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[发明专利]接触凸块连接以及接触凸块和用于建立凸块接触连接的方法-CN201380042531.0有效
发明人：卡斯滕·尼兰;弗兰克·克里贝尔 -专利权人：斯迈达科技有限责任公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触凸块连接(24)和一种用于在设有至少一个第一连接面(11)的电子器件和与所述器件接触的具有至少一个第二连接面(25)的接触衬底(26)之间建立接触凸块连接(24)的方法，其中所述第一连接面设有接触凸块(10)，所述接触凸块具有边缘突出部(15)和在由所述边缘突出部至少部分地围绕的并且朝向所述接触凸块的头端部敞开的挤入空间(18)中具有至少一个挤入销(16)，并且所述第二连接面在与所述第一连接面的接触区域(31)中具有通过将所述第二连接面的接触材料(29)挤入所述挤入空间中而构成的围绕所述挤入销的接触凸起部(30)，所述接触凸起部具有朝向所述挤入空间的底部(17)的并且相对于所述第二连接面的围绕所述接触区域的平坦的接触表面(32)凸起的凸冠(33)。
接触连接以及用于建立方法

[外观设计]窗用右凸框连接块-CN98305391.X无效
发明人：郭家声 -专利权人：郭家声
申请日： 1998-11-24 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： 08-09-F0168 文献下载
摘要：
窗用右凸框连接

[发明专利]魔块凸头、魔块凹槽及连接组装魔块-CN201310217466.2有效
发明人：张晓勇 -专利权人：北京嘉鑫天辰科技有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： A63H33/08 文献下载
摘要：本发明公开魔块凸头、魔块凹槽及连接组装魔块。魔块凸头具有连接端和自由端，自由端的端面为第一等腰梯形，连接端的端面为第一矩形；魔块凸头的下底面为第二矩形；魔块凸头的上底面为第二等腰梯形；魔块凸头的两个侧面均是由两个不在同一平面上的第一三角形和第二三角形组成魔块凹槽具有侧面槽口、下槽口和上槽口，侧面槽口的入口形状为第二等腰梯形，上槽口的入口形状为第一等腰梯形；下槽口的入口形状由两个共用短底边的第三等腰梯形和第四等腰梯形组成，正对侧面槽口的魔块凹槽内壁面的形状由第五等腰梯形和第六等腰梯形组成组装连接魔块包括魔块凸头和魔块凹槽。本发明具有结构简单，连接结实、可靠、稳定，插拔具有方向性等优点。
魔块凸头凹槽连接组装

[实用新型]魔块凸头、魔块凹槽及连接组装魔块-CN201320316341.0有效
发明人：张晓勇 -专利权人：北京嘉鑫天辰科技有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： A63H33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开魔块凸头、魔块凹槽及连接组装魔块。魔块凸头具有连接端和自由端，自由端的端面为第一等腰梯形，连接端的端面为第一矩形；魔块凸头的下底面为第二矩形；魔块凸头的上底面为第二等腰梯形；魔块凸头的两个侧面均是由两个不在同一平面上的第一三角形和第二三角形组成魔块凹槽具有侧面槽口、下槽口和上槽口，侧面槽口的入口形状为第二等腰梯形，上槽口的入口形状为第一等腰梯形；下槽口的入口形状由两个共用短底边的第三等腰梯形和第四等腰梯形组成，正对侧面槽口的魔块凹槽内壁面的形状由第五等腰梯形和第六等腰梯形组成组装连接魔块包括魔块凸头和魔块凹槽。本实用新型具有结构简单，连接结实、可靠、稳定，插拔具有方向性等优点。
魔块凸头凹槽连接组装

[发明专利]凸块形成装置、凸块形成方法以及凸块形成程序-CN202180075021.8在审
发明人：田中清贵 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：凸块形成装置(1)包括接合工具(15)及接合控制部(10)，接合控制部构成为执行压接工序(S14)、放出工序(S15)、按压工序(S16)以及切断工序(S17)，基于与引线(w)相关的第一参数以及与接合工具
形成装置方法以及程序

[发明专利]凸块结构和凸块结构制造方法-CN201910825779.3在审
发明人：李灿浩;李仁荣;裵镇国;郑显秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了凸块结构和凸块结构制造方法。可以提供包括焊盘和位于所述焊盘的顶表面上的凸块的凸块结构。所述凸块可以包括上凸块部分和下凸块部分，所述下凸块部分可以包括与所述焊盘的顶表面接触的基座部分和从所述基座部分向上延伸的柱状部分。
结构制造方法

[发明专利]凸块封装结构及凸块封装方法-CN201210041079.3有效
发明人：王之奇;王宥军;俞国庆;王琦;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种凸块封装结构及凸块封装方法，其中，凸块封装方法包括：提供待封装衬底，所述待封装衬底表面具有焊垫，焊垫表面具有凸块；在所述待封装衬底表面形成覆盖所述凸块的异向导电胶层；提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的电极，所述电极位置与凸块位置对应；将PCB板与待封装衬底压合，使得所述电极与所述凸块位置正对并且PCB板表面与异向导电胶层表面接触，其中，位于所述凸块与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力本发明实施例的凸块封装方法工艺简便，本发明实施例的凸块封装结构封装质量高。
封装结构方法

[发明专利]凸块形成方法及焊接凸块-CN200580029094.4有效
发明人：辛岛靖治;山下嘉久;留河悟;北江孝史;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可以均一性良好地形成多个微细凸块并且生产性高的凸块形成方法。其后，如果将平板(14)从树脂(13)的表面分离，除去树脂(13)，则可以获得在多个电极上形成了凸块(16)的基板(10)。
形成方法焊接

[发明专利]凸块工艺-CN201110423999.7有效
发明人：郭志明;戴华安;林政帆;邱奕钏;谢永伟 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块工艺，其包含提供一硅基板；形成一含钛金属层在该硅基板，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区；形成多个铜凸块在所述开槽；进行一加热步骤；形成多个凸块隔离层在所述铜凸块；形成多个接合层在所述凸块隔离层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使各该第一区形成为一凸块下金属层。
工艺

[发明专利]凸块制程-CN200810095842.4有效
发明人：余瑞益;戴丰成 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种凸块制程，是提供一晶片，该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫，再覆盖一保护层于晶片的主动表面上，并裸露出接垫，接着形成一凸块下金属层于接垫上，再配置一胶膜于保护层上，并覆盖凸块下金属层接着对胶膜进行选择性的曝光，使得位于凸块下金属层上方的胶膜受到曝光，并移除胶膜的曝光部分，使得凸块下金属层裸露。分布一锡膏于凸块下金属层上，并移除晶片上剩余的胶膜，再借助回焊制程使锡膏形成一金属凸块。
凸块制程

[发明专利]凸块制程-CN200610064835.9有效
发明人：王俊恒 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种凸块制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上，其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。然后对应这些接点而形成多个凸块于第二开口内，其中这些凸块的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些凸块进行蚀刻，以平坦化这些凸块的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些凸块所覆盖的部份。
凸块制程

[发明专利]凸块结构-CN201910542464.8有效
发明人：曾国玮;陈柏琦 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸块结构，包含一凸块本体，所述凸块本体沿一第一方向延伸，且所述凸块本体于垂直所述第一方向的一第二方向两侧分别具有一侧表面；以及多个补强单元，形成于所述凸块本体的侧表面。
结构

[发明专利]凸块结构-CN200710126341.3无效
发明人：张世明;曾毅;高国书 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种凸块结构，包括至少一接垫、至少一第一高分子凸块、至少一第二高分子凸块以及导电层。接垫配置于基板上。第一高分子凸块配置于基板上。第二高分子凸块配置于基板上，且连接于第一高分子凸块。导电层覆盖第一高分子凸块，并与接垫电性连接。
结构

[发明专利]复合凸块-CN200510135282.7无效
发明人：林基正;林耀生;张世明;陆苏财;郑仙志;陈泰宏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提出一种复合凸块，其适于设置在基板的焊垫上。此复合凸块主要包括弹性主体以及外导电层，其中弹性主体的热膨胀系数介于5ppm/℃与200ppm/℃之间，而外导电层覆盖弹性主体，并与焊垫电连接。复合凸块内的弹性主体可在接合时提供应力缓冲的效果，且由于弹性主体的热膨胀系数位于较佳的范围内，因此有助于降低热应力的作用，进而提高接合效果。
复合

[实用新型]凸块结构-CN201220003015.X有效
发明人：郭志明;邱奕钏;何荣华 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种凸块结构，包含一硅基板、多个凸块下金属层、多个铜凸块、多个凸块隔离层以及多个接合层，该硅基板具有一表面、多个设置于该表面的焊垫及一设置于该表面的保护层，该保护层具有多个开口，且所述开口显露所述焊垫，所述凸块下金属层形成于所述焊垫，所述铜凸块形成于所述凸块下金属层上，各该铜凸块具有一第一顶面及一第一环壁，所述凸块隔离层包覆各该铜凸块的该第一顶面及该第一环壁，且各该凸块隔离层具有一第二顶面，所述接合层形成于所述凸块隔离层的所述第二顶面
结构

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