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[发明专利]聚噻吩-CN01130395.6无效
发明人： S·基尔希梅耶;K·武索;F·约纳斯;A·埃尔施纳 -专利权人：拜尔公司
申请日： 2001-11-22 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： C08G75/00 文献下载
摘要：如果在无水或低水含量溶剂中进行反应并且在反应过程中加入相转移催化剂,那么可以制备出可溶于或可分散于无水或低水含量溶剂中的聚噻吩。
噻吩

[发明专利]一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法-CN201010176879.7有效
发明人：薛立新;葛子意;戴宁 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法。本发明高光转化率的含氟聚噻吩光电材料具有含氟聚噻吩受体-聚噻吩-聚噻吩给体的三嵌段高分子结构，其中含氟聚噻吩受体是含氟烷基链的聚噻吩。与现有技术相比，本发明含氟聚噻吩光电材料在聚噻吩结构中引入了强吸电子的含氟基团，提高了电子接受能力；利用可控分步催化剂转移聚合法，合成结构规整的含氟聚噻吩受体-聚噻吩-聚噻吩给体的三嵌段聚噻吩高分子结构
一种转化含氟聚噻吩光电材料及其制备方法

[发明专利]荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料-CN202210218640.4有效
发明人：钱家盛;丁伯阳;伍斌 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料，其中制备方法包括步骤：以3‑溴噻吩为原料，经锂卤交换反应得到3‑(6‑溴己基)噻吩，再通过溴化反应，得到2,5‑二溴‑3‑(6‑溴己基)噻吩；以2,5‑二溴‑3‑(6‑溴己基)噻吩作为单体，先通过聚合反应得到聚噻吩，再通过荷电化反应得到荷电化聚噻吩；将荷电化聚噻吩与MXene纳米片通过溶液共混对MXene纳米片改性，得到荷电化聚噻吩改性MXene本发明荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料将荷电化聚噻吩与MXene纳米片通过溶液共混法实现对MXene纳米片改性，得到荷电化聚噻吩改性MXene导热填料。
电化噻吩改性 mxene 导热填料制备方法复合材料

[发明专利]聚噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法-CN201210457515.5无效
发明人：潘革波;肖燕 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及电子导电材料的制作领域，尤其是聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，聚噻吩薄膜场效应晶体管包括栅电极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括聚噻吩薄膜，在所述聚噻吩薄膜与源电极、漏电极的连接部加入具有导电性质的掺杂剂本发明还提供这种聚噻吩薄膜场效应晶体管结构。本发明的聚噻吩薄膜场效应晶体管能提高聚噻吩薄膜的导电性能，提高载流子注入效率，从而改善聚噻吩与金属源、漏电极功函数匹配的问题。
噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种聚噻吩微球及其制备方法-CN201210269677.6有效
发明人：葛子义;艾玲;刘颖 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚噻吩微球及其制备方法。本发明提供了一种通过化学氧化聚合法一步制备导电聚合物聚噻吩微球的方法，包括步骤：(a)提供一含有噻吩单体和无机前体的分散体系；(b)在氧化剂存在下，使所述分散体系中的噻吩单体聚合成聚噻吩，并形成聚噻吩微球；和(c)从所述分散体系中分离出聚噻吩微球。通过调控反应分散体系中的溶剂、噻吩单体、氧化剂及其比例，可以实现不同形貌尺寸聚噻吩微球的可控合成。本发明制备方法简单，工艺绿色环保，成本低廉，所制备的聚噻吩微球尺寸均一。
一种噻吩及其制备方法

[发明专利]一种聚吡咯-噻吩同时合成及碳化应用的方法-CN202310068184.4在审
发明人：赖晓君;赵晓桦;梁雪冰;黄诺怡;王广文 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚吡咯‑噻吩同时合成方法，首先在水溶液中将噻吩单体、表面活性剂、氯化铁、过氧化氢进行预聚合；之后加入含有表面活性剂的吡咯单体溶液，均匀混合24h后得到聚吡咯‑噻吩。本发明还提供一种聚吡咯‑噻吩催化过硫酸盐降解苯胺的方法，使聚吡咯‑噻吩碳化得到碳化聚吡咯‑噻吩，将碳化聚吡咯‑噻吩应用于催化过硫酸盐，并用于降解苯胺溶液，实现苯胺降解。本发明实现了应用表面活性剂在水溶液中一步合成聚吡咯‑噻吩，大量减少了有机溶剂和氯化铁的使用，材料制备过程简便、高效、安全，制得的聚吡咯‑噻吩用于催化过硫酸盐降解苯胺，苯胺降解率高，同时碳化聚吡咯‑噻吩对苯胺还具有一定的吸附作用
一种吡咯噻吩同时合成碳化应用方法

[发明专利]一种聚噻吩-氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用-CN202210078972.7有效
发明人：黄洪;侯金醒;司徒粤;王久武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B01J31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚噻吩‑氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用。本发明的聚噻吩‑氮化碳复合光催化剂的组成包括载体氮化碳纳米片和负载的聚噻吩纳米片，其制备方法包括以下步骤：1)将三聚氰胺煅烧制成氮化碳纳米片，并将噻吩和氧化剂分散在溶剂中进行聚合反应制成聚噻吩；2)将聚噻吩分散在溶剂中制成聚噻吩分散液；3)将氮化碳纳米片分散在溶剂中，再边搅拌边逐滴加入聚噻吩分散液，加完后恒温反应，再分离出固体物进行洗涤和干燥，即得聚噻吩‑氮化碳复合光催化剂。本发明的聚噻吩‑氮化碳复合光催化剂的光催化性能优异，可以用作产过氧化氢反应的催化剂，且其制备过程简单、成本低、可控性强，适合进行大规模生产应用。
一种噻吩氮化复合光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种基于聚3-己基噻吩的电晕放电检测材料及其制备方法-CN202111501843.6在审
发明人：朱远惟;陈钰;陈昊鹏;李盛涛;鲁广昊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚3‑己基噻吩的电晕放电检测材料及其制备方法，包括：1)将聚3‑己基噻吩均匀分散于有机溶剂中，得到聚3‑己基噻吩溶液；2)将步骤1)中得到的聚3‑己基噻吩溶液在检测材料上均匀旋涂成膜，得到聚3‑己基噻吩检测结构；3)将步骤2)中制得的聚3‑己基噻吩检测结构放置在电晕放电的环境中，利用电晕放电臭氧环境，使聚3‑己基噻吩检测结构发生氧化反应，得到正一价聚3‑己基噻吩检测结构；4)测试步骤3)中得到正一价聚3‑己基噻吩检测结构在不同电压和不同时间放电处理下的UV‑Vis光谱，得到峰值下降和峰位蓝移，以此作为判断电晕放电强度的依据。
一种基于噻吩电晕放电检测材料及其制备方法

[发明专利]一种光电纳米复合材料及其制备-CN200810022020.3有效
发明人：路建美;董延茂;夏雪伟;徐庆锋;李娜君;王丽华 -专利权人：苏州大学
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电纳米复合材料及其制备，该光电纳米复合材料由纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种修饰聚(3－烷基噻吩)而得，所述聚(3－烷基噻吩)选自聚(3－丙基噻吩)，聚(3－丁基噻吩)，聚(3－己基噻吩)，聚(3－壬基噻吩)，聚(3－癸基噻吩)，聚(3－十二烷基噻吩)中的一种，由于纳米粒子引入了聚合物，从而增加了聚合物的共平面结构的稳定性和光电传导性，因此该复合材料的光致发光、电致发光和三阶非线性光学性能相对于聚(3－烷基噻吩)有较大改善，而且该复合物具有纳米粒子含量可控、粒径可控、光学性能强等特点，因此该材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。
一种光电纳米复合材料及其制备

[发明专利]侧链含有亲水基团的聚噻吩及其制备方法-CN201610225149.9有效
发明人：李月琴;王竹叶;杨志伟 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧链含有亲水基团的聚噻吩及其制备方法，该方法以3‑甲氧基噻吩为原料，分别经过2反应步合成侧链具有烷氧基的亲水性聚噻吩衍生物；以及经过3步反应合成侧链端基为醇胺基的亲水性聚噻吩衍生物。侧链含有亲水基团的聚噻吩的聚噻吩衍生物薄膜具有亲水性，接触角测试表明端基含有醇氨基官能团的聚噻吩亲水性能优于侧链仅含有烷氧基团的聚噻吩，拥有一般高分子材料不具有的优异性能，可应于新一代光电器件和化学生物荧光传感器中
含有基团噻吩及其制备方法

[发明专利]一种聚噻吩纳米导电复合材料及其制备方法-CN201210515945.8有效
发明人：姚超;左士祥;陈群;刘文杰;纪俊玲;孔泳;罗士平;王茂华 -专利权人：常州大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明克服了现有技术中聚噻吩-无机纳米复合材料成本高的不足，利用凹凸棒石特殊的晶体结构、物化性质及价格低廉等优势，提供一种聚噻吩纳米导电复合材料及其制备方法。该材料为碘掺杂多孔棒状二氧化硅/聚噻吩无定型导电复合材料。上述的聚噻吩纳米导电复合材料的制备方法，将噻吩单体溶于有机溶剂Ⅰ中，将纯化后的纳米凹凸棒石、氧化剂加入到有机溶剂Ⅱ中，然后将其逐滴滴加到噻吩的溶液中制备凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料；最后将所制备的凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料置于碘蒸气中制得多孔棒状二氧化硅/聚噻吩纳米导电复合材料。
一种噻吩纳米导电复合材料及其制备方法

[发明专利]利用聚3-己基噻吩改性碳纳米管的方法及改性碳纳米管-CN201811339653.7在审
发明人：邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用聚3‑己基噻吩改性碳纳米管的方法及改性碳纳米管，其中，所述方法包括步骤：提供碳纳米管阵列及聚3‑己基噻吩；将聚3‑己基噻吩与碳纳米管阵列置于保护气体气氛中进行紫外光处理，使得聚3‑己基噻吩与碳纳米管阵列发生接枝聚合反应本发明解决了聚3‑己基噻吩难以与碳纳米管结合，导致无法通过碳纳米管来增强聚3‑己基噻吩的稳定性的问题。
己基噻吩改性碳纳米管聚3 -己基噻吩碳纳米管阵列碳纳米管接枝聚合反应紫外光处理保护气体

[发明专利]一种制备聚噻吩和聚吡咯复合皱纹形貌的方法-CN201810913087.X在审
发明人：鲁从华;俞世雄;杨成枫 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备聚噻吩和聚吡咯复合皱纹形貌的方法。其制备过程包括：首先将PDMS基底用氧等离子体处理30s，将一定量的聚3‑己基噻吩滴加在PDMS基底表面，并使其溶胀一定时间；随后，将带有聚3‑己基噻吩的PDMS基底放在旋涂仪上，以3000r/min，然后，将旋涂有聚3‑己基噻吩的PDMS基底放在空气中一段时间，脱除溶剂，从而得到具有聚3‑己基噻吩皱纹形貌的表面。然后，将带有皱纹形貌的PDMS基底放在吡咯溶液中，反应一定的时间，最后洗去表面多余的聚吡咯，得到聚噻吩和聚吡咯复合皱纹形貌。本发明利用简便快捷的操作方式成功制备了聚噻吩和聚吡咯复合皱纹形貌，从而避免了复杂繁琐的操作步骤，较长的制备时间与高昂的设备以及实验耗材的损耗。
形貌皱纹聚吡咯己基噻吩聚噻吩基底制备复合旋涂氧等离子体处理基底表面脱除溶剂制备过程吡咯溶液旋涂仪滴加耗材溶胀成功

[发明专利]一种二氧六环取代的发光聚噻吩制备方法-CN201110036053.5无效
发明人：钟国伦;李荣 -专利权人：浙江大学宁波理工学院
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧六环取代的发光聚噻吩制备方法，所制得的二氧六环取代的发光聚噻吩在3位引入含两个氧原子的六元环，4位再用甲基进行取代来增强聚噻吩的电子效应和位阻效应，对聚噻吩的光电性能进行调控。该发光聚噻吩发光性能良好，由光致发光谱表明，其发射峰值位于520nm，比现有技术中的聚[3-(1，3-二噁烷-2-乙基)]噻吩兰移了45nm，说明了由于聚噻吩侧位的两个氧的电子效应和甲基及环状取代基的空间位阻共同作用
一种二氧取代发光噻吩制备方法

[发明专利]一种多壁碳纳米管键合聚(3-己基噻吩)材料及其制备方法-CN201811339612.8有效
发明人：邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管键合聚3‑己基噻吩材料及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：将聚3‑己基噻吩平铺后与碳纳米管阵列置于保护气体气氛中进行一次紫外线照射处理，使得聚3‑己基噻吩与碳纳米管阵列发生接枝聚合反应，得到改性碳纳米管；将改性碳纳米管与聚3‑己基噻吩混合溶于溶剂中，超声处理后去除溶剂并干燥，得到多壁碳纳米管‑聚3‑己基噻吩混合物；将多壁碳纳米管‑聚3‑己基噻吩混合物平铺在基片上，然后置于保护气体气氛中进行二次紫外线照射处理，冷却，制得碳纳米管键合聚3‑己基噻吩材料。本发明解决了聚3‑己基噻吩不够稳定，导致其无法在微纳米级产品中应用的问题。
一种多壁碳纳米管键合聚噻吩材料及其制备方法

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