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[发明专利]一种具有生物活性和抗菌性的钽酸钠膜层及其制备方法-CN202111447568.4有效
发明人：王翠翠;张意茹;蔡安琦;张于浩;刘轶凡;陈倩;宋颖轩;殷海荣 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： A61L27/54 文献下载
摘要：该表面改性技术通过水热‑熔盐‑水热法(或水热‑水热‑熔盐法)的协效作用在纯钽表面制备功能元素钙和铜共掺杂的生物活性膜层。首先通过水热法在金属钽表面制备出一层均匀的钽酸钠膜层，然后利用熔盐法进一步将Ca2+掺杂在钽酸钠膜层上，最后将掺杂了Ca2+钽酸钠膜层的钽通过二次水热掺杂了Cu2+，从而使得纯钽表面上形成了具有生物活性和抗菌性的Ca‑Cu共掺膜层。通过该方法制备的含钙和铜的膜层在钽表面均匀分布，有利于促进细胞分化，提高细胞活性，并且有一定抗菌性，从而提高钽金属的促成骨性和抗菌性，在医用植入材料领域展现了较好的应用前景。
一种具有生物活性抗菌钽酸钠膜层及其制备方法

[发明专利]一种钽表面钙掺杂钽酸钠生物活性层及其制备方法-CN202111453317.7有效
发明人：王翠翠;张意茹;蔡安琦;张于浩;刘轶凡;陈倩;宋颖轩;殷海荣 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C22/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽表面钙掺杂钽酸钠生物活性膜层的制备工艺，首先以含NaOH的水溶液为水热溶液，采用最佳的水热条件对钽基体进行水热处理，然后在含钙的粉末中熔盐处理获得了钽表面掺钙的钽酸钠涂层，得到的涂层微观结构呈立方体状，物相为钽酸钠，立方体结构涂层中掺杂有钙元素，该钙掺杂钽酸钠涂层与基体结合紧密，亲水性好，且获得的膜层表面粗糙度适中，在类体液环境中能快速诱导形成骨磷灰石，能够良好的促进成骨细胞增殖，具有优异的生物活性
一种表面掺杂钽酸钠生物活性及其制备方法

[发明专利]钽器件化学保护膜的形成方法-CN01105646.0无效
发明人：李东兵 -专利权人：上海南汇新海印染机械配件厂
申请日： 2001-03-13 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明是一种钽器件化学保护膜的形成方法,其应用于电子器件领域,其是采用多次阳极老化镀膜,在钽基体上产生均匀的一层保护膜,增加电解介质的容量,阳极电压采用40V,电流密度在55mA/mm,溶融液是硝酸锂与硝酸钠
器件化学保护膜形成方法

[发明专利]一种以氧化钽为硬掩模的磁性隧道结的制备方法-CN201610355664.9有效
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种以氧化钽为硬掩模的磁性隧道结的制备方法，步骤如下：S1：提供包括MTJ膜层的衬底；S2：在衬底上依次形成钽膜层和氧化钽膜层；S3：图形化转移MTJ图案到氧化钽膜层；S4：刻蚀氧化钽膜层，使图案转移到钽膜层；S5：对氧化钽膜层和钽膜层进行选择性刻蚀，使MTJ图案转移到MTJ膜层；S6：采用灰化工艺除去残留的有机物；S7：以氧化钽为硬掩模，对MTJ膜层进行刻蚀；S8：采用CVD方法生长一层
一种氧化硬掩模磁性隧道制备方法

[发明专利]一种磁性隧道结钽掩模的制备方法-CN201610497215.8有效
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结钽掩模的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次沉积形成钽掩模膜层和硅化物种子层；将磁性隧道结图案图形化转移到硅化物种子层的顶部；采用反应离子束刻蚀硅化物种子层和部分钽掩模膜层；进行选择性刻蚀，在没有硅化物种子层覆盖的钽掩模膜层进行刻蚀，在硅化物种子层再次沉积一层硅化物膜层；除去硅化物膜层和大部分硅化物种子层，同时并对钽掩模膜层进行修剪。本发明提供的磁性隧道结钽掩模的制备方法，通过使用进行选择性刻蚀，从根本上解决了钽掩模在图形化转移过程中，钽掩模的提前被过度消耗等问题，降低了MRAM电路短路的风险，特别适合于制作65nm及其以下的MRAM
一种磁性隧道结钽掩模制备方法

[发明专利]具有耐磨蚀膜层的钛钽合金-CN202211496406.4在审
发明人：江海霞;胡小刚;邱龙时;周波;潘晓龙;张于胜 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有耐磨蚀膜层的钛钽合金，包括钛钽合金基体以及设置在钛钽合金基体表面的耐磨蚀膜层，由包括以下步骤的方法制备得到：一、将钛钽合金依次进行打磨、脱脂、浸渍和出光、超声清洗；二、通过微弧氧化、阳极氧化或硬质阳极氧化处理在钛钽合金表面形成氧化膜层；三、封孔处理后清洗干燥。本发明的钛钽合金通过微弧氧化、阳极氧化或硬质阳极氧化的方法在经处理后具有平整清洁表面的钛钽合金的表面原位形成氧化膜层，该氧化膜层与钛钽合金基体的结合更加紧密，大幅提高了钛钽合金表面硬度，改善了钛钽合金的耐磨性能
具有耐磨蚀膜层合金

[发明专利]MEMS器件的制造方法-CN201410010413.8有效
发明人：张振兴;奚裴;熊磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氮化钽层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上涂布光刻胶并对所述硬掩膜层进行第一次刻蚀，形成刻蚀窗口，所述刻蚀窗口下保留部分硬掩膜层；去除所述硬掩膜层上的光刻胶并对所述刻蚀窗口下的硬掩膜层和氮化钽层进行第二次刻蚀，形成沟槽。在本发明提供的MEMS器件的制造方法中，通过两次刻蚀形成沟槽，其中第一次刻蚀保留部分硬掩膜层用以隔离氮化钽层和光刻胶，第二次刻蚀通过硬掩膜层对氮化钽层进行刻蚀，从而避免了氮化钽层刻蚀过程中由于直接以光刻胶为掩膜层而产生的含钽类聚合物残留问题
mems 器件制造方法

[发明专利]高硬度钽喷丝头的制备方法-CN202310587602.0在审
发明人：赵梓源;沈欢;薛翌倩;赵明轩;李均明 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C12/02 文献下载
摘要：本发明公开的高硬度钽喷丝头的制备方法，包括以下步骤：将金属钽板加工制造成钽喷丝头；利用表面技术在钽喷丝头表面制备一层铁镍合金；对钽喷丝头进行碳氮共渗，在其表面形成固溶铁、镍原子的碳氮化钽陶瓷层；将喷丝头抛光后进行清洗并烘干，然后放入由硝酸盐组成的熔融盐浴中，用电化学方法在喷丝头表面制备钽酸锂膜；将喷丝头出丝面钽酸锂膜抛掉，留下碳氮化钽层和镀钽酸锂膜时产生的过渡层；本发明可显著增强钽喷丝头表面强度、硬度，使其具备优异的抗划伤及抗变形能力，以提高钽喷丝头纺织质量和使用寿命。
硬度喷丝头制备方法

[发明专利]一种钛钽复合植入物及其制备方法-CN202310026061.4在审
发明人：曾达;陈艳文;谢泽阳;胡征宇;陈剑峰 -专利权人：大博医疗科技股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： A61L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛钽复合植入物及其制备方法，包括以下步骤：对钛或钛合金植入物进行A、B区域分割，定义A区域为钽，定义B区域为钛；对所述B区域进行掩膜覆盖，在所述A区域形成钽层，所述B区域被掩膜覆盖保护，在完成A区域的钽层制备后，对所述掩膜进行清除，得到局部覆盖钽层的植入物；对所述局部覆盖钽层的植入物进行阳极氧化处理，电压为10～160V，温度为10～50℃，时间为30s～300s，得到钛钽复合植入物，所述钛钽复合植入物具有双色膜层，兼具功能效果和功能标识，不仅解决了钛钽复合存在的电偶腐蚀问题，而且可以通过颜色来识别钽功能区域、钛功能区域，拓宽复合植入物材料的应用场景，解决临床痛点，具有广泛的运用前景。
一种复合植入及其制备方法

[发明专利]钽芯被膜方法、钽芯以及包括该钽芯的钽电容器和应用-CN202010168294.4有效
发明人：胡科正;江平;陈鱼;戴昭波;吴小慧;王安玖 -专利权人：中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司（国营第四三二六厂）
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01G9/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种钽芯被膜方法、钽芯以及包括该钽芯的钽电容器和应用，涉及电容器制备技术领域，上述被膜方法首先将钽芯浸渍入硝酸锰溶液中，随后将浸渍过硝酸锰溶液的钽芯进行热分解，使硝酸锰热分解为二氧化锰，完成被膜上述被膜方法能够在钽芯的外层形成二氧化锰层，进而保护钽芯的五氧化二钽介质层，提高钽电容器的可靠性。
钽芯被膜方法以及包括钽电容应用

[发明专利]用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法及MEMS AMR接触孔制造方法-CN201310386331.9无效
发明人：张振兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：所述用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法包括：利用物理气相沉积设备执行物理气相沉积以形成氮化钽层；利用光阻掩膜对所述氮化钽层执行软刻蚀，以便形成接触孔；在形成接触孔之后去除光阻掩膜，其中在所述氮化钽层上残留聚合物残留物；在去除光阻掩膜之后对所述氮化钽层执行软溅射刻蚀，以便去除所述氮化钽层上少量的聚合物残留物以及所述氮化钽层的表层。
用于 mems amr 接触刻蚀方法制造

[发明专利]用于湿法纺丝的钽喷丝头的表面处理方法-CN02106915.8有效
发明人：刘寓中 -专利权人：北京华宇创新科贸有限责任公司
申请日： 2002-03-07 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： D01D4/02 文献下载
摘要：一种用于湿法纺丝的钽喷丝头的表面处理方法,包括以下的步骤(a)将金属钽板加工制造成钽喷丝头;(b)对钽喷丝头进行渗氮处理,使用离子氮化炉,使钽喷丝头表面形成渗氮层;(c)将经渗氮处理过的钽喷丝头,采用熔盐电化学方法进行镀膜处理,使其生成一层含有钽酸锂的膜层;(d)将钽喷丝头的出丝面进行抛光处理,磨去出丝面表面绝缘的含有钽酸锂的膜层,留下钽的过渡层。本发明可以显著增加钽喷丝头的硬度,从而增强抗划伤、抗磨损的能力,提高钽喷丝头的使用寿命,同时,又可使镀膜钽喷丝头的可纺性有进一步提高,而能完全取代贵金属喷丝头,从而大大降低生产成本和提高化纤质量。
用于湿法纺丝喷丝头表面处理方法

[发明专利]用于湿法纺丝的钽喷丝头的表面处理方法-CN01144879.2无效
发明人：刘寓中 -专利权人：北京华宇创新科贸有限责任公司
申请日： 2001-12-27 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： D01D4/02 文献下载
摘要：一种用于湿法纺丝的钽喷丝头的表面处理方法，包括以下的步骤：(a)将金属钽板加工制造成钽喷丝头；(b)对钽喷丝头进行渗氮处理，使用离子氮化炉，使钽喷丝头表面形成渗氮层；(c)将经渗氮处理过的钽喷丝头，采用熔盐电化学方法进行镀膜处理，使其生成一层含有钽酸锂的膜层；(d)将钽喷丝头的出丝面进行抛光处理，磨去出丝面表面绝缘的含有钽酸锂的膜层，留下钽的过渡层。本发明可以显著增加钽喷丝头的硬度，从而增强抗划伤、抗磨损的能力，提高钽喷丝头的使用寿命，同时，又可使镀膜钽喷丝头的可纺性有进一步提高，而能完全取代贵金属喷丝头，从而大大降低生产成本和提高化纤质量。
用于湿法纺丝喷丝头表面处理方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置-CN201110242737.0有效
发明人：原田和宏;板谷秀治 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的目的在于控制膜中的氧浓度，同时形成具有良好的阶梯被覆性的氧化钽类膜。通过交替重复多次下述工序而在衬底上形成导电性氧氮化钽膜，所述导电性氧氮化钽膜在化学计量上氧相对于钽及氮不足，所述工序包括：在发生CVD反应的条件下，向收容有衬底的处理室内供给含有钽的原料气体和氮化剂，在衬底上形成氮化钽层的工序；和向处理室内供给氧化剂，在氮化钽层的由氧化剂引起的氧化反应为不饱和的条件下，氧化氮化钽层的工序。
半导体装置制造方法衬底处理

[发明专利]半导体器件-CN201110242752.5无效
发明人：关根康;山形整人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体器件具有金属电阻元件层。金属电阻元件层包括电阻膜层。另一金属电阻元件层包括另一金属电阻膜层。金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的一个。另一金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的另一个。而氮化钽电阻的电阻值具有负温度系数。接触插塞将金属电阻膜层与另一金属电阻膜层电耦合。因此，氮化钛电阻的温度系数与氮化钽电阻的温度系数可以彼此抵消。这可以减小温度系数。
半导体器件

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