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- [发明专利]一种制备铟铝氧透明半导体薄膜的低温液相方法-CN201610821751.9在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-02-01
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种制备铟铝氧透明半导体薄膜的低温液相方法。包括如下步骤称取可溶性的铟盐、铝盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟铝氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟铝氧前驱体溶液;制备铟铝氧薄膜将铟铝氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟铝氧前驱体薄膜,进行50‑150℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据铟铝氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟铝氧溶液并退火处理,即得到铟铝氧透明半导体薄膜。本发明所得铟铝氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
- 一种制备铟铝氧透明半导体薄膜低温方法
- [发明专利]一种铟锌氧透明半导体薄膜的低温溶液制备方法-CN201610821752.3在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-02-01
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种铟锌氧透明半导体薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤称取可溶性的铟盐、锌盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟锌氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟锌氧前驱体溶液;制备铟锌氧薄膜将铟锌氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟锌氧前驱体薄膜,进行50‑150℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据铟锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟锌氧溶液并退火处理,即得到铟锌氧透明半导体薄膜。本发明所得铟锌氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
- 一种铟锌氧透明半导体薄膜低温溶液制备方法
- [发明专利]一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法-CN201610821730.7在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-01-25
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H01L21/28
- 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法。包括如下步骤称取可溶性的铟盐、钛盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟钛氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟钛氧前驱体溶液;制备铟钛氧薄膜将铟钛氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟钛氧前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据铟钛氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟钛氧溶液并退火处理,即得到铟钛氧透明半导体薄膜。本发明所得铟钛氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
- 一种制备铟钛氧透明半导体薄膜低温溶液方法
- [发明专利]一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法-CN201610821769.9在审
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夏国栋;张倩;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2016-12-07
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H01L21/331
- 本发明属于半导体及微电子器件领域,特别涉及一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法。包括如下步骤:称取可溶性的锌盐、锡盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟镓锌氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟镓锌氧前驱体溶液;制备铟镓锌氧薄膜:将铟镓锌氧前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成铟镓锌氧前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据铟镓锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟镓锌氧溶液并退火处理,即得到铟镓锌氧透明半导体薄膜在铟镓锌氧透明半导体薄膜上沉积源漏电极,即得到铟镓锌氧薄膜晶体管。本发明所得铟镓锌氧薄膜晶体管性能高,在信息电子领域有重要应用前景。
- 一种迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管低温制备方法
- [发明专利]一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法-CN201610821772.0在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2016-11-16
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法。包括如下步骤:称取可溶性的铟盐、镓盐、锌盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟镓锌氧前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟镓锌氧前驱体溶液;制备铟镓锌氧薄膜:将铟镓锌氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟镓锌氧前驱体薄膜,进行50‑150℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据铟镓锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟镓锌氧溶液并退火处理,即得到铟镓锌氧透明半导体薄膜。本发明所得铟镓锌氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
- 一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜方法
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