专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]催化剂层-CN201180059777.X有效
  • D·汤普塞特;E·A·赖特;J·M·菲舍尔;E·彼得鲁科 - 庄信万丰燃料电池有限公司
  • 2011-12-14 - 2019-01-01 - H01M4/90
  • 催化剂层,其包括电催化剂和析催化剂,其中析催化剂包括结晶金属氧化物,其包括:(i)选自钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、镁、钙、锶、、钠、钾、、铊、锡、铅、锑和铋的一种或多种第一金属;(ii)选自Ru、Ir、Os和Rh的一种或多种第二金属;以及(iii),其特征在于:(a)第一金属:第二金属的原子比为1:1.5至1.5:1;(b)(第一金属+第二金属):的原子比为1:1至1:2
  • 催化剂
  • [发明专利]一种制备透明半导体薄膜的低温液相方法-CN201610821751.9在审
  • 夏国栋;王素梅 - 齐鲁工业大学
  • 2016-09-14 - 2017-02-01 - H01L21/02
  • 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种制备透明半导体薄膜的低温液相方法。包括如下步骤称取可溶性的盐、铝盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的前驱体溶液;制备薄膜将前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成前驱体薄膜,进行50‑150℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体溶液并退火处理,即得到透明半导体薄膜。本发明所得薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
  • 一种制备铟铝氧透明半导体薄膜低温方法
  • [发明专利]一种透明半导体薄膜的低温溶液制备方法-CN201610821752.3在审
  • 夏国栋;王素梅 - 齐鲁工业大学
  • 2016-09-14 - 2017-02-01 - H01L21/02
  • 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种透明半导体薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤称取可溶性的盐、锌盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的前驱体溶液;制备薄膜将前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成前驱体薄膜,进行50‑150℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体溶液并退火处理,即得到透明半导体薄膜。本发明所得薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
  • 一种铟锌氧透明半导体薄膜低温溶液制备方法
  • [发明专利]一种制备透明半导体薄膜的低温溶液方法-CN201610821730.7在审
  • 夏国栋;王素梅 - 齐鲁工业大学
  • 2016-09-14 - 2017-01-25 - H01L21/28
  • 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种制备透明半导体薄膜的低温溶液方法。包括如下步骤称取可溶性的盐、钛盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的前驱体溶液;制备薄膜将前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体溶液并退火处理,即得到透明半导体薄膜。本发明所得薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
  • 一种制备铟钛氧透明半导体薄膜低温溶液方法
  • [发明专利]一种高迁移率镓锌薄膜晶体管的低温液相制备方法-CN201610821769.9在审
  • 夏国栋;张倩;王素梅 - 齐鲁工业大学
  • 2016-09-14 - 2016-12-07 - H01L21/331
  • 本发明属于半导体及微电子器件领域,特别涉及一种高迁移率镓锌薄膜晶体管的低温液相制备方法。包括如下步骤:称取可溶性的锌盐、锡盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的镓锌前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的镓锌前驱体溶液;制备镓锌薄膜:将镓锌前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成镓锌前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据镓锌薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体镓锌溶液并退火处理,即得到镓锌透明半导体薄膜在镓锌透明半导体薄膜上沉积源漏电极,即得到镓锌薄膜晶体管。本发明所得镓锌薄膜晶体管性能高,在信息电子领域有重要应用前景。
  • 一种迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管低温制备方法
  • [发明专利]一种低温制备镓锌透明半导体薄膜的液相方法-CN201610821772.0在审
  • 夏国栋;王素梅 - 齐鲁工业大学
  • 2016-09-14 - 2016-11-16 - H01L21/02
  • 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种低温制备镓锌透明半导体薄膜的液相方法。包括如下步骤:称取可溶性的盐、镓盐、锌盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的镓锌前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的镓锌前驱体溶液;制备镓锌薄膜:将镓锌前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成镓锌前驱体薄膜,进行50‑150℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据镓锌薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体镓锌溶液并退火处理,即得到镓锌透明半导体薄膜。本发明所得镓锌薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
  • 一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜方法

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