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[发明专利]一种金属化孔薄膜电路及其制备方法-CN202111659807.2在审
发明人：程吉霖;聂源;钟怀磊;刘旭 -专利权人：成都亚光电子股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属化孔薄膜电路及其制备方法。本发明提供的金属化孔薄膜电路的制备方法，通过进行单独金属化，延长工序，不限制单工序产能负担，使得生产产能与无金属化孔生产产能一致，该方面可以正式应用于产业化，工艺余量较大，较容易进行大批量化工艺生产；再者，通过单独对孔进行金属化处理，减少同时金属金属化孔其他刻蚀工艺的影响，提高了薄膜电路金属孔的耐温性；由于本发明使用夹具为通用夹具，相对于选择性电镀利用光刻夹具(每种金属化孔图形都需要做一种夹具)而言，本发明能够在不使用夹具基础上，满足现有设计规则要求的金属化孔制备。
一种金属化薄膜电路及其制备方法

[发明专利]具有集成电流传感器的功率模块-CN201410179496.3有效
发明人： C.卡斯特罗塞拉托 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：功率模块包括具有金属化侧面的第一衬底；第二衬底，与第一衬底分离放置并且具有面对第一衬底的金属化侧面的金属化侧面；和半导体管芯，插入在第一和第二衬底之间。半导体管芯具有连接到第一衬底的金属化侧面的第一侧面和连接到第二衬底的金属化侧面的相对的第二侧面。功率模块进一步包括传感器，连接到第一衬底的金属化侧面并且与第二衬底的金属化侧面电流隔离。传感器与第二衬底的金属化侧面的第一金属区对齐以便传感器能够测量由第一金属区生成的磁场。
具有集成电流传感器功率模块

[发明专利]幅度阻抗校准的三维封装表面天线-CN201210564034.4有效
发明人：殷晓星;赵洪新;王磊 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01Q13/02 文献下载
摘要：该天线包括集成在一块介质基板(4)上的金属化垂直过孔馈线(1)、喇叭天线(2)和金属化过孔(3)，介质基板(4)在三维封装(5)的最上面，金属化垂直过孔馈线(1)一端与内部电路(8)相连，喇叭天线(2)由底面金属平面(6)、顶面金属平面(9)和金属化过孔侧壁(11)组成，由金属化过孔(3)构成的过孔阵列中间金属化过孔阵列(17)、左边金属化过孔阵列(18)和右边金属化过孔阵列(19)，在喇叭天线(2)
幅度阻抗校准三维封装表面天线

[发明专利]相位幅度校准的三维封装表面天线-CN201210564474.X有效
发明人：殷晓星;赵洪新;赵嘉宁 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01Q13/02 文献下载
摘要：该天线包括集成在一块介质基板(4)上的金属化垂直过孔馈线(1)、喇叭天线(2)和金属化过孔(3)，介质基板(4)在三维封装(5)的最上面，金属化垂直过孔馈线(1)一端与内部电路(8)相连，喇叭天线(2)由底面金属平面(6)、顶面金属平面(9)和金属化过孔侧壁(11)组成，由金属化过孔(3)构成的中间金属化过孔阵列(16)、左边金属化过孔阵列(17)和右边金属化过孔阵列(18)，在喇叭天线(2)中形成四个介质填充波导
相位幅度校准三维封装表面天线

[发明专利]相位幅度阻抗校准的三维封装表面天线-CN201210564137.0有效
发明人：赵洪新;殷晓星;赵嘉宁 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：该天线包括集成在一块介质基板(4)上的金属化垂直过孔馈线(1)、喇叭天线(2)和金属化过孔(3)，介质基板(4)在三维封装(5)最上面，金属化垂直过孔馈线(1)一端与内部电路(8)相连，喇叭天线(2)由底面金属平面(6)、顶面金属平面(9)和金属化过孔侧壁(11)组成，由金属化过孔(3)构成的中间金属化过孔阵列(17)、左边金属化过孔阵列(18)和右边金属化过孔阵列(19)，在喇叭天线(2)中形成四个介质填充波导
相位幅度阻抗校准三维封装表面天线

[发明专利]一种局部金属化热转印膜的生产方法-CN200910048454.5无效
发明人：金哲 -专利权人：禹辉(上海)转印材料有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： B44C1/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种局部金属化热转印膜的生产方法，该方法包括以下步骤：(1)在载体膜上涂布离型层和功能层；(2)将在步骤(1)得到的膜上印刷信息层和保护层及局部金属化层；(3)将在步骤(2)得到的膜进行真空蒸镀得到金属化层；(4)将在步骤(3)得到金属化层的转印膜通过水洗机进行水洗，局部金属化层的水溶性树脂迅速溶解于水中，将不需要的金属层洗掉得到局部金属化层；(5)在步骤(4)得到的局部金属化层上涂布1～2层接着层，使其与金属化层牢固粘接与现有技术相比，本发明具有工序少、产品率高、无污染、可生产多种金属效果等优点。
一种局部金属化热转印膜生产方法

[实用新型]电容器用双层金属化薄膜-CN201820523152.3有效
发明人：易文锋;杜宝玉;黎嘉良;梁永隆 -专利权人：佛山市顺德区胜业电气有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：一种电容器用双层金属化薄膜，包括相互层叠的上、下金属化膜，上、下金属化膜是在有机薄膜介质上蒸镀上金属镀层构成，金属镀层由网状镀区和普通镀区组成，网状镀区由空隙条分割成若干方形网格镀层，当上、下金属化膜叠合后，上金属化膜的网状镀区与下金属化膜的普通镀区叠合，上金属化膜的普通区与下金属化膜的网状镀区叠合；相比于传统的整个镀层为安全网状膜结构相比，当电容器在工频交变电场下工作时，因方形网格镀层面积相对较少，减少了因网格损坏带来的容量大幅下降的风险
金属化膜网状镀区叠合双层金属化薄膜电容器方形网格镀层电容器用金属镀层有机薄膜介质网格损坏传统的交变电网状膜镀层工频蒸镀分割安全保证

[发明专利]一种SOP12金属陶瓷封装光电耦合器外壳-CN202011063150.9在审
发明人：吴双彪;王智;杨军;方明洪;姚良智;任真伟;钱军军 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOP12金属陶瓷封装光电耦合器外壳，包括封接环,封接环安装在金属化瓷件顶端；金属化瓷件安装在基板上，金属化瓷件内设置有金属焊盘,金属焊盘通过引线引出金属化瓷件外，引线通过设置在基板上的引线框架固定本发明通过金属化陶瓷腔对光电耦合器进行封装，陶瓷腔内的三个通道相互不干扰，并且每个通道内的金属化区域位置均不同，便于识别接线。
一种 sop12 金属陶瓷封装光电耦合器外壳

[实用新型]一种SOP12金属陶瓷封装光电耦合器外壳-CN202022207300.0有效
发明人：吴双彪;王智;杨军;方明洪;姚良智;任真伟;钱军军 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种SOP12金属陶瓷封装光电耦合器外壳，包括封接环,封接环安装在金属化瓷件顶端；金属化瓷件安装在基板上，金属化瓷件内设置有金属焊盘,金属焊盘通过引线引出金属化瓷件外，引线通过设置在基板上的引线框架固定本实用新型通过金属化陶瓷腔对光电耦合器进行封装，陶瓷腔内的三个通道相互不干扰，并且每个通道内的金属化区域位置均不同，便于识别接线。
一种 sop12 金属陶瓷封装光电耦合器外壳

[实用新型]一种片式超小型高电压大电流电容器-CN201420060972.5有效
发明人：罗学民;刘宇 -专利权人：长兴友畅电子有限公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：它包括第一双面铝金属化聚丙烯薄膜、第一聚丙烯光膜、第二双面铝金属化聚丙烯薄膜、第二聚丙烯光膜。所述第一双面铝金属化聚丙烯薄膜、第二双面铝金属化聚丙烯薄膜的表面均蒸镀有一层极薄的金属化层，且外端的端头设置有喷上金属，内部结构为四层串联结构。第一双面铝金属化聚丙烯薄膜与第二双面铝金属化聚丙烯薄膜之间相互错交且反向内缩0.2mm，在第一双面铝金属化聚丙烯薄膜与第二双面铝金属化聚丙烯薄膜之间用聚丙烯光膜隔开，底层再增加一层聚丙烯光膜，极大地改善和优化了金属化薄膜电容器电容器的耐受高电压和大电流能力
一种超小型电压电流电容器

[实用新型]一种用于电容器的纯铝锌加厚金属化薄膜-CN200820145221.8有效
发明人：蔡仔彬;黄代军 -专利权人：厦门法拉电子股份有限公司
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于电容器的纯铝锌加厚金属化薄膜，包括一薄膜介质层、一铝金属化膜层、一锌金属加厚层，铝金属化膜层为采用铝金属材料镀膜在薄膜介质层上形成，该铝金属化膜层与薄膜介质层相结合后设有留边，锌金属加厚层为采用锌金属材料镀膜在铝金属化膜层上形成，该锌金属加厚层设在所述的铝金属化膜层与薄膜介质层相结合后的金属化端边，该结构的纯铝锌加厚金属化薄膜，在制作电容器时，适应于目前喷金无铅化工艺的趋势，喷金金属用锌和锡锌合金其喷金结合效果更好，同时，从蒸镀工艺角度出发
一种用于电容器纯铝锌加厚金属化薄膜

[发明专利]一种热态金属化球团的处理方法与系统-CN201610786165.5有效
发明人：刘占华;陈文亮;曹志成;薛逊;吴道洪 -专利权人：江苏省冶金设计院有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种热态金属化球团的处理方法与系统。本发明首先公开了一种热态金属化球团的处理方法，将热态金属化球团进行水淬，得到金属化球团和显热水淬溶液；将金属化球团破碎，利用含银废液和显热水淬溶液作为磨矿介质进行磨矿，在磨矿过程中完成置换反应生成金属银；然后经固液分离、磁选、重选、沉淀和煅烧等回收铁产品、金属银和氧化铁红。本发明还公开了一种热态金属化球团的处理系统，包括：热态金属化球团水淬装置、破碎装置、粉磨装置、固液分离装置、磁选分离装置、重选分离装置、沉淀分离装置和煅烧装置。本发明热态金属化球团的处理方法与系统，能够实现热态金属化球团、含银废液的综合利用，产出高品质铁产品、氧化铁红和金属银。
一种金属化处理方法系统

[发明专利]一种获得平整切口的金属化薄膜分切装置-CN202111108533.8在审
发明人：刘同林;陈五一 -专利权人：铜陵市超越电子有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B65H35/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种获得平整切口的金属化薄膜分切装置，包括壳体，所述壳体内设置有分切机构，金属化薄膜通过运输机构从壳体穿过，在壳体内进行分切；所述分切机构包括切辊、限位辊以及分切刀，所述限位辊设置在切辊两端，且与壳体连接，所述分切刀设置在切辊表面，所述分切刀的线速度等于金属化薄膜的前进速度；本发明的有益效果：通过控制限位辊的转速以及运输机构运输金属化薄膜的速度，而分切刀刀刃与限位辊的转轴距离一定，将分切刀的线速度与金属化薄膜的前进速度设置为相等；从而使分切刀在对金属化薄膜进行切割时，分切刀与金属化薄膜的相对速度为零，避免出现分切刀在切割金属化薄膜时，金属化薄膜出现褶皱的情况。
一种获得平整切口金属化薄膜装置

[发明专利]具有增加的有源面积的晶体管半导体芯片-CN202080043067.7在审
发明人：丹尼尔·詹纳·利希滕瓦尔纳;爱德华·罗伯特·范·布伦特 -专利权人：克利公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：晶体管半导体芯片包括漂移层、第一介电层、第一金属化层、第二介电层、第二金属化层、第一多个电极以及第二多个电极。第一介电层在漂移层上方。第一金属化层在第一介电层上方，使得第一金属化层的至少一部分提供第一接触垫。第二介电层在第一金属化层上方。第二金属化层在第二介电层上方，使得第二金属化层的至少一部分提供第二接触垫并且第二金属化层与第一金属化层至少部分重叠。
具有增加有源面积晶体管半导体芯片

[实用新型]一种高耐压大电流中高频金属化薄膜电容器-CN201120426742.2有效
发明人：廖承旭;杜晓明 -专利权人：北京万创科技有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开的金属化薄膜电容器包括芯子、支撑端以及引出端，所述芯子包括第一双面金属化薄膜；位于所述第一双面金属化薄膜下层的第一聚丙烯膜；位于所述第一聚丙烯膜下层的第二双面金属化薄膜；以及位于所述第二双面金属化薄膜下层的第二聚丙烯膜；其中，所述第一聚丙烯膜与所述第二聚丙烯膜左右端对齐；所述第一双面金属化薄膜右端伸出所述第一聚丙烯膜右端之外；所述第二双面金属化薄膜左端伸出所述第一聚丙烯膜左端之外。采用了双层双面金属化薄膜卷绕形成的双面金属化薄膜电容器，具有自愈性好，容量大的特点，能够用于高压大电流中高频场合。
一种耐压电流高频金属化薄膜电容器