专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法-CN202110663157.2有效
  • 宋坤;王英民;孙有民;王小荷;曹磊;陈宝忠;刘存生 - 西安微电子技术研究所
  • 2021-06-15 - 2023-07-04 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法,衬底表面并列形成有P阱和漂移区;P阱上依次层叠有SiO2硅层和HTO氮硅层;HTO氮硅层上形成有多晶栅;漂移区上形成有多个场;场之间形成有场环;场环上形成有SiO2薄氮硅层;P阱、多晶栅、场和SiO2硅层上形成有介质层方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区;在P阱上依次生长SiO2层氮化形成SiO2硅层、淀积HTO栅层氮化形成HTO氮硅层,SiO2硅层和HTO氮硅层形成复合栅介质结构,淀积多晶硅形成栅极;在漂移区上的场之间形成总剂量加固的场环,场环上依次生长SiO2薄氧化层,并氮化成SiO2薄氮硅层形成漂移区加固结构;在P阱、多晶栅、场和SiO2硅层上淀积形成有介质层
  • 一种辐射加固ldmos晶体管制备方法
  • [发明专利]一种以Sc2-CN202210004311.X在审
  • 魏汉军;赵峰;王清远;余亚苹 - 成都大学
  • 2022-01-05 - 2022-04-01 - C04B35/16
  • 本发明将Si(OC2H5)4溶解于乙醇得到溶液A,Sc(NO3·6H2O搅拌溶解于去离子水中得到溶液B;室温下,溶液A和溶液B搅拌混合得到凝胶C,凝胶C干燥得到干凝胶,干凝胶研磨成凝胶后置于温度为>粉末压制成型后高温焙烧得到多孔Sc2Si2O7陶瓷;聚碳硅烷溶解于正己烷形成溶液D,在真空条件下,多孔Sc2Si2O7陶瓷在溶液D浸渍30~60min,浸渍后的多孔Sc2Si2O7陶瓷置于无条件下固化处理,然后置于无条件下裂解反应使聚碳硅烷裂解为纳米
  • 一种scbasesub
  • [实用新型]一种异性中心棒超薄热管结构-CN202021227064.2有效
  • 张新亚 - 广州麦伦电子科技有限公司
  • 2020-06-29 - 2021-02-23 - H05K7/20
  • 本实用新型公开了一种异性中心棒超薄热管结构,属于热管生产技术领域,包括异性中心棒主体和包覆异性中心棒主体的散热铜管,所述异性中心棒主体包括一体连接的第一心棒和第二心棒,所述第一心棒和第二心棒均为长条形结构并包括两组相对设置的成型面,所述第一心棒与第二心棒位于同侧的成型面之间设置有斜坡部,斜坡部把第一心棒与第二心棒形成不同厚度的异性结构,第一心棒与第二心棒外周为烧结的铜毛细体,散热铜管与铜毛细体贴合形成热源端的蒸汽流到冷凝端快速回流至热源端的回路本实用新型设计科学合理,节约铜的同时,能够确保热管在发生偏的情况下依然保证上下两端的烧结层能够接触在一起,形成散热回路。
  • 一种异性中心超薄热管结构

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