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[发明专利]一种以Y2-CN202210238012.2有效
发明人： 魏汉军;阳申全;余亚苹;赵峰;王清远 -专利权人：成都大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种以Y2Si2O7为基体的SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法，属于微波吸收材料技术领域。本发明将Si(C2H5)4溶解于乙醇中得到溶液A，Y(NO3)3·6H2O搅拌溶解于去离子水中得到溶液B；室温下，溶液A和溶液B搅拌混合得到凝胶C，凝胶C干燥得到干凝胶，干凝胶研磨成凝胶粉，凝胶粉进行冷压成型后置于温度为1400～1500℃的空气中烧结热处理2～3h，得到Y2Si2O7粉末；Y2Si2O7粉末采用碳化硅化学气相渗透技术沉积，得到SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷，SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷经温度为1100～1200℃下氧化2～3h，得到SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷。本发明复相陶瓷的电磁波吸收性能的可控性调节。
一种 base sub

[发明专利]一种吸波复相陶瓷及其制备方法-CN202310012456.9在审
发明人：阳申全;周春林;唐路;魏汉军;赵峰;王清远 -专利权人：成都大学
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸波复相陶瓷及其制备方法，该吸波复相陶瓷包括具有多孔结构的基体，以及填充于基体孔隙中的SiC纳米线和碳簇；基体为具有多孔结构的稀土硅盐酸陶瓷。本发明中的吸波复相陶瓷中的基体稀土硅酸盐陶瓷呈现多孔及粉末状骨骼结构，而位于基体孔隙结构中的SiC纳米线和碳簇使得吸波复相陶瓷生成异质界面、缺陷和非晶结构，从而增强吸波复相陶瓷对电磁波吸收性能。
一种吸波复相陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种三维还原氧化石墨烯rGO/ScFeO3-CN202210328319.1有效
发明人： 魏汉军;赵峰;王清远;周春林 -专利权人：成都大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及微波吸收材料技术领域，尤其涉及一种三维还原氧化石墨烯rGO/ScFeO3复合吸波材料的制备方法。本发明将Sc(NO3)3·6H2O与Fe(NO3)3·9H2O加入到去离子水中，搅拌溶解得到溶液A；将水性聚乙烯醇PVA溶解于Sc(NO3)3水溶液中得到溶液B；将溶液A和溶液B混合均匀并搅拌12～14h得到均质溶胶C；将均质溶胶C匀速升温至温度为200～300℃并保温6～8h，在匀速升温至温度为900～1000℃煅烧6～8h得到ScFeO3粉末；将氧化石墨烯GO加入至去离子水中，超声分散10～12h得到GO悬浮液；将ScFeO3粉末加入到GO悬浮液中混匀得到前驱体溶液；将前驱体溶液冷冻干燥，然后置于氩气氛围、温度为1000～1200℃下保温2～3h得到三维还原氧化石墨烯rGO/ScFeO3复合吸波材料。本发明ScFeO3颗粒嵌入rGO中可显著降低电导率，增加孔隙率，改善阻抗匹配特性和电导率损失。
一种三维还原氧化石墨 rgo scfeo base sub

[发明专利]一种原位生长碳纳米管修饰的CNT/SiCNWs复合吸波材料的制备方法-CN202210351661.3有效
发明人： 魏汉军;周春林;赵峰;王清远 -专利权人：成都大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位生长碳纳米管修饰的CNT/SiCNWs复合吸波材料的制备方法。本发明将Co(CH3COO)2·4H2O溶解于去离子水中配置成醋酸钴溶液，将聚乙烯醇缩丁醛与SiCNWs混合后加入到醋酸钴溶液中混合均匀得到混合溶液A；在温度80～100℃下，混合溶液A搅拌反应24～28h，固液分离，固体置于温度为600～1000℃、氮气氛围中反应2～4h即得原位生长碳纳米管修饰的CNT/SiCNWs复合材料。本发明在醋酸钴催化剂下，通过PVB热解和退火处理得到原位生长CNT/SiCNWs，有利于构建均匀的3D导电网络，使其具有更好的EM波吸收。
一种原位生长纳米修饰 cnt sicnws 复合材料制备方法

[发明专利]一种具有3D网络微结构的ScFeO3-CN202210358268.7有效
发明人： 魏汉军;赵峰;王清远;余亚苹 -专利权人：成都大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B35/40 文献下载
摘要：本发明涉及属于微波吸收材料技术领域，尤其涉及一种具有3D网络微结构的ScFeO3吸波陶瓷的制备方法。本发明将Sc(NO3)3·6H2O和Fe(NO3)3·9H2O分别溶解到去离子水中得到Sc(NO3)3溶液和Fe(NO3)3溶液；将聚乙烯醇加入到Sc(NO3)3溶液中，搅拌均匀得到溶液A；将溶液A和Fe(NO3)3溶液混合均匀并搅拌反应12～14h形成溶胶，然后置于温度为200～400℃下脱水6～8h，再置于温度为800～1000℃下煅烧5～8h得到ScFeO3粉末；将ScFeO3粉末冷压成型，置于温度为1200～1500℃下煅烧2～4h，得到具有3D网络微结构的ScFeO3吸波陶瓷。本发明ScFeO3吸波陶瓷内形成了纳米线，ScFeO3颗粒和纳米线构建3D网络微结构，提供了丰富的微波接口，并为微波能量的快速传输提供了多级通道。
一种具有网络微结构 scfeo base sub

[发明专利]一种以Y2-CN202210328147.8在审
发明人： 魏汉军;赵峰;王清远;余亚苹 -专利权人：成都大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法，属于微波吸收材料技术领域。本发明将Si(OC2H5)4溶解于乙醇中得到溶液A，Y(NO3)3·6H2O搅拌溶解于去离子水中得到溶液B；室温下，溶液A和溶液B搅拌混合得到凝胶C，凝胶C干燥得到干凝胶，干凝胶研磨成凝胶粉，凝胶粉进行冷压成型后置于温度为1400～1500℃的空气中烧结热处理2～3h，得到Y2Si2O7粉末；Y2Si2O7粉末采用碳化硅化学气相渗透技术沉积，得到SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷，SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷经温度为1100～1200℃下氧化2～3h，得到SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷，SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷经氮化硅化学气相渗透技术沉积得到Si3N4/SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷。本发明复相陶瓷的电磁波吸收性能的可控性调节。
一种 base sub

[发明专利]一种以Sc2-CN202210004311.X在审
发明人： 魏汉军;赵峰;王清远;余亚苹 -专利权人：成都大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种以Sc2Si2O7为基体的SiC基微波吸收陶瓷的制备方法，属于微波吸收材料技术领域。本发明将Si(OC2H5)4溶解于乙醇中得到溶液A，Sc(NO3)3·6H2O搅拌溶解于去离子水中得到溶液B；室温下，溶液A和溶液B搅拌混合得到凝胶C，凝胶C干燥得到干凝胶，干凝胶研磨成凝胶粉后置于温度为1000～1200℃下热处理2～3h，得到Sc2Si2O7粉末；Sc2Si2O7粉末压制成型后高温焙烧得到多孔Sc2Si2O7陶瓷；聚碳硅烷溶解于正己烷中形成溶液D，在真空条件下，多孔Sc2Si2O7陶瓷在溶液D中浸渍30～60min，浸渍后的多孔Sc2Si2O7陶瓷置于无氧条件下固化处理，然后置于无氧条件下裂解反应使聚碳硅烷裂解为纳米SiC和游离碳；重复进行多次浸渍、固化和裂解得到纳米SiC/Sc2Si2O7复相陶瓷。本发明复相陶瓷的电磁波吸收性能的可控性调节。
一种 sc base sub

[实用新型]一种防缠绕的旋转旗杆-CN201821893360.9有效
发明人：郭雪峰;魏汉军 -专利权人：郭雪峰
申请日： 2018-11-17 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： E04H12/32 文献下载
摘要：本实用新型属于显示、标记用品技术领域，具体涉及一种防缠绕的旋转旗杆，包括底座段，旋转轴、旋转旗杆，所述旋转轴通过轴承与底座段可转动连接，所述旋转旗杆通过内置轴承转动安装在旋转轴上，所述旋转轴顶部设有防雨帽；本实用新型结构简单、成本低、不易发生卡死，轴承使用周期长，防缠绕效果好。
旋转轴旗杆防缠绕本实用新型底座段用品技术领域可转动连接内置轴承轴承使用转动安装防雨帽卡死轴承

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