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- [发明专利]耐高压的输入缓冲器-CN200810003905.9有效
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陈佳惠
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2008-01-14
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2009-03-11
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H03K19/0185
- 本发明涉及一种输入缓冲器保护电路,其包括一NMOS晶体管,具有源极、漏极与闸极,其分别耦合至输入缓冲器的输入端、衬垫与芯片外围正供电电压(VDDP),以及PMOS晶体管,分别耦合到衬垫、输入缓冲器的输入端与偏压电路的第一端的源极其中偏压电路具有耦合到衬垫的第二端,且在第一端产生低于衬垫输入信号电压(VPAD)的电压,使得当衬垫的输入信号电压低于或等于芯片外围正供电电压时,开启PMOS晶体管,或者产生实质等于衬垫输入信号电压的电压,使得当衬垫的输入信号电压高于芯片外围正供电电压时,关闭PMOS晶体管。
- 高压输入缓冲器
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