专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]N型晶硅太阳能电池及其制备方法-CN201210271346.6有效
  • 杨德成;郎芳;李高非;胡志岩;熊景峰 - 英利集团有限公司
  • 2012-07-31 - 2012-11-07 - H01L31/18
  • 该制备方法包括扩散制结、刻蚀、沉积减反射层、印刷及烧结步骤,在扩散制结步骤之前包括选择背场的制备过程,选择背场的制备过程包括:1)在硅片基体上扩散形成一层浅掺杂的磷背场;以及2)利用激光垂直照射磷背场上欲形成金属栅线区的区域使区域内所掺杂的磷元素富集,形成选择背场。本发明在制备背场时只需要在硅片基体的背面制备浅掺杂的背场,节约了磷的使用量,缩短了扩散时间;采用激光照射使照射区域的磷向局部富集并向硅片基体内扩散,形成的选择背场从活性区到金属栅线区薄层电阻逐渐降低,
  • 型晶硅太阳能电池及其制备方法

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