专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种镁掺杂大籽晶的制备方法-CN201510621221.5有效
  • 李国政 - 天津师范大学
  • 2015-09-28 - 2017-11-14 - C30B29/22
  • 本发明公开了一种镁掺杂大籽晶的制备方法,由配制Nd1.6Ba2.3Cu3.3Ox前驱粉、压制前驱块、熔化生长Mg掺杂多畴块材、解理籽晶步骤组成。本发明仅使用Nd1.6Ba2.3Cu3.3Ox一种前驱粉即可成功制备Mg掺杂籽晶,方法简单,效率高。此外,本方法熔化生长的Mg掺杂多畴块材上含有尺寸达15mm的大畴区,因此可轻易解理下一系列尺寸达5mm×5mm的大籽晶,相比传统使用的小籽晶,其热稳定性更好,也能更容易控制被诱导块材生长时的取向一致性
  • 一种掺杂钕钡铜氧大籽晶制备方法
  • [发明专利]一种调控薄膜取向的方法-CN201810563086.7有效
  • 涂溶;王凯东;章嵩;张联盟 - 武汉理工大学
  • 2018-06-04 - 2020-02-18 - C23C16/40
  • 本发明公开了一种调控薄膜取向的方法,在传统金属有机物化学气相沉积技术的基础上,进一步引入高能量密度的连续激光,可降低化学反应活化势垒,加快反应速率,并同时保证沉积区域辐射场均匀稳定分布,因此制备的薄膜结构连续均匀,面内排布有序;本发明通过对激光功率和加载时间的简单调控,可实现薄膜取向结构的可控调节,尤其可制备得到具有沿厚度方向a,c轴取向混合结构的薄膜,为含有两种取向结构复合薄膜的制备提供了一条全新思路
  • 一种调控钕钡铜氧薄膜取向方法
  • [发明专利]易除液相源残留的单畴钆超导块材的制备方法-CN201610693560.9有效
  • 杨万民;杨芃焘 - 陕西师范大学
  • 2016-08-19 - 2018-09-28 - C30B29/22
  • 本发明属于高温氧化物超导材料技术领域,具体涉及一种易除液相源残留的单畴钆超导块材的制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块、压制含有圆孔的液相源先驱块、压制Y2O3圆柱形支柱、压制Yb2O3支撑块、制备籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴钆块材、渗处理步骤本发明了提供了一种装配先驱块的新技术,既能实现液相源先驱块中液相的熔渗,又能保证单畴钆超导块材的生长,同时又能极易实现已生长单畴钆超导块材与液相源残留块的分离;不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程,也避免了已生长单畴钆超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
  • 液相源残留单畴钆钡铜氧超导及其制备方法
  • [发明专利]超低损耗高频电容器-CN201911363661.X在审
  • 金雷;孔維彬;崔飞;金杨;徐飞 - 南京汇聚新材料科技有限公司
  • 2019-12-26 - 2021-06-29 - H01G4/12
  • 本发明公开了一种超低损耗高频电容器,包括电容器本体、纯内电极、外部电极和镨钛陶瓷层;所述电容器本体的两侧对称设置外部电极;电容器本体的内部设置一组纯内电极和镨钛陶瓷层,一组纯内电极交错设置在电容器本体内部,一组纯内电极与镨钛陶瓷层交替堆叠,所述一组纯内电极均与外部电极电性连接;所述的外部电极自内至外依次为外电极层、镍电极层和锡电极层;所述电极层中金属粉末的粒度≦1μm;所述纯内电极中金属粉末的粒度≦1μm,将陶瓷材料与金属电极共同制作成微波组件,可以生产出超低损耗高频电容器。
  • 损耗高频电容器

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