专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]表面发射激光-CN202280010074.6在审
  • 荒木田孝博 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2022-01-07 - 2023-09-05 - H01S5/183
  • 本技术提供了一种表面发射激光,利用该表面发射激光可以降低隧道结处的电压降。本技术提供了一种表面发射激光,包括:互相层压的第一和第二多层反射镜(102,112);多个活性层,互相层压在第一多层反射镜(102)与所述第二多层反射镜(112)之间;以及隧道结(107),布置在多个活性层中在层压方向上彼此相邻的第一活性层和第二活性层
  • 表面发射激光器
  • [发明专利]表面发射激光-CN200810129459.6有效
  • 井久田光弘 - 佳能株式会社
  • 2008-07-31 - 2009-02-04 - H01S5/18
  • 本发明提供了一种能够在单横模下减小对上部反射镜的反射率的影响的高输出的表面发射激光。该表面发射激光包括在衬底上层叠的多个半导体层,包括下部半导体多层反射镜、活性层,以及上部半导体多层反射镜,其中,下或上部半导体多层反射镜包括具有二维光子晶体结构的第一半导体层,该二维光子晶体结构由高折射率部分和低折射率部分构成
  • 表面发射激光器
  • [发明专利]表面发射激光的制造方法、检查方法以及检查装置-CN202210407726.1在审
  • 久保田良辅 - 住友电气工业株式会社
  • 2022-04-19 - 2022-12-16 - H01S5/18
  • 本发明提供表面发射激光的制造方法、检查方法以及检查装置。在一个实施方式所涉及的表面发射激光的制造方法中,准备具有包含多个区域的主面的衬底。在多个区域中分别设置有多个表面发射激光。对通过对多个表面发射激光中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光分别施加直流电压而从n个表面发射激光分别射出的第一激光进行测定。对通过对多个表面发射激光中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光分别施加交流电压而从m个表面发射激光分别射出的第二激光进行测定。基于第一激光的测定结果对n个表面发射激光的好坏进行判定。基于第二激光的测定结果对m个表面发射激光的好坏进行判定。
  • 表面发射激光器制造方法检查以及装置
  • [发明专利]表面发射激光装置-CN201710324564.4有效
  • 田泽耕明;梁吉镐 - 斯坦雷电气株式会社
  • 2017-05-10 - 2021-05-07 - H01S5/42
  • 表面发射激光装置。提供了包括多个表面发射激光元件并且能够显著减少光的串扰和暗线的形成的表面发射激光装置。该表面发射激光装置包括:安装基板;表面发射激光阵列,所述表面发射激光阵列包括在所述安装基板上并排布置的多个表面发射激光元件;多个光吸收层,所述多个光吸收层分别形成在所述多个表面发射激光元件上,
  • 表面发射激光器装置
  • [实用新型]垂直芯片表面发射激光及其一维和二维阵列-CN202020081085.1有效
  • 朱颂义;王元立 - 北京通美晶体技术有限公司
  • 2020-01-14 - 2020-10-20 - H01S5/183
  • 本实用新型提供了垂直芯片表面发射激光,其包括:基片,具有承置面和与承置面成45度角的反射面;以及边发射激光芯片,布置在基片的承置面上。边发射激光芯片被定位成边发射激光芯片的发射端朝向反射面且发射发射出平行于承置面的激光束,激光束的方向与承置面和反射面的交线垂直。本实用新型还提供垂直芯片表面发射激光的一维阵列和二维阵列。本实用新型通过在具有45度反射面的散热基片上设置边发射激光实现了边发射激光到垂直芯片表面发射激光的转化,并且实现了垂直表面发射激光的一维和二维阵列。与垂直腔面发射激光相比,这种垂直芯片表面发射激光件结构简单、制造工艺成熟,从而加工成本更低、产品可靠性更高。
  • 垂直芯片表面发射激光器其一维和二维阵列
  • [发明专利]激光光源和具有激光光源的激光雷达系统-CN202080083491.4在审
  • 胡贝特·哈尔布里特 - 欧司朗光电半导体有限公司
  • 2020-12-03 - 2022-07-12 - G01S7/4911
  • 一种激光光源(10),其包括表面发射的半导体激光(1251、1252、...、125n)的装置(120),将电压施加到所述表面发射的半导体激光的装置上,使得工作电流低于阈值电流,并且防止表面发射的半导体激光的自发射。所述激光光源还包括第一半导体激光(100),所述第一半导体激光发射进入表面发射的半导体激光的辐射(110),使得感应发射经由所谓的注入锁定机制进行,并且各个表面发射的半导体激光以与入射的辐射(110)相同的波长和偏振方向发射激光。第一半导体激光发射频率能够通过改变工作电流来改变。
  • 激光光源具有激光雷达系统
  • [发明专利]线光斑光源发射装置和设备-CN202210993240.0在审
  • 周丹丹;种洪涛;樊英民;袁科 - 西安炬光科技股份有限公司
  • 2022-08-18 - 2022-11-22 - H01S5/42
  • 本申请提供一种线光斑光源发射装置和设备,属于激光技术领域。所述装置包括多个垂直腔表面发射激光芯片、电路板,电路板上包括驱动电路;各垂直腔表面发射激光芯片上包括发光区域;各所述垂直腔表面发射激光芯片的发光区域包括第一边缘和第二边缘;各所述垂直腔表面发射激光芯片沿所述发光区域的第一边缘并排排列固定在所述电路板上,各垂直腔表面发射激光芯片的第一极和第二极分别连接至驱动电路,各垂直腔表面发射激光芯片通过驱动电路连接,驱动电路驱动各所述垂直腔表面发射激光芯片发射激光。本申请可以达到在工作环境温度变化范围较大的情况下提高线光斑光源发射装置的可靠性、降低功率衰减的效果。
  • 光斑光源发射装置设备
  • [发明专利]集成的边缘生成的垂直发射激光-CN202180051037.5在审
  • J·T·希尔;A·比斯穆托;T·萨米恩托 - 苹果公司
  • 2021-08-19 - 2023-04-07 - H01S5/187
  • 本发明公开了用于垂直地发射光的边缘生成的垂直发射激光的配置以及该边缘生成的垂直发射激光的制造方法。该边缘生成的垂直发射激光可包括分布式反馈(DFB)激光结构、光栅耦合和接触件层。光可以穿过该DFB激光结构传播,大致平行于该边缘生成的垂直发射激光的顶表面,并且由该光栅耦合朝向该边缘生成的垂直发射激光的该顶表面引导。该光可以大致垂直于该边缘生成的垂直发射激光的该顶表面从该边缘生成的垂直发射激光垂直地发射。另外,这些接触件层可以是n‑金属和p‑金属,它们可以位于该边缘生成的垂直发射激光的同一侧上。该边缘生成的垂直发射激光的这些特征可以有助于简化测试并且增加封装的选项。
  • 集成边缘生成垂直发射激光器

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