：一种校正第一错误校正码的错误校正装置及方法、校正长距离码的错误校正装置及方法，其中校正第一错误校正码的错误校正装置，其中该第一错误校正码来自存储单元，该装置包含：错误校正单元，用于实施第一错误校正运作以校正第一错误校正码的错误；以及错误校正参考信息产生器，用于根据第一错误校正运作标记该第一错误校正码的至少第一部分以产生第二错误校正参考信息；以及用于根据该错误校正参考信息标记该第一错误校正码的至少第二部分，以产生第二错误校正参考信息本发明提供错误校正装置及方法通过递归译码运作提高了错误校正能力。
错误校正装置方法

[发明专利]容错计算机存储器系统以及具有阻塞性能的应用两级错误校正与检测的部件-CN90100787.0无效
发明人：罗伯特·马丁·布莱克;道格拉斯·克雷格·博斯恩;陈钡龙;约翰·阿特金森·法菲尔德;霍尔德·利奥·卡顿;洛婷澈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1990-02-17 - 公布日： 1992-07-29 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：一个存储器系统包括多个存储器单位，每个单位具有单位级错误校正能力并与一个系统级错误校正功能相联系，存储器可靠性是以提供阻塞单位级错误校正能力的装置而增进的，如响应一个存储器单位中出现的一个不可校正错误。这一与直觉相悖的方法阻塞一个错误校正功能而增进整体存储器系统可靠性，因为它允许应用依赖于可再生错误的存在来进行正常操作的求补码/求重补码算法。因此，在高集成密度中日见必要的片级错误校正系统可以在与系统级错误校正方法互不干涉地的方式下使用。
容错计算机存储器系统以及具有阻塞性能应用两级错误校正检测部件

[发明专利]错误校正控制器及其闪存芯片系统与错误校正方法-CN200810182398.X有效
发明人：郑国义;梁立群;朱健华 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种错误校正控制器，其用以连接在具有低阶错误校正功能的旧主机控制器与需高阶错误校正功能的新闪存之间，其中当旧主机控制器欲写入数据与其旧错误校正编码至新闪存时错误校正控制器会以高阶错误校正功能产生新错误校正编码之后，当主机控制器欲从新闪存中读取数据与其旧错误校正编码时，错误校正控制器会依据新错误校正编码来进行错误校正程序，并且依据错误校正结果以及旧主机控制器的错误校正能力传送对应的数据。
错误校正控制器及其闪存芯片系统方法

[发明专利]错误校正控制器及其闪存芯片系统与错误校正方法-CN201210349327.0有效
发明人：郑国义;梁立群;朱健华 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种错误校正控制器，其用以连接在具有低阶错误校正功能的旧主机控制器与需高阶错误校正功能的新闪存之间，其中当旧主机控制器欲写入数据与其旧错误校正编码至新闪存时错误校正控制器会以高阶错误校正功能产生新错误校正编码之后，当主机控制器欲从新闪存中读取数据与其旧错误校正编码时，错误校正控制器会依据新错误校正编码来进行错误校正程序，并且依据错误校正结果以及旧主机控制器的错误校正能力传送对应的数据。
错误校正控制器及其闪存芯片系统方法

[发明专利]半导体存储装置及错误检测校正方法-CN202210084847.7在审
发明人：葛西央伦;金子二四三 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及错误检测校正方法，实现错误检测校正能力与写入或读出的性能的并存。本发明的闪速存储器的错误检测校正方法包括：设定步骤，设定用于选择进行1位的错误检测校正的第一错误检测校正功能或进行多位的错误检测校正的第二错误检测校正功能的选择信息；以及执行步骤，在读出动作或写入动作时，基于所设定的选择信息来执行第一错误检测校正功能或第二错误检测校正功能。
半导体存储装置错误检测校正方法

[发明专利]NAND快闪存储器的错误校正方法-CN201110072594.3有效
发明人：陈岳勇;刘林;洪伟哲;朱之霞;付本涛 -专利权人：扬智科技股份有限公司
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供一种NAND快闪存储器的错误校正方法，该方法包括：当一NAND快闪存储器中的一第一页被写入一第一数据时，根据该第一页发生位错误的机率，决定该第一页所对应的错误校正码的类型，以及根据该第一页所对应的错误校正码的类型与该第一数据，产生一第一错误校正码。如此，针对发生位错误的机率较高的页可使用校正能力较强的错误校正码，以减少不可使用的区块的数目，来延长NAND快闪存储器的使用寿命。针对发生位错误的机率较低的页可使用校正能力较弱的错误校正码，以增加NAND快闪存储器的可使用容量。
nand 闪存错误校正方法

[发明专利]使用ECC引擎执行可重配置的错误校正操作的存储系统-CN201811477683.4有效
发明人：申原圭;权正贤;郑承奎;洪道善 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种使用具有固定错误校正能力的ECC引擎执行可重配置的错误校正操作的存储系统。存储系统包括存储介质和存储器控制器。存储介质包括数据符号和奇偶校验符号，它们分别设置在多个行和多个列的交叉点处。存储器控制器包括错误校正码(ECC)引擎，其被设计为在存储器控制器访问存储介质时以固定的错误校正级别来执行错误校正操作。存储器控制器在第一错误校正模式中使用ECC引擎以固定的错误校正级别来执行错误校正操作。存储器控制器在第二错误校正模式中使用ECC引擎以高于固定的错误校正级别的错误校正级别来执行错误校正操作。
使用 ecc 引擎执行配置错误校正操作存储系统

[其他]数字数据的错误校正器件-CN87100569无效
发明人：森脇久芳 -专利权人：索尼公司
申请日： 1987-02-02 - 公布日： 1987-08-12 - 主分类号： G11B20/18 文献下载
摘要：一种错误校正系统。在该系统中接收到的数字数据受到交替地由第一和第二错误校正码的校正处理。该系统中设有存储器以存储多个第一和第二错误校正码的系列的第一和第二系列错误指示字，而且这种第一和第二系列错误指示字被读出以确定哪些系列没有错误，于是对无错误系列，省去第一和第二错误校正码的校正处理。结果，在有限的时间内能重复的有效校正处理的次数增加，从而实质上改善了校正能力。
数字数据错误校正器件

[发明专利]数字数据的错误校正的方法和装置-CN87100569.7无效
发明人：森脇久芳 -专利权人：索尼公司
申请日： 1987-02-02 - 公布日： 1990-01-03 - 主分类号： G11B20/18 文献下载
摘要：一种错误校正系统，在该系统中接收到的数字数据受到交替地由第一和第二错误校正码的校正处理，该系统中设有存储器以存储多个第一和第二错误校正码的系列的第一和第二系列错误指示字，而且这种第一和第二系列错误指示字被读出以确定哪些系列没有错误，于是对无错误系列，省去第一和第二错误校正码的校正处理。结果，在有限的时间内能重复的有效校正处理的次数增加，从而实质上改善了校正能力。
数字数据错误校正方法装置

[发明专利]半导体存储器件及其控制方法-CN201110252163.5有效
发明人：菅野伸一;内川浩典 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-07-17 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件及其控制方法，该半导体存储器件包括：半导体存储器，被配置为非易失性地存储多个检测码、多个第一校正码、第二校正码以及第二数据块，第一数据块中的每一个包含数据项之一和相应的检测码，第二数据块包括第一数据块；第一校正器，被配置为使用第一校正码来校正第一数据块中的错误；检测器，被配置为使用所述检测码来检测由第一校正器校正的数据项中的错误，并产生表示在每个已校正的数据项中存在/不存在错误的第一错误信息；和第二校正器，被配置为使用第一错误信息和第二校正码，来校正已校正的数据项当中包括错误的若干个数据项中的错误，其中，第二校正码的纠错能力高于第一校正码的纠错能力。
半导体存储器件及其控制方法

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