专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]小桐子快速繁殖方法-CN201110237661.2有效
  • 孙怀娟;孔晓香;李艳梅;陈小莲;李耿光 - 普罗米绿色能源(深圳)有限公司
  • 2011-08-18 - 2012-04-11 - A01H4/00
  • 本发明涉及一种小桐子快速繁殖方法,包括如下步骤:准备再生步骤,以小桐子成熟种子为材料,经培育获得无菌再生增殖诱导步骤,将再生切下,接入增殖培养基进行增殖培养,从而获得增殖的丛;伸长培养步骤,将增殖后的丛切下,接入伸长培养基进而获得茎叶伸长的均匀的;壮苗培养步骤,将伸长后的芽接入壮苗培养基进行壮苗培养;生根移栽步骤,选取壮苗培养后茎叶生长均匀的切下接入生根培养基进行生根培养,生出符合移栽要求的根后进行炼苗移栽本发明采用再生来诱导增殖增殖倍数高,可用于小桐子遗传转化后优良品系增殖,为小桐子的人工繁殖、脱毒苗生产、大批量繁殖优良品种开辟高效途径。
  • 桐子快速繁殖方法
  • [发明专利]一种提高色木槭茎增殖系数的培养方法-CN201210453551.4无效
  • 王娜;施志娟;马欢;官志玉;杨玲;沈海龙 - 东北林业大学
  • 2012-11-13 - 2013-02-06 - A01H4/00
  • 一种提高色木槭茎增殖系数的培养方法,它涉及一种提高茎增殖系数的培养方法。方法:一、取色木槭成年母树上的休眠枝条进行洗涤;二、茎段消毒;三、消毒后的茎段经培养获得带的茎段;四、带的茎段经培养获得伸长的嫩茎;五、伸长的嫩茎经培养获得小植株即完成。本发明利用色木槭野生树木休眠萌发枝条为材料,进行增殖培养条件的研究,建立了色木槭直接增殖途径的丛生诱导培养体系,为色木槭离体快繁体系的建立奠定了基础。本发明繁殖周期短,效率高,伸长的嫩茎,腋芽萌发率可达63.3%,平均高度可达15.9mm;小植株,增殖率可达90%,增殖倍数可达3.19,且茎生长正常。
  • 一种提高色木槭茎芽增殖系数培养方法
  • [发明专利]一种药用银杏苗的规模化生产方法-CN202010510618.8在审
  • 刘鹏飞;张云龙 - 青岛皇盾生物科技有限公司;张云龙
  • 2020-06-08 - 2020-08-21 - A01H4/00
  • 上述方法包括:步骤1:苗的采收及消毒;步骤2:侧芽的诱导:所述诱导培养基为DKW基础培养基;所述诱导培养基中的诱导激素包括mT 0.05‑5.0mg;步骤3:苗的增殖:所述增殖培养基为DKW基础培养基;所述增殖培养基中的增殖激素包括mT 0.05‑5.0mg;步骤4:待步骤3中侧芽长至2‑3cm时,即可切取侧芽,重复步骤2‑3进行下一轮次的诱导和增殖,经4‑5轮的诱导和增殖即可;步骤5:苗的生根本发明方法的苗的增殖系数可达100倍,生根率80%以上,可以初步满足规模化生产的需要。
  • 一种药用银杏规模化生产方法
  • [发明专利]一种雏菊无菌苗快速繁殖的方法-CN202310212599.4在审
  • 苏国辉;王丽丽;黄丛林;罗昌;陈东亮;刘华;程曦;陈菲 - 北京市农林科学院
  • 2023-03-07 - 2023-05-09 - A01H4/00
  • 本发明属于植物组织培养领域,提供了一种用于雏菊无菌苗快速繁殖的增殖培养基,所述增殖培养基中含有生长素、细胞分裂素和活性炭。本发明还提供了一种雏菊无菌苗快速繁殖的方法,包括将雏菊无菌苗的茎段接种于增殖培养基,进行不定增殖培养,以得到不定的不定增殖步骤;其中增殖培养基中含有生长素、细胞分裂素和活性炭。采用本发明提供的雏菊无菌苗快速繁殖的增殖培养基和雏菊无菌苗快速繁殖的方法仅用时25~35天即可得到大量不定,不定增殖倍数达到80倍以上,繁殖效率非常高,成苗率极高,而且成本低廉、操作方便,适合大范围推广使用
  • 一种雏菊菌苗快速繁殖方法
  • [发明专利]一种石斛组培快速增殖的方法-CN201510234922.3有效
  • 李德文;梁泽然 - 安徽康尔欣生物制药有限公司
  • 2015-05-11 - 2017-06-06 - A01H4/00
  • 本发明公开了一种石斛组培快速增殖的方法,该方法采用负离子水对石斛组培进行短期浸泡刺激,接着在无糖培养基中暗培养饥饿处理,最后转接到富营养培养基中,恢复光照条件,促使石斛组培快速增殖,具体包括以下操作步骤(1)负离子水浸泡预处理;(2)石斛组培的饥饿暗处理;(3)石斛组培增殖培养。本发明通过短期负离子水结合暗培养饥饿胁迫处理、后期富营养培养,促使石斛组培快速增殖。该方法简单易行,成本低廉,且石斛组培增殖效率高,适用于工厂化大规模生产。
  • 一种石斛组培芽快速增殖方法

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